【課題】基板温度の低温下を達成しつつ、成膜速度が向上された金属薄膜の成膜方法および金属薄膜成膜用原料を提供する。
【解決手段】アミジナート配位子を有する金属薄膜原料９と、窒素原子および水素原子を有する反応ガス２３と、を用いて、前記金属薄膜原料と前記反応ガスを交互または同時に基板６表面に供給することにより、低不純物の金属薄膜を成膜する金属薄膜の成膜方法を提供する。また、窒素原子および水素原子を有する反応ガスとともに用いられることで金属薄膜を成膜する金属薄膜成膜用原料であって、アミジナート配位子を有する金属薄膜成膜用原料。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜を成膜する際に、金属薄膜材料の蒸気圧を向上させて、単位時間当たりの有機金属の供給量を増大させるとともに、配管へ吸着した原料を効率よくパージする金属薄膜材料および金属薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】コバルトに金属原子が環状炭化水素を含み、炭素、窒素、水素ならびに金属元素のみからなり、酸素を含まない構造であることを特徴とする金属薄膜材料を提供する。また、そのような金属薄膜材料の蒸気を基板表面に搬送し、窒素を含有する反応性ガスを、前記金属薄膜材料の蒸気と同時または順次に基板表面に供給することを特徴とする金属薄膜の成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】反応室内に原料ガスと還元ガスとを夫々導入し、反応室に設置した基板表面に気相からの析出により成膜する際に液体原料を気化して反応室内に導入する原料ガスとする液体原料の気化方法において、気化室の所定温度下での気化効率を効果的に向上させることができ、その上、反応室内での原料ガスの分圧を高くできるようにする。
【解決手段】気化室２２に通じる原料供給路３２、４２を介して、液体原料を供給すると共に、気化室を臨む原料供給路の導入口周辺からキャリアガスを噴射することで、液体原料を気化室内に噴霧し、この噴霧された液体原料を、所定温度に加熱された気化室内での熱交換により気化し、この気化された原料ガスを当該気化室に開設した排出口から排出する。原料供給路内で液体原料に所定流量で還元ガスを混合して気液混合状態とし、この状態で前記導入口から気化室に噴射する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより不純物の少ないニッケル膜を高スループットで成膜することができるニッケル膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして、アンモニア、ヒドラジン、およびこれらの誘導体から選択された少なくとも１種を用いたＣＶＤにより初期ニッケル膜を成膜する第１工程と、初期ニッケル膜の上に、成膜原料として、分子構造中に窒素−炭素結合をもつ配位子を有し、配位子中の窒素がニッケルに配位した構造を有するニッケル含有化合物を用い、還元ガスとして水素ガスを用いたＣＶＤにより主ニッケル膜を成膜する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】液体原料の気化効率を向上させ、パーティクルの付着を防止する。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３８をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３８は多孔質材により構成される。 （もっと読む）

【課題】融点が低く液体の状態で輸送が可能であり且つ蒸気圧が大きく気化させやすく、ＣＶＤ法等の化合物（プレカーサ）を気化させて薄膜を形成する方法において用いる薄膜形成用原料として好適なニッケル化合物を提供すること。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表されるアルコキシド化合物。
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【課題】 成膜温度、成膜圧力、還元ガスの使用量・使用割合等の成膜条件を設定することにより、所望の物性を有する利用範囲の広いＮｉ膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】 真空槽の中でＳｉ基板を一定温度に保持してニッケルアルキルアミジナート（但し、アルキルは、メチル基、エチル基、ブチル基及びプロピル基から選ばれる。）とＨ_２とＮＨ_３とをこの真空槽内に導入し、ＣＶＤ法でＮｉ膜を形成する方法であって、成膜温度が２８０℃より高く３５０℃以下であること。 （もっと読む）

【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの長時間の大量供給を確保することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】ウェハを収容して処理する処理室と、液体原料をキャリアガスによるバブリングにより気化させるバブラ２２０ａと、バブラ２２０ａにて液体原料を気化させることで生成された原料ガスを処理室内に供給する原料ガス供給管２１３ａとを有し、バブラ２２０ａは液体原料を収容する容器と、容器内に収容された液体原料内にその先端部分が浸され、液体原料内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給管２３７ａとを有する基板処理装置において、キャリアガス供給管２３７ａから液体原料内に供給されたキャリアガスを水平方向に拡散させる拡散板２３７をバブラ２２０ａ内の底部に敷設し、拡散板２３７には水平方向に拡散させたキャリアガスを複数箇所から上方に向かって噴出させる複数の噴出孔２３９を設ける。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を収容する工程と、処理容器内にニッケルと不純物とを含む原料を供給する工程と、処理容器内に不活性ガスを供給する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことにより、基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】平坦なＮｉＰｔシリサイド層を形成する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用いて、シリコン層２６（ゲート），２９（ソース・ドレイン）上にＰｔ層を形成する。次いで、ＣＶＤ法を用いて、Ｐｔ層上にＮｉ層を、Ｐｔ層より厚く形成する。次いで、シリコン層２６，２９、Ｐｔ層、及びＮｉ層を熱処理することにより、ＮｉＰｔシリサイド３３を形成する。Ｐｔ層の平均膜厚が０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であるのが好ましい。またシリコン層は、例えばＭＩＳＦＥＴのソース・ドレインである。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜において基板の侵食を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウエハ１４を処理室９２に搬入する第１の工程と、第１の原料としての固体金属６６を収容する生成室６２に、第２の原料としての塩素含有物と第３の原料としての励起ガスを供給し、プラズマ励起して金属塩化物を生成する第２の工程と、前記第２の工程により生成した金属塩化物を前記処理室９２に供給する第３の工程と、第４の原料としての還元性ガスを前記処理室９２に供給する第４の工程と、ウエハ１４を前記処理室９２から搬出する第５の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した金属錯体、及び当該金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法を提供する。
【解決手段】一般式（１）


（式中、Ｘは、一般式（２）


で示されるジアルキルアルコキシメチル基（式中、Ｒ^ａ、Ｒ^ｂ及びＲ^ｃは、それぞれ独立に、炭素原子数１〜５の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）、Ｙは、一般式（２）で示される基又は炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基、Ｚは、水素原子又は炭素原子数１〜４の直鎖又は分枝状のアルキル基を示す。）で示されるβ−ジケトナト配位子を有する金属錯体。 （もっと読む）

【課題】低融点を有し、且つ、熱に対しての安定性に優れるとともに、ＣＶＤ法による成膜に適した有機金属錯体、及び当該有機金属錯体を用いた金属含有薄膜の製造法の提供。
【解決手段】式（１）


（式中、Ｍは、金属原子を示し、Ｘは、アルコキシアルキル部位を１〜２個有するアルキル基で、Ｙは、Ｘ置換基に加え、炭素原子数１〜８の直鎖又は分枝状のアルキル基であり、Ｚは、水素原子などを示す。ｍは、配位子の数を示し、金属Ｍの価数に等しい。）で示されるアルコキシアルキル基を有するβ−ジケトナトを配位子とすることを特徴とする有機金属錯体。 （もっと読む）

【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハＷが載置された処理容器１５０と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Ｍｂを処理容器１５０内に放出する超音波噴霧器１１０と、放出された金属塩溶液の液滴Ｍｂが処理容器１５０の内部をウエハＷに向けて移動する際に通過する空間Ａに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂを熱分解する温度調整器１５２とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 （もっと読む）

【課題】 Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理容器内に基板を搬入する工程と、処理容器内で基板を加熱する工程と、処理容器内に還元性ガスを供給し排気して、加熱された状態の基板に対して前処理を行う工程と、処理容器内に不活性ガスを供給し排気して、処理容器内に残留する還元性ガスを除去する工程と、還元性ガスを除去した処理容器内にニッケルを含む原料を供給し排気して、前処理がなされた加熱された状態の基板上に所定膜厚のニッケルを含む膜を形成する処理を行う工程と、処理容器内から処理済基板を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜に隣接して設けられた金属膜と、を有し、金属膜は、第１の金属膜と第２の金属膜との積層構造を有しており、第１の金属膜は第２の金属膜よりも耐酸化性が高い物質で構成され、第２の金属膜は４．８ｅＶよりも高い仕事関数を有する第１の金属膜とは異なる物質で構成され、第１の金属膜は第２の金属膜と絶縁膜との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】カルボニル含有配位子を含む特定の有機金属化合物を使用する金属含有膜を蒸着する方法を提供する。
【解決手段】蒸着反応器内に基体を提供し；式［Ｒ２Ｒ１Ｎ（ＣＯ）］ｎＭ＋ｍＬ１（ｍ−ｎ）／ｐＬ２ｑ（式中、Ｒ１およびＲ２は独立して選択され、；Ｘ＝ＮまたはＰ；Ｍ＝第７族〜第１０族金属；Ｌ１＝負の電荷ｐを有するアニオン性配位子；Ｌ２＝中性配位子；ｍ＝Ｍの価数；ｎ＝１〜６；ｐ＝１〜２；ｑ＝０〜４；並びにｍ≧ｎである）の有機金属化合物を気相で反応器に運び；並びに、有機金属化合物を分解させて、基体上に金属含有膜を堆積させる；ことを含む、金属含有膜を堆積させる方法。 （もっと読む）

【課題】成膜原料としてコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを用いて、低温でかつ表面状態および膜中不純物が残存しにくい、膜質の良好なＣｏ膜、Ｎｉ膜を成膜することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１内に基板Ｗを収容し、処理容器内にコバルトアミジネートまたはニッケルアミジネートを含む成膜原料とカルボン酸を含む還元剤とを気相状態で導入して、基板上にＣｏ膜またはＮｉ膜を成膜する。また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体。 （もっと読む）