【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積載配置して収容する処理容器２０３と、処理容器２０３に基板２００を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段２３２ａ、２３２ｂ、２４９ａ、２４９ｂと、処理容器２０３を排気する排気手段３００と、を有し、排気手段３００は、真空ポンプ２４６と、処理容器２０３と真空ポンプ２４６を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造３７０を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管３３１〜３３３で構成される。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層するにあたり、処理ガスが各々供給される処理領域同士の間に分離ガスを供給して処理ガス同士が処理雰囲気において互いに混合することを防止しながら、分離ガスの供給流量を抑える。
【解決手段】処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に分離ガスノズル４１、４２を配置し、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスを各々供給して処理領域Ｐ１、Ｐ２同士を分離する。この時、分離ガスノズル４１、４２における回転テーブル２の回転方向下流側に、回転テーブル２の上面との間に狭隘な空間Ｓ１を形成するための第１の天井面４４を設ける。また、この第１の天井面４４における回転テーブル２の回転方向上流側に、第１の天井面４４よりも高い第２の天井面４５をこの第１の天井面４４に隣接するように設ける。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに載置した基板を速やかに昇温させることができる技術を提供すること。
【解決手段】複数の処理領域に反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給手段と、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向において処理領域の間に位置する分離領域と、前記載置領域の他面側を熱輻射により加熱することにより前記基板を加熱する加熱部と、を備える基板処理装置において、前記回転テーブルは、当該回転テーブルの一面側から他面側までを形成する基板載置部と、この基板載置部以外の部位であるテーブル本体と、から構成され、前記基板載置部はテーブル本体よりも熱容量の小さい材質により構成される。これによって加熱部から基板への熱伝導性を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に反応生成物を積層すると共にこの反応生成物に対してプラズマ改質を行うにあたり、基板に対するプラズマダメージを抑えること。
【解決手段】プラズマ発生部８０とウエハＷとの間に接地された導電材からなるファラデーシールド９５を設けると共に、プラズマ発生部８０において発生する電磁界のうち電界については遮断すると共に、磁界については通過させるために、アンテナ８３の長さ方向に対して直交する方向に伸びるスリット９７を当該アンテナ８３に沿って前記ファラデーシールド９５に形成して、各々のスリット９７の長さ方向における一端側及び他端側に、アンテナ８３の長さ方向に沿うように導電路９７ａ、９７ａを配置する。 （もっと読む）

【課題】基板上にＺｎＯからなる透明導電膜を高効率で製造するＺｎＯ透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはＤＥＺｎの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 （もっと読む）

【課題】第１の金属元素および第２の金属元素を含む金属酸化膜を形成する際に、金属酸化膜中の第１の金属元素及び第２の金属元素の組成比の制御性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に、第１の金属元素を含む第１原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、処理室内に、第１原料と第２の金属元素を含む第２原料とを混合した混合原料と酸化剤とを供給することで、基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に、第１の金属酸化膜と第２の金属酸化膜とを交互に積層して、第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜の形成に際し、半導体基板を支持するサセプタへの、原料ガスに起因する膜の付着を低減し、サセプタのエッチング処理の時間の低減する気相成長方法を提供する。
【解決手段】半導体基板であるシリコンウェハ１０１を支持するサセプタ１０２の表面の少なくとも一部をＳｉＯ_２やＳｉ_３Ｎ_４などの金属の酸化膜や窒化膜で被覆する。そして、サセプタ１０２上でシリコンウェハ１０１を加熱しながら、シリコンウェハ１０１上に原料ガスを供給し、サセプタ１０２上への原料ガスに起因する膜の付着を抑制して、シリコンウェハ１０１上にエピタキシャル膜を成長させるようにする。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＣＨ_３）_２、Ｚｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＯＣＨ_３）ＣＨ_３及びＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_２ＣＨ_３）］［Ｎ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）］_３の何れか一つの前駆体を用いて４００℃〜５００℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ_２）１４０を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐密着性に優れ、耐欠損性に優れた表面被覆部材を提供する。
【解決手段】基体２の表面に、ＴｉＣＮ層４と、Ｔｉ、Ａｌ、炭素および酸素を含み、平均膜厚が５〜３０ｎｍで途切れることなく存在する中間層５と、α型Ａｌ_２Ｏ_３層９とが順に被着形成された積層体を有する被覆層３を備え、ＴｉＣＮの（２００）面に帰属される回折ピークが現れる２θの値θ_ｔとＪＣＰＤＳカードのθ_ｔ０との差△θ_ｔ（＝θ_ｔ−θ_ｔ０）と、Ａｌ_２Ｏ_３のα型結晶構造の回折ピークが現れる各結晶面の２θの値θ_{ａ（ｈｋｌ）}とＪＣＰＤＳカードのθ_{ａ０（ｈｋｌ）}との差△θ_{ａ（ｈｋｌ）}（＝θ_{ａ（ｈｋｌ）}−θ_{ａ０（ｈｋｌ）}）と、の差△θ_ｚ（ｈｋｌ）（＝△θ_ｔ−△θ_{ａ（ｈｋｌ）}）がいずれも−０．２°〜０．２°の表面被覆部材１である。 （もっと読む）

【課題】ＺｎＯ基板上へＺｎＯ系半導体結晶を１０００℃よりも高い高温で成長可能なホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置を提供する。
【解決手段】ＺｎＯ基板４０上に亜鉛含有ガスと酸素含有ガスを混合した反応ガスを導入して、ＺｎＯ基板４０上にＺｎＯ系半導体層４６を結晶成長する工程を有し、亜鉛含有ガスの分圧は、１×１０^-4気圧以下、結晶成長温度は１０００℃以上、ＶＩ族元素とＩＩ族元素の供給比ＶＩ／ＩＩは１以上〜１００以下であるホモエピタキシャル結晶装置および半導体装置。 （もっと読む）

【課題】キャリアガスの供給側と処理容器側との差圧を小さくすることによりパーティクルの発生を抑制することが可能なガス供給装置である。
【解決手段】原料貯留槽６８内の原料ガスをキャリアガスを用いて処理容器４へ供給する原料ガス供給系を有するガス供給装置６０において、原料貯留槽内へキャリアガスを導入するキャリアガス通路７８と、原料貯留槽と処理容器とを連結してキャリアガスと原料ガスを流す原料ガス通路７０と、原料ガス通路に接続されて圧力調整ガスを供給する圧力調整ガス通路９２と、圧力調整ガスの処理容器への供給を始めると同時にキャリアガスにより原料貯留槽から原料ガスを処理容器内へ供給することを始める第１の工程を開始し、その後、圧力調整ガスの供給を停止する第２の工程を行うように開閉弁を制御する弁制御部１１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】質量密度の高い絶縁膜の製造方法を提案すること。
【解決手段】絶縁膜の製造方法は、基板の上に絶縁膜を形成するステップと、その絶縁膜を処理するステップとを備えている。絶縁膜は、ＳｉとＯとを含んでおり、たとえばＳｉＯ₂膜である。第２のステップでは、絶縁膜の温度を５５１℃以上５７４℃以下として、活性状態の希ガスと活性状態の酸素とを絶縁膜に供給する。 （もっと読む）

【課題】改良された靭性特性を有するＣＶＤ被覆インサートを提供する。
【解決手段】本発明は、５０〜３９０Ｍｐａの低引張応力レベルを有するＴｉＣ_ＸＮ_Ｙ層と、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）技術によって測定される平均Ｒａが０．１２μｍ以下の高い表面平滑度を有するＡｌ_２Ｏ_３と備えるＣＶＤ被覆切削工具インサートに関する。本発明は、被膜に非常に激しい湿潤吹き付け処理を施すことによって達成される。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの利用効率及び置換効率を高めると共に、処理対象物以外に付着した薄膜の処理を容易にする真空成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】複数の原料ガスを交互にパルス的に反応室に供給し、昇降自在の支持ステージ上に載置される処理対象物Ｓ上に成膜する真空成膜装置１であって、開閉自在の天板１１ａを備えた外チャンバー１１と、外チャンバー１１内の下方部分に設置され、開閉自在の天板１２ａを備えた内チャンバー１２との二重構造チャンバーにより構成されており、内チャンバー１２内に原料ガスを供給するガスノズル１５が処理対象物Ｓの表面に対して平行になるように内チャンバー１２内に設けられており、内チャンバー１２内のガスの排出径路に、成膜に寄与しなかった原料ガスを導入するトラップが設けられており、その下流側に真空成膜装置１内の圧力を調整するための圧力調整用バルブ及び排気系が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ（量）を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室１２と、プラズマ生成室１２に連通して設けられて処理対象である基板Ｓを保持するステージ３１が設けられた処理室１３と、を備え、プラズマ生成室１２で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置１０であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段５０を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】トレンチ埋め込みエピタキシャル成長の制御パラメータを変更した際にエピタキシャルの成長反応の変化傾向を簡便に知ることができ、結果として、最適な成長条件を簡便に見つけ出すことが可能な、トレンチ埋め込みエピタキシャル成長条件の最適化方法を提供する。
【解決手段】シリコンソースガスにエッチングガスを混合した混合ガスを原料ガスとし、この原料ガスをＨ₂キャリアガスで流通させることにより、シリコン基板表面に形成したトレンチ内部にエピタキシャル層を成長させてトレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む工程を含む半導体基板の製造方法における、トレンチ内部をエピタキシャル層で埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件を求める方法であって、ある特定のアスペクト比のトレンチ内部を埋め込む際のエピタキシャル成長の最適条件をエピタキシャル成長速度のＨ₂キャリアガスの流量依存性により求めることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板保持具に棚状に積載された複数枚の基板に対して、互いに反応する複数種類の処理ガスを順番に供給して成膜処理を行うにあたり、処理ガスを切り替える時の雰囲気を容易に置換すること。
【解決手段】Ｚｒ系ガスやＯ_３ガスなどの処理ガスを反応管１２内に供給するためのガス吐出口５２の各々形成された第１のガスインジェクター５１ａ、５１ｂとは別に、反応管１２の長さ方向に沿うようにスリット５０の形成された第３のガスインジェクター５１ｃを設けて、処理ガスを切り替える時には、このスリット５０から反応管１２内にパージガスを供給して当該反応管１２内の雰囲気を置換する。 （もっと読む）