【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Ａｌ_２Ｏ_３層は、下部領域、中間領域および上部領域の３領域から構成され、各領域について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、０〜９０度の範囲内における（０００１）面の法線の傾斜角度数分布を求めた場合、下部領域は、８０〜９０度の範囲内の度数合計が６０％以上、また、中間領域は、７０〜８０度の範囲内の度数合計が６０％以上、さらに、上部領域は、０〜１０度の範囲内の度数合計が６０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料９と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス２３と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板６表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 （もっと読む）

【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ５２上の基板Ｗを加熱しつつ、ステージ５２と対向するガスヘッド５３から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第１の成膜用ガスが基板Ｗの中央に供給され、複数の金属元素を第１の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第２の成膜用ガスが基板Ｗの周縁に供給されることで、基板Ｗ上に薄膜が製造される。チャンバ５１内では基板Ｗ上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第１の成膜用ガスと第２の成膜用ガスとによって、基板Ｗ上のガスの分布を最適化することができる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン１ａから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン２ａから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン２ｂより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン１ｂより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ化合物に対する要求特性を好バランスで具備し、蒸気圧が高く、低温での成膜が可能であり、更に、立体構造への成膜も可能な有機白金化合物を提供する。
【解決手段】化学蒸着法により白金薄膜又は白金化合物薄膜を製造するための有機白金化合物において、次式で示される、２価の白金にシクロオクタジエン及びアルキルアニオンが配位した有機白金化合物である。ここで、Ｒ_１とＲ_２とが、プロピルとメチル、プロピルとエチル、又はエチルとメチルの組合せのいずれかのものが特に好ましい。


（Ｒ_１、Ｒ_２はアルキル基であり、Ｒ_１とＲ_２とは相違する。また、Ｒ_１、Ｒ_２の炭素数は合計で３〜５である。） （もっと読む）

【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに１回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート１０７を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材３９と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具８であって、前記電極部材は、プラズマＣＶＤ装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】３価のＡ元素と、４価のＢ元素と、酸素Ｏとを含有し、組成式がＡ_xＢ₆Ｏ_1.5X+12（ただし、６≦Ｘ≦３０）で表される複合酸化物からなる膜のＡ／Ｂ組成比を所望の値に制御するとともに、該膜を薄膜として得る。
【解決手段】メインチャンバ３２に、例えば、酸化剤、Ｌａ（Ａ元素）供給源、Ｓｉ（Ｂ元素）供給源をそれぞれ収容した第１、第２及び第３原料ボトル３４、３６、３８を接続する。メインチャンバ３２の室内へのＬａ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージ、Ｓｉ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージを行うことにより、Ｓｉ（１００）等からなる基板１２上に、Ｌａ₂Ｏ₃膜、ＳｉＯ₂膜を順次積層する。Ｌａ源とＳｉ源の供給回数比を調節することにより、最終的に得られるＬａ_xＳｉ₆Ｏ_1.5X+12におけるＬａ／Ｓｉ組成比を制御することができる。なお、Ｌａ源、Ｓｉ源及び酸化剤は、基板１２の水平な上端面に対して平行に流通する。 （もっと読む）

【課題】堆積チャンバ及び上記チャンバに結合されている蒸発器を備え、化学蒸着を遂行するための堆積システムを提供する。
【解決手段】１つの面において、蒸発器は、キャリヤーガスと液体前駆体とを混合するための比較的短い混合用通路を有している。混合用通路は、液体前駆体の細かいエアロゾル状の分散体を発生し、この分散体はホットプレートに２８０よって気化される。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム電池等に応用可能な電極用薄膜の製造方法、当該方法により製造される電極用薄膜、及び当該電極用薄膜を備える電池を提供する。
【解決手段】化学気相蒸着法により、電極用薄膜の原料を、５５０〜１０００℃の基材に蒸着させる工程を有することを特徴とする、電極用薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】原料収率の向上を図るとともに、超電導用基材の表面への超電導層の成膜を安定して行うことができるＣＶＤ装置、及び、超電導線材の製造方法を提供すること。
【解決手段】原料ガスを噴出する原料ガス噴出部４１と、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱によりテープ状基材Ｔを加熱するサセプタ３３と、サセプタ３３を加熱するヒータ３５と、原料ガス噴出部４１から噴出された原料ガスをテープ状基材Ｔの表面に案内する延長ノズル４３とを備え、テープ状基材Ｔの幅方向における両側にダミーテープＳが配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高品質なルテニウム薄膜を製造することができる有機ルテニウム化合物を提供する。
【解決手段】下記化学式で示されるドデカカルボニルトリルテニウムからなる化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物において、鉄（Ｆｅ）の濃度が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする化学蒸着原料用の有機ルテニウム化合物。
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【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^1、2及び5が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの濃度の低下を抑制する。
【解決手段】原料ガス発生装置１０１は、容器１１１内の固体原料１０２を加熱し、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生させる。通気管１１３を介して容器１１１内に導入されたキャリアガスは、ガス拡散部材１１５の拡散体１３１により拡散され、開口部１１５Ａから鉛直下方向に噴出される。固体原料１０２から発生した原料ガスは、キャリアガスとともに固体原料１０２の上方から、通気管１１６を介して容器１１１の外に排出される。本発明は、例えば、ＣＶＤ加工用の原料ガスを発生する原料ガス発生装置に適用できる。 （もっと読む）