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Fターム[4K030BA24]の内容

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Fターム[4K030BA24]に分類される特許

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【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】 HVPE成長装置内の基板以外の部材への原料ガスによるGaPの析出数を制御することができるハイドライド気相成長方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 気相成長装置内で基板上に、III−V族化合物半導体層をハイドライド気相成長法によってエピタキシャル成長させる気相成長方法であって、前記III−V族化合物半導体層のエピタキシャル成長途中に、少なくとも1回該エピタキシャル成長を中断して前記気相成長装置内のガスエッチングを行うことを特徴とする気相成長方法。 (もっと読む)


【課題】本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。
【解決手段】これらの化合物は、式:(SiHn1)x(GeHn2)yによって定義される。式中、xは2,3または4であり;yは1,2または3であり;x+yは3,4または5であり;n1は、化合物中の各Si原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;n2は、化合物中の各Ge原子に関して独立に0,1,2または3であって原子価を満たし;但し、yが1のとき、n2は0ではなく;さらに、xが3、かつ、yが1のとき、n2は2または3であり;さらに、xが2、かつ、yが1のとき、n2は3である。 (もっと読む)


【課題】相対的に高い変換効率を持つ新規なカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の構成を備えたカルコゲナイト系化合物半導体及びその製造方法。(1)カルコゲナイト系化合物半導体は、Cu、Zn、Sn、元素X3(=S及び/又はSe)、及び、Oを必須元素として含む。(2)カルコゲナイト系化合物半導体は、(a)Cu、Zn及びSnを含み、(b)Cu、Zn及びSnから選ばれるいずれか1以上の元素を含む、1種又は2種以上の非結晶の酸化物及び/又は水酸化物を含む前駆体を硫化及び/又はセレン化することにより得られる。前駆体は、大気開放型CVD装置にCu源、Zn源及びSn源を含むCVD原料を供給し、CVD原料を同時に気化させることにより形成するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】n型基板2上に、少なくともAlGaInP系材料からなるn型クラッド層4、活性層5、p型クラッド層6、及びp型p型電流分散層7を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ1であって、p型p型電流分散層7中の水素濃度の平均値を1.0×1017atoms/cm3以下にしたものである。 (もっと読む)


【課題】p型層を形成する際に混入するSiによって発生する順方向電圧(Vf)の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってp型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記p型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、HVPE炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】p型層を形成する際に混入するSiによって発生する順方向電圧(Vf)の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってp型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記p型層をエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、p型ドーパントガスを前記p型層のエピタキシャル成長時より多く流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法を提供する。
【解決手段】真空チャンバーに、有機シラン又は有機シロキサンの1つの前駆体と、該前駆体とは異なるポロゲンであって、本質的に芳香族であるポロゲンとを含むガス状試薬を導入する工程、前記チャンバー中の前記ガス状試薬にエネルギーを適用して該ガス状試薬の反応を引き起こしてポロゲンを含有する膜を堆積させる工程、並びにUV放射によって有機材料の実質的にすべてを除去して気孔を有しかつ2.6未満の誘電率を有する多孔質の膜を提供する工程を含む多孔質の有機シリカガラス膜を製造するための堆積方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】エピタキシャル成長により形成された結晶膜の成長面内における物性値を均一な値に近づける。
【解決手段】第1化合物半導体および第2化合物半導体を積層した積層半導体を含み、前記第1化合物半導体の所定物性値が第1面内分布を有し、前記第2化合物半導体の前記所定物性値が前記第1面内分布とは異なる第2面内分布を有し、前記積層半導体における前記所定物性値の面内分布の幅が、前記第1面内分布の幅または前記第2面内分布の幅より小さい半導体基板を提供する。 (もっと読む)


【課題】ダイアモンドおよびダイアモンド含有材料と支持体の良好な接着力の確保が可能な被膜を提供する。
【解決手段】0.0004から0.3重量%の量のフッ素と一緒に合金を形成しているタングステンの層を含んで成る被膜および/または0.0004から0.3重量%の量のフッ素と一緒に合金を形成している一炭化タングステン(WC)の層を含んで成る被膜が単独に、あるいは多層にダイアモンドまたはダイアモンド含有材料の上に施される。 (もっと読む)


【課題】 撥水性に優れる撥水層を、真空排気やガス置換等を行うことなく、簡易な条件および装置で製造することができる撥水層の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の撥水層の製造方法は、フッ素を含有する撥水層の製造方法であって、大気圧下、フッ素原子および水素原子を含むガス、ならびに不活性ガスを含むガス中において、プラズマ放電処理により、フッ素含有層を形成するフッ素含有層形成工程と、前記フッ素含有層の表面に溶剤を接触させる溶剤処理工程とを含み、前記フッ素含有層形成工程の前記ガス中の前記フッ素原子数(X)および前記水素原子数(Y)の割合(X/Y)が、8以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア性や耐化学特性などの機能に優れた被膜を、安価に大面積の基材に対して形成可能であり、とくに凹凸のある立体形状の基材に対しても適用可能な被膜形成方法および装置を提供する。
【解決手段】噴出口から基材に向けて噴出させた不活性ガスに、高周波電圧を常圧下で印加して、不活性ガスをプラズマ化させることにより発生させたプラズマ化不活性ガスに対し、プラズマ化不活性ガスの噴射方向と交差する方向に反応ガスを供給して該反応ガスとプラズマ化不活性ガスを合流させることにより、反応ガスの少なくとも一部がプラズマ化されてなるプラズマ化反応ガスを発生させ、該プラズマ化反応ガスを、プラズマ化不活性ガスとともに基材に向けて吹き付けることにより、基材表面に、非晶質素材からなる被膜を形成することを特徴とする基材の被膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ等の処理基板に対する処理ガス接触時間を増加させ、均一な処理ガスを供給できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容するインナーチューブ4と、該インナーチューブを取囲むアウターチューブ2と、前記インナーチューブ内に設けられ、該インナーチューブ内にガスを供給するガスノズル8と、前記インナーチューブと前記アウターチューブとの間にガスを排気する為に前記ガスノズルに対して径方向に対向する位置の前記インナーチューブに設けられた第1排気口3と、前記インナーチューブと前記アウターチューブの間のガスを排気する為に、前記第1排気口に対して径方向に対向する位置の前記アウターチューブに設けられた第2排気口6とを具備する。 (もっと読む)


【課題】 ハイドライド気相成長法を用いてGaP電流拡散層を厚く形成する際にGaP電流拡散層にピットが形成されることを抑制し、反りを生じた状態で研磨やダイシングなどの素子化加工を行った際に該ピットを基点とした割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 GaAs単結晶基板1上に、2種以上のIII族元素を含む(AlGa1−xIn1−yP(ただし、0≦x≦1,0<y≦1)にて構成される発光層部24と、第一GaP層7aとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成する。そして、第一GaP7a層上に第二GaP層7をハイドライド気相成長法により形成する。第二GaP層7は、発光層部に近い側に位置するGaP高速成長層7bと該GaP高速成長層7bに続くGaP低速成長層7cとを有するものとして、GaP高速成長層7bを第一成長速度により、GaP低速成長層7cを第一成長速度よりも低い第二成長速度により、それぞれ成長する。 (もっと読む)


基材上に無機又はハイブリッド有機/無機バリア層を形成するための方法。この方法は、蒸発させた金属アルコキシドを基材上に凝縮させて基材の上に層を形成する工程と、この凝縮した金属アルコキシド層を水と接触させてこの層を硬化させる工程とを含む。
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【課題】 プロセスチャンバ内に含む基板表面上にシリコン含有物質を選択的に且つエピタキシャル的に形成する方法が提供される。
【解決手段】 一つ以上の実施形態において、プロセスチャンバの圧力を、基板上に物質を堆積させる間では下げ、基板から物質をエッチングする間では上げる。実施形態によれば、第1ゾーンに流されるガス量と第2ゾーンに流されるガス量の比を得るようにプロセスガスが第1ゾーンと第2ゾーンを通ってチャンバへ流される。一つ以上の実施形態において、第1ゾーンは内部半径方向ゾーンであり、第2ゾーンは外部半径方向ゾーンであり、内部ゾーンガス流と外部ゾーンガス流との比はエッチングの間より堆積の間の方が小さい。一つ以上の実施形態によれば、選択的エピタキシャルプロセスは、エピタキシャル層の所望の厚さが成長するまで、堆積と、その後のエッチングプロセスと、所望によるパージのサイクルