【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料９と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス２３と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板６表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 （もっと読む）

【課題】３価のＡ元素と、４価のＢ元素と、酸素Ｏとを含有し、組成式がＡ_xＢ₆Ｏ_1.5X+12（ただし、６≦Ｘ≦３０）で表される複合酸化物からなる膜のＡ／Ｂ組成比を所望の値に制御するとともに、該膜を薄膜として得る。
【解決手段】メインチャンバ３２に、例えば、酸化剤、Ｌａ（Ａ元素）供給源、Ｓｉ（Ｂ元素）供給源をそれぞれ収容した第１、第２及び第３原料ボトル３４、３６、３８を接続する。メインチャンバ３２の室内へのＬａ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージ、Ｓｉ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージを行うことにより、Ｓｉ（１００）等からなる基板１２上に、Ｌａ₂Ｏ₃膜、ＳｉＯ₂膜を順次積層する。Ｌａ源とＳｉ源の供給回数比を調節することにより、最終的に得られるＬａ_xＳｉ₆Ｏ_1.5X+12におけるＬａ／Ｓｉ組成比を制御することができる。なお、Ｌａ源、Ｓｉ源及び酸化剤は、基板１２の水平な上端面に対して平行に流通する。 （もっと読む）

【課題】薄膜リチウム電池等に応用可能な電極用薄膜の製造方法、当該方法により製造される電極用薄膜、及び当該電極用薄膜を備える電池を提供する。
【解決手段】化学気相蒸着法により、電極用薄膜の原料を、５５０〜１０００℃の基材に蒸着させる工程を有することを特徴とする、電極用薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】めっき液への溶解性が低く、かつ単膜でＣｕ拡散のバリア性にも優れたコバルト膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】炭素含有コバルト膜の成膜方法は、成膜装置１００の処理容器１内にウエハＷを搬入し、ステージ３上に配置する工程と、処理容器１内の圧力及びウエハＷの温度を調節する工程と、処理容器１内にＣｏ_２（ＣＯ）_８とアセチレンとをそれぞれ供給して処理容器１内で混合し、ＣＶＤ法によりウエハＷの表面に炭素含有コバルト膜を堆積させる工程と、成膜原料の供給を停止し、処理容器１内を真空引きする工程と、処理容器１内からウエハＷを搬出する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させて気体原料とし、これを基板Ｗに至るまでＣｏ_４（ＣＯ）_１２が生成されないようにして基板Ｗに供給し、前記基板上で熱分解によりＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてＣｏ_２（ＣＯ）_８を用いてＣｏ膜を成膜する場合に、Ｃｏ膜の針状の異常成長を抑制することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、基板Ｗの温度を１６０〜３００℃とし、処理容器１内に気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_２（ＣＯ）_８を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜８１中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】単膜でＣｕ拡散のバリア膜及びめっきシード層として機能するとともに、Ｃｕとの密着性にも優れた金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】金属薄膜の成膜方法は、Ｔｉ膜を成膜する工程（ＳＴＥＰ１）、Ｔｉ膜上にＣｏ膜を形成する工程（ＳＴＥＰ２）、Ｔｉ膜及びＣｏ膜を熱処理してＣｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜を形成する工程（ＳＴＥＰ３）を備えている。Ｃｏ_３Ｔｉ合金を含む金属薄膜は、優れた導電性とＣｕ拡散バリア性を有し、Ｃｕとの格子不整合が０．１５％と非常に小さいため、Ｃｕ配線と優れた密着性が得られる。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、段差被覆性が良好でかつ再現性高くＣｏ膜を成膜することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に単一原料として気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２を供給し、基板Ｗ上でＣｏ_４（ＣＯ）_１２を熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜する。このとき、成膜原料として固体原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を用い、これをＣｏ_２（ＣＯ）_８の分解開始温度未満の温度で気化させ、これにより生成された気体状のＣｏ_２（ＣＯ）_８をＣｏ_４（ＣＯ）_１２が安定に存在する温度にして気体状のＣｏ_４（ＣＯ）_１２に変化させ、処理容器１内に供給する。または、成膜原料として固体原料であるＣｏ_４（ＣＯ）_１２を用い、これを気化させて処理容器１内に供給する。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトカルボニルを用いてＣｏ膜を成膜する場合に、下地との密着性を良好にすることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを配置し、処理容器１内に気体状のコバルトカルボニルを供給し、基板Ｗ上でコバルトカルボニルを熱分解させて基板Ｗ上にＣｏ膜を成膜するにあたり、基板ＷのＣｏ膜の下地が、Ｃｏ膜との界面近傍に混合層を形成する材料で構成されており、基板Ｗの加熱温度を１９０〜３００℃とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスにおける電子的連結及び磁気情報記録装置における磁気抵抗に好適な、均一な厚さを有しかつ細孔での優れたステップカバレッジを有する薄膜を提供する。
【解決手段】銅(Ｉ)Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネートの蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上に銅の金属薄膜を析出させる。コバルト(ＩＩ)ビス(Ｎ,Ｎ’−ジイソプロピルアセトアミジネート)の蒸気と水素ガスとを交互に投与する複数回分の投与量を順次反応させて、加熱基板上にコバルトの金属薄膜を析出させる。これら金属の窒化物及び酸化物の薄膜は、前記水素をそれぞれアンモニア又は水蒸気に代えることによって形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】膜中及び膜表面の不純物が効果的に除去でき、Ｃｕ配線構造に適用したときにバリア層及びＣｕ配線層に対する密着性に優れて一層の低抵抗を実現できるＣｏ膜形成方法を提供する。
【解決手段】基材Ｓを処理室１０内に配置して処理室内を真空引きすると共に、基材を一の所定温度に加熱し、アルキル基を有するイオン又は分子がコバルトに配位した有機金属材料Ｌを気化させ、気化させた有機金属材料を基材表面に供給し、有機金属材料を熱分解させてＣｏ膜を成膜する。その後、同一の処理室内で、またはＣｏ膜が成膜された基材を他の処理室内に配置し、この基材をアンモニアガスと水素ガスとを含む混合ガス雰囲気中にて他の所定温度でアニールする。 （もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）

集積回路に使用する銅線のための集積回路用相互接続構造およびこれを作る方法が提供される。Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層が、線からの銅の拡散に対しバリアを形成し、それにより、絶縁体の早期絶縁破壊を防ぎ、銅によるトランジスタの劣化を保護する。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有層は、銅と絶縁体の間の強い接着を促進し、その結果、製造と使用中のデバイスの機械的健全性を保ち、さらに、デバイスの使用中の銅のエレクトロマイグレーションによる故障を防ぎ、また、環境からの酸素または水による銅の腐食を防ぐ。このような集積回路の形成に関しては、本発明の特定の実施形態により、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏを銅表面上に選択的に堆積させ、一方で、絶縁体表面上のＭｎ、Ｃｒ、Ｖ、またはＣｏの堆積を減らす、または防ぎさえもする方法が提供される。また、Ｍｎ、Ｃｒ、またはＶ含有前駆物質およびヨウ素または臭素含有前駆物質を使った銅の触媒堆積も提供される。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）に対してより格子ミスマッチの少ないバッファ層を形成することで、高品位（高品質）な炭化珪素単結晶膜を形成した半導体基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 （もっと読む）

【課題】成膜原料として用いるＣｏ_２（ＣＯ）_８を気相供給する際に、その分解を極力抑制して不純物の少ないＣｏ膜を再現性よく成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】成膜装置は、チャンバー１と、チャンバー内でウエハＷを加熱するためのヒーター５と、チャンバー１外に配置された、成膜原料としてコバルトカルボニルを収容する成膜原料容器３１と、成膜原料容器３１から気体状のコバルトカルボニルをチャンバー１に供給するための配管４３と、チャンバー１内を減圧排気する排気機構２３と、成膜原料容器３１から配管４３を介してチャンバー１に気体状のコバルトカルボニルを供給するための手段３８と、原料容器３１および配管４３の温度をコバルトカルボニルの分解開始温度未満に制御する温度コントローラ６０と、原料容器３１内にＣＯガスを供給する手段３７とを具備する。 （もっと読む）