【課題】 処理室内の異物を低減することで、基板処理の品質を向上させ、生産歩留りを改善する。
【解決手段】 基板を処理する処理室と、基板を保持し、処理室内外に搬送される基板保持具と、基板保持具への基板の装填、又は基板保持具からの基板の脱装が行われる移載室と、移載室内の基板保持具に、不活性ガスを噴射するノズルを備える不活性ガス供給機構と、処理室内から移載室内に搬出されて基板が脱装された基板保持具に、ノズルから不活性ガスを噴射するように不活性ガス供給機構を制御する制御部と、を備え、ノズルは、上方から下方に向かって角度をつけて不活性ガスを噴射する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程（ステップ１１）と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程（ステップ１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を向上させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板２０上に設けられたメモリトランジスタ４０と選択トランジスタ５０を有する。メモリトランジスタ４０は、導電層４１ａ〜４１ｄ、メモリゲート絶縁層４３、柱状半導体層４４、及び酸化層４５を有する。導電層４１は、メモリトランジスタ４０のゲートとして機能する。メモリゲート絶縁層４３は、導電層の側面に接する。半導体層４４は、導電層と共にメモリゲート絶縁層４３を一方の側面で挟み、半導体基板２０に対して垂直方向に延び、メモリトランジスタ４０のボディとして機能する。酸化層４５は、半導体層４４の他方の側面に接する。半導体層４４は、シリコンゲルマニウムにて構成される。酸化層４５は、酸化シリコンにて構成される。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。新規のシリルアンチモン化合物もまた開示される。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くする。
【解決手段】基板処理装置１では、酸化膜除去部４にて基板９の一の主面上のシリコン酸化膜が除去された後、シリル化処理部６にてシリル化材料を付与して、当該主面に対してシリル化処理が施される。これにより、シリコン酸化膜の除去後、シリコンゲルマニウム膜の形成までのＱタイムを長くするとともに、シリコンゲルマニウム膜の形成におけるプリベイクの温度を低くすることができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法の提供。
【解決手段】本シリコン基板上に高電子移動度トランジスタを成長させた構造及びその方法は、半導体産業において半導体装置製造に用いられる。本発明によると、ＵＨＶＣＶＤシステムを使用してGeフィルムをSi基板上に成長させ、その後、高電子移動度トランジスタを該Geフィルム上に成長させることで、バッファ層の厚さとコストを低減する。該Geフィルムの機能は、Si基板上にＭＯＣＶＤによりIII-Ｖ ＭＨＥＭＴ構造を成長させるときに、シリコン酸化物の形成を防止することである。本発明においてＭＨＥＭＴを使用する理由は、ＭＨＥＭＴ構造中の変成バッファ層がGeとSi基板間の非常に大きな格子不整合度のために形成される貫通転位をブロックし得ることにある。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】高温処理においても、サセプタ変形を抑制することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板が載置された載置体と、前記載置体が複数支持された載置体支持具と、前記載置体支持具が収容される反応管と、前記反応管の外側に設けられ、前記反応管内に収容された基板を加熱する加熱部とを備え、前記載置体の、前記基板と接触する面と前記載置体支持具と接触する面が、同じ粗さに表面加工されるように基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。
【解決手段】オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。
【解決手段】これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムを含む薄膜の成膜処理をした後に、ゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜処理する場合に、後の成膜処理におけるゲルマニウム汚染を抑える熱処理装置の運転方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを保持具２５に保持させて反応容器２内に搬入し、熱処理を行う熱処理装置１の運転方法において、反応容器２内に処理ガスを供給すると共に反応容器２内を加熱して、被処理体Ｗにゲルマニウムを含む薄膜を成膜する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗが搬入されていない状態クリーニングガスを供給して前記反応容器２内に成膜された薄膜を除去する工程と、酸化ガスと、水素ガスとを反応容器２内に供給すると共に加熱して活性化されたガスにより反応容器２内に存在するゲルマニウムを除去する工程と、反応容器２内に被処理体Ｗを搬入して処理ガスを供給すると共に加熱して、被処理体にゲルマニウムが汚染物質となる薄膜を成膜する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマＣＶＤ装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離（Ｅ／Ｈ）、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離（Ｅ／Ｓ）の差Ｄ＝（Ｅ／Ｓ）−（Ｅ／Ｈ）が、
２ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、かつ該距離（Ｅ／Ｓ）が、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳトランジスタのソース−ドレイン置換技術に関し、装置一式を利用して基板材料に窪みをエッチングして、その後、応力を有する異なる材料を堆積することに関し、大気に曝すことなく、エッチングとその後の堆積とを行う方法の提供。
【解決手段】エッチングおよびデポジションによりＣＭＯＳトランジスタの接合領域を形成する方法であって、
第１接合領域２７０を形成すべくゲート電極１９０の隣の基板１２０の第１箇所と、前記基板１２０に第２接合領域２８０を形成すべく前記ゲート電極１９０を介して前記第１箇所とは反対側に位置する前記基板１２０の第２箇所とを除去する工程と、前記第１接合領域２７０と前記第２接合領域２８０とに結晶質材料のエピタキシャル厚みを有する層を形成する工程とを含み、前記除去する工程と前記形成する工程は同一のチャンバ内で前記チャンバの封止を破ることなく行う。 （もっと読む）

【課題】シリコンやゲルマニウムのようなＩＶ族半導体材料を、半導体表面上に、絶縁表面上への堆積無しに選択的に堆積する方法を提供する。
【解決手段】半導体プロセスで半導体材料の選択成長を行う方法が、第１領域１１と第２領域１２とを含むパターニングされた基板１０を提供する工程を含み、第１領域１１は露出した第１半導体材料を含み、第２領域１２は露出した絶縁材料を含む。この方法は、更に、第２半導体材料の前駆体、Ｃｌ化合物とは応性しないキャリアガス、および錫テトラクロライド（ＳｎＣｌ_４）を供給することにより、第１領域の第１半導体材料の上に第２半導体材料の膜を選択的に形成する工程を含む。錫テトラクロライドは、第２領域の絶縁材料上への第２半導体材料の堆積を阻害する。 （もっと読む）

【課題】特性の良い半導体薄膜を高速且つ安価に製造することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜製造装置は、成膜室３１に導入した複数の原料ガスをプラズマCVDにより基板上に成膜する薄膜製造装置において、前記複数の原料ガスを、各々の固体の原料をプラズマエッチングによりエッチングガスと反応させることで生成する原料ガス生成室１２及び２２と、前記原料ガス生成室１２及び２２内の圧力が、5000Pa以上大気圧以下、前記成膜室３１内の圧力が500Pa以下となるように、それぞれの圧力を調整する圧力コントローラ１９、２９及び３９と、前記原料ガス生成室１２及び２２と前記成膜室３１の圧力差を維持しつつ、前記原料ガス生成室で生成された原料ガスを前記成膜室に導入するためのニードルバルブ１７及び２７と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 流体圧作動弁の動作遅延や動作不良を防ぎ、応答速度を均一化させ、基板処理の品質を向上させる。
【解決手段】 基板を処理する処理室内への処理ガスの供給を制御するガス供給ユニットを備える基板処理装置であって、ガス供給ユニットは、上流側が処理ガスの供給源に接続され、下流側が処理室内へ連通するガス導入配管に接続されるガス供給流路と、ガス供給流路上に設けられ、流体配管を介した流体の供給により開閉が制御される流体圧作動弁と、制御信号を受信する信号受信部及び流体配管内に流体を供給する流体出力部を有し、信号受信部が受信した制御信号に基づいて流体配管を介した流体圧作動弁への流体の供給を制御する電磁弁と、少なくともガス供給流路及び流体圧作動弁の外部を気密に囲う気密筐体と、を備え、電磁弁は気密筐体に直接固定されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも１層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも１層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率（炭素の原子比）との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件（ｉ）〜（ｉｉ）：
（ｉ）前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
（ｉｉ）前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる１種以上の元素（ただし、珪素を除く）の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより組成の制御性がよく、平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料、または、それらに加えてＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５が形成されない程度の少量の気体状のＴｅ原料を、前記処理容器内に導入して基板上に、Ｔｅを含有しないかまたはＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５よりも少ない量のＴｅを含有する前駆体膜を形成する工程（工程２）と、気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入し、前駆体膜にＴｅを吸着させて膜中のＴｅ濃度を調整する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）