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Fターム[4K030AA20]の内容

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Fターム[4K030AA20]に分類される特許

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【課題】堆積膜の均一性と特性の向上及び画像欠陥の抑制を同時に達成可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】減圧可能な反応容器の内部への円筒状基体設置工程と、反応容器の内部への堆積膜形成用原料ガス導入工程と、反応容器の内部にあって円筒状基体とは離間して配置された電極、および円筒状基体の、一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、正弦波の交番電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、交番電圧の周波数が10kHz以上300kHz以下で、電極と円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が、正であるときの電位差の絶対値の最大値、および負であるときの電位差の絶対値の最大値は、一方が放電維持電圧未満の値であって、他方が放電開始電圧以上の値である。 (もっと読む)


【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚600nm以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をT1とし、成膜終了時の基体温度をT2とするとき、下記(1)〜(3)の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、CVD法を用いて、200Pa以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度300〜650℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
(1)T2=360〜380℃
(2)ΔT(T1−T2)=45〜65℃
(3)少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚200nmが達するまでに基体温度の下降を開始する。 (もっと読む)


【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程(ステップ11)と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程(ステップ12)と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第1の材料ガス及び第2の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第1の材料ガス供給室及び第1の材料ガス供給室の上部に設けられた第2の材料ガス供給室と、第1の材料ガス供給室に隣接して第1の材料ガス供給室の下部に設けられた第1の冷却ジャケット及び第1の冷却ジャケットの下部に配された第2の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第1の材料ガス供給室に連通して第1の材料ガスを噴出する第1の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第2の材料ガス供給室に連通して第2の材料ガスを噴出する第2の材料ガス通気孔と、を有する。 (もっと読む)


【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばSbCl、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt)を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 (もっと読む)


【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Wの表面にシード膜88と不純物含有のシリコン膜90を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第1ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第2ステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】堆積速度が速く、好ましくは約700℃以下のような低いプロセス温度を維持し、置換型炭素濃度が高い、SiとCを含有する選択エピタキシャル層を得る方法を提供する。
【解決手段】基板上にSiとCを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも一つの第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、プロセスチャンバ内の圧力を少なくとも300トールに維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンがドープされたSi:Cエピタキシャル膜を形成するステップと、700℃以下のプロセスチャンバ内の温度の下で、HClを含むエッチングガスに該基板をさらすことにより該基板を更に処理するステップと、を含む。 (もっと読む)


【課題】大気中で熱処理を実施することにより、トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができるフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法の提供。
【解決手段】フッ素ドープ酸化錫膜を形成する基体表面の温度(成膜面温度)が500℃以上となる条件で、CVD法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を該基体上に形成し、該成膜面温度が280℃以下になるまで冷却した後、該成膜面温度を280〜540℃の温度域に大気中で加熱した後、該成膜面温度を280℃以下に冷却するフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法であって、大気中での加熱時において、フッ素ドープ酸化錫膜から酸素の脱離が起こり、かつ、該フッ素ドープ酸化錫膜への酸素の再吸着が起こらないように、280℃と該成膜面の最高到達温度との間の温度域における積分温度値を設定することを特徴とするフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法。 (もっと読む)


【課題】オートドープを抑制して、均一な抵抗分布を有するシリコンエピタキシャルウェーハを効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】シリコン単結晶基板上にシリコン単結晶をエピタキシャル成長させて、エピタキシャル層を積層するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、抵抗率が0.5mΩ・cm以上20.0mΩ・cm以下で、ボロンがドープされている前記シリコン単結晶基板上に、成長速度を5μm/分以上15μm/分以下として、抵抗率が0.5Ω・cm以上2000Ω・cm以下である前記エピタキシャル層を成長させるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高速成膜時でも高品質な水素化アモルファスシリコン膜を形成することができる半導体薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】電力の供給により原料ガスをプラズマにして活性種に分解し基板上に堆積させ半導体薄膜を製造する方法において、上記原料ガスは第14族元素水素化合物および/または第14族元素水素化合物の誘導体を含み、上記記電力が供給されるオン状態と、上記電力が供給されないオフ状態とが交互に切り替わり、かつオフ状態の継続時間が一定でない、半導体薄膜の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】長時間に亘って使用しても清掃などの手間をかけることなく安定した成膜条件を維持しつつ一度に多数の成膜を行う、簡単な構造のプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、真空チャンバ2内を真空排気する真空排気手段3と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部4と、複数の自転保持部4を自転保持部4の回転軸と軸心平行な公転軸Q回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ2内に原料ガスを供給するガス供給部9と、真空チャンバ2内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源10とを備える。公転テーブル5は、プラズマ発生電源10の一方極に接続された公転テーブル5Aと、プラズマ発生電源10の他方極に接続される公転テーブル5Bとであって、互いに異なる極性とされた公転テーブル5A上の基材と、公転テーブル5B上の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 (もっと読む)


【課題】チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が低いSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法、並びにSiCエピタキシャルウェハの製造装置を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハは、オフ角を有するSiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル層を有するSiCエピタキシャルウェハであって、前記SiCエピタキシャル層に存在する、チャンバ内の部材の材料片を起点とする三角欠陥の面密度が0.5個/cm以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】pコンタクト層をp型化し、かつ電極とのコンタクト抵抗を低減すること。
【解決手段】pクラッド層14上に、MOCVD法によって、MgがドープされたGaNである第1のpコンタクト層151を形成する(図2(b))。次に、次工程で形成する第2のpコンタクト層152の成長温度である700℃まで降温した後、アンモニアの供給を停止し、キャリアガスを水素から窒素へと切り換えて置換する。これにより、第1のpコンタクト層151のMgは活性化され、第1のpコンタクト層151はp型化する。次に、前工程の温度である700℃を維持し、キャリアガスには窒素を用いてMOCVD法によって、第1のpコンタクト層151上に、MgがドープされたInGaNである第2のpコンタクト層152を形成する(図2(c))。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長層の結晶品質を向上させることができ、厚膜のエピタキシャル成長層を形成する場合においてもキャリア移動度の低下が生じず、素子抵抗の低い炭化珪素エピタキシャルウエハおよび炭化珪素半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素半導体素子は、ドーピングにより格子定数が減少するドーパントを濃度Aでドーピングした基板と、ドーパントを基板よりも小さい濃度Bでドーピングしたエピタキシャル成長層と、基板とエピタキシャル層との間に、ドーパントをドーピングした2層以上積層した多層構造で形成されたバッファ層とを有し、多層構造の各層のドーパントのドーピング濃度Cが、バッファ層の厚さをd、エピタキシャル成長層からの各層までの平均距離をx、所定の割合をPとして、[B+(A−B)×x/d]×(1−P)≦C≦[B+(A−B)×x/d]×(1+P)とした。 (もっと読む)


【課題】Al含有率が高いIII族窒化物半導体上にP型GaN層が形成された積層体において、その表面が極めて平滑であり、電極特性が良好な積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】AlGaInN(X、YおよびZが、X+Y+Z=1.0,Y≧0,Z≧0,0.5≦X≦1.0である)層と、不純物原子がドープされたGaN層と有するIII族窒化物積層体を製造する方法であって、P型GaN層16が、層厚みをT[nm]とし、P型GaN層の層厚み方向における成長速度をGR[nm/分]とし、P型GaN層を形成するために用いられるGa原料の流量をFGa[μmol/分]とし、不純物原子原料の流量をFi[μmol/分]としたときに、GRが0.15以上2.0以下、(Fi/FGa)×ln(T)が0.1を超え0.4以下となるように成長させる。 (もっと読む)


【課題】基体ホルダー外周面に残留したダストが円筒状補助基体と円筒状基体の端面間の隙間から飛散することを防ぐことができる真空処理方法を提供し、画像欠陥の原因となる電子写真感光体の球状突起を低減することにある。
【解決手段】真空処理方法であって、チャッキング部材の一部と円筒状補助基体の円筒状基体とは反対側の端面とが接触することによりチャッキング部材が円筒状補助基体を加圧し、円筒状補助基体が円筒状基体を押圧して両者の端面同士を密着させる工程と、円筒状基体と円筒状補助基体の端面同士が密着した状態で、搬送容器内を真空排気する排気工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】ZnO基板上へZnO系半導体結晶を1000℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ZnO基板40上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ZnO基板40上にZnO系半導体層46を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、1×10-4気圧以下、結晶成長温度は1000℃以上、VI族元素とII族元素の供給比VI/IIは1以上〜100以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 (もっと読む)


【課題】耐欠損性を向上させることで破壊強度と耐摩耗性に優れ、かつ放電加工等の電気加工を主体とした研磨加工が可能な多結晶・単結晶の高強度ダイヤモンド膜工具やコーティング工具を提供することにある。
【解決手段】多結晶ダイヤモンド膜をコーティングした工具、もしくはおよび単結晶ダイヤモンド工具において、気相法による膜状ダイヤモンドにボロンをドーピングすることで破壊強度を向上させたことにある。 (もっと読む)


【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板W上に、シリコン酸化物膜1−1とシリコン窒化物膜2−1とを積層するシリコン酸化物膜1−1及びシリコン窒化物膜2−1の積層方法であって、シリコン窒化物膜2を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 (もっと読む)


【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板100を提供する第一ステップと、前記基板100の結晶面101に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層102を配置し、前記基板100の結晶面101の一部を前記カーボンナノチューブ層102の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板100の結晶面101にエピタキシャル層104を成長させ、前記カーボンナノチューブ層102を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層102を除去する第四ステップと、を含む。 (もっと読む)


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