【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】工程が煩雑になることなく、埋め込み部分のボイドやシームを解消することができるタングステン膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内において、ホールを有する基板にＣＶＤによりタングステン膜を成膜してホール内にタングステンの埋め込み部を形成する工程と、同じ処理容器内にエッチングガスとしてＣｌＦ_３ガスまたはＦ_２ガスを供給して埋め込み部の上部をエッチングし、開口を形成する工程と、開口が形成された埋め込み部を有する基板に対して同じ処理容器内において、ＣＶＤによりタングステン膜を成膜する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 タングステン膜を成膜する際に半導体ウェーハがエッチングされることを抑制する成膜装置及び成膜方法を提供することである。
【解決手段】 実施形態に係る成膜装置は、半導体ウェーハを載置するためのステージと、前記ステージ上に載置される半導体ウェーハの周縁部を覆うように配置されるエッジカット部を備え、前記半導体ウェーハ上にタングステン膜を成膜する。前記エッジカット部は、前記半導体ウェーハの周縁部と接触可能に設けられた第１のエッジカット部と、前記第１のエッジカット部に接続され、前記半導体ウェーハと実質的に垂直な方向に上下動可能な接続部と、前記接続部に接続され、前記接続部の上下動により前記半導体ウェーハの内側面に当接するように配置された第２のエッジカット部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】反応管が石英で構成されたホットウォール型の基板処理装置においても、基板上にタングステン含有膜を生産性よく形成することのできる基板処理技術を提供する。
【解決手段】石英で構成された反応管内に基板が搬入されてない状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にチタン含有ガスと窒素含有ガスとを供給して前記反応管の内壁に窒化チタン膜をプリコートする工程と、前記プリコート後の前記反応管内に基板を搬入する工程と、前記反応管内に基板が搬入された状態で、前記反応管内を加熱するとともに、前記反応管内にタングステン含有ガスを供給して前記基板上にタングステン含有膜を形成する工程と、前記タングステン含有膜を形成した基板を、前記反応管内から搬出する工程と、を行うようにした。 （もっと読む）

【課題】より良質な膜を形成する。
【解決手段】実施形態の膜形成方法は、下地の上に設けられた酸素及び窒素の少なくともいずれかを含む膜の表面に、酸素及び窒素の少なくともいずれかを含むイオン化されたガスクラスタを照射して、前記ガスクラスタを照射した後の前記膜の密度を前記ガスクラスタを照射する前の前記膜の密度よりも高くする。 （もっと読む）

【課題】従来技術によるティーチング方法では、位置を調整して、プロセスチャンバーを真空状態にして、位置のずれを顕微鏡で確認して、プロセスチャンバーを大気状態に戻して、また位置を調整する、という繰り返しを行うので、長い時間を必要とする上、気圧の変化を伴う作業は効率が悪い。さらに、顕微鏡を用いた作業者の目視による検査は、誤差が比較的大きい。
【解決手段】顕微鏡の代わりにＣＣＤカメラ３１を用い、ヒーターの基準位置に相当する第１の画像マーカーＡを用い、シャドウリング１８の中心位置の代わりに相当するアダプターリング調整治具１７に設けられた第２の画像マーカーＢを用いる。これら２つの画像マーカーＡおよびＢをＣＣＤカメラ３１にて測定し、アダプターリング調整治具１７の位置を調整する。 （もっと読む）

【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも１種類の金属が含有されたＤＬＣ被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が２０％以下であるＤＬＣ被膜。プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ被膜を製造するＤＬＣ被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するＤＬＣ被膜を成膜するＤＬＣ被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜したＷ膜の膜厚面内均一性を向上させることが可能であり、さらにはパーティクルの発生を減少させることが可能なＷスパッタリングターゲットおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ｗスパッタリングターゲットは、スパッタリングされる面のＸ線回折により得られた結晶面（１１０）のピークの半値幅が０．３５以下であることを特徴とする。また、本発明の高純度Ｗスパッタリングターゲットの製造方法は、高純度Ｗ粉末を加圧焼結後、得られた焼結体をターゲット形状に加工後、ロータリー研磨およびポリッシングの少なくとも１種の研磨を施し、さらにエッチングおよび逆スパッタリングの少なくとも１種の研磨を施すことにより仕上げ加工することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】副次的問題を発生させることなく、膜品質を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板を収容する処理室と、前記基板を積層して支持する基板支持具と、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記ガス供給手段を制御する制御部と、を有し、前記ガス供給手段は、前記複数の基板間に開口する複数のガス供給孔と、前記処理ガスを紫外線光により活性化する紫外線照射部を有する前記処理室内に前記基板の積層方向に沿って立設するノズルであって、前記制御部は、前記ガス供給孔から紫外線光とともに前記処理ガスを前記複数の基板間に供給して該処理ガスを励起するよう前記ガス供給手段を制御する。 （もっと読む）

【課題】 低コストで必要な仕事関数及び耐酸化性を有する金属膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に処理ガスを供給し排気することで、基板上に所定膜厚の金属膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、処理を行う工程では、金属膜を形成する途中もしくは金属膜を形成した後に処理容器内に酸素含有ガスおよび／または窒素含有ガスを熱またはプラズマで活性化して供給し排気することで、金属膜の底面もしくは表面を導電性の金属酸化層、導電性の金属窒化層または導電性の金属酸窒化層に改質する。 （もっと読む）

【課題】 β−ジケトネート配位子を有する有機金属組成物を含むような、ＣＶＤ前駆物質に対して広い効用を有する新規な溶剤組成物を提供すること
【解決手段】 溶剤種Ａ、Ｂ及びＣの混合物を含む、有機金属前駆物質の液体供給化学蒸着のための溶剤組成物であって、前記混合物の全容量に対して、Ａが約３〜約７容量部であり、Ｂが約２〜約６容量部であり、Ｃが約３容量部まで存在しているＡ：Ｂ：Ｃの比率を有し、ＡがＣ_６−Ｃ_８アルカンであり、ＢがＣ_８−Ｃ_１２アルカンであり、Ａ及びＢが互いに異なっており、Ｃがグライムを主成分とする溶剤（グライム、ジグライム、及びテトラグライム）及びポリアミンからなる群から選択される溶剤組成物。およそ５：４：１の重量比のオクタン、デカン及びポリアミンを含有する特定の溶剤組成物が、ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９フィルムの形成に特に有効に使用される。 （もっと読む）

【課題】低摩擦摺動材料用の潤滑油として用いた際に極めて低い摩擦係数を示す潤滑油組成物、及び前記潤滑油組成物とＤＬＣ皮膜を摺動面に有する摺動部材とを組み合わせることにより、低摩擦性かつ耐摩耗性に優れた摺動機構を提供すること。
【解決手段】分子内に、窒素（Ｎ）原子及び／又は酸素（Ｏ）原子を有し、硫黄（Ｓ）原子を有してもよい有機モリブデン化合物であって、硫黄含有量が、化合物基準で０．５質量％以下であることを特徴とする有機モリブデン化合物を含む、低摩擦摺動材料用潤滑油組成物、及びこれを用いた摺動機構である。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の再現性を向上させて高く維持することができると共に、成膜処理時に付着した反応副生成物の除去も短時間で容易に実施できるシャワーヘッド構造を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対して成膜処理を施すための処理容器２２の天井部に設けられて所定ガスを供給するシャワーヘッド構造８０であり、複数のガス噴射孔９４が開口された底部を有する有底筒体状に形成され、カップ形状の開口側に上記天井部への取り付け用接合フランジ部が一体的に形成されたヘッド本体８２と、上記ヘッド本体の底部に設けられて、該ヘッド本体のガス噴射部を所望の温度に調整するヘッド加熱部１００とを備え、低温下による再現性を向上させた成膜処理と高温下による反応副生成物の除去を行うシャワーヘッド構造である。 （もっと読む）

【課題】良好な均一性、および下部層に対して良好な接着性を有する低抵抗率のタングステン膜を形成する方法が提供される。
【解決手段】低温下でパルス核生成層プロセスを用いてタングステン核生成層を形成する。その後、バルクタングステン充てん物を堆積させる前に、成膜された核生成層を処理する。本処理により、堆積されるタングステン成膜の抵抗率が低減される。ある実施形態では、核生成層の成膜は、水素を利用せずに、ホウ素ベースの化学作用により行われる。またある実施形態では、処理は、核生成層を、還元剤およびタングステン含有前駆体の交互のサイクルに曝す工程を含む。 （もっと読む）

【課題】分散安定剤を使用せずに金属ナノ粒子を成膜する。
【解決手段】内部が真空状態に保持され、ウエハＷが載置された処理容器１５０と、金属含塩溶液を超音波により霧化し、霧化された金属塩溶液の液滴Ｍｂを処理容器１５０内に放出する超音波噴霧器１１０と、放出された金属塩溶液の液滴Ｍｂが処理容器１５０の内部をウエハＷに向けて移動する際に通過する空間Ａに配設され、放出された金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂを熱分解する温度調整器１５２とを備える。これにより、熱分解により金属塩溶液の霧状の液滴Ｍｂから生成された金属ナノ粒子ＭａをウエハＷに成膜する。 （もっと読む）

【目的】
専用の装置を必要とすることなく工程数を低減した半導体素子製造方法を提供する。
【構成】
ウエハ状の基板に少なくとも１つの半導体素子を製造する半導体素子製造方法であり、前記基板のウエハ表面上に少なくとも１層の膜をこれに対応する成膜材料を用いて成膜する成膜ステップと、当該成膜がなされたウエハ表面に不活性ガスを供給しつつ、当該成膜がなされたウエハの周囲に前記成膜材料に適合するエッチングガスを供給することによって、前記ウエハ表面以外のウエハ部分の膜除去を行う膜除去ステップと、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）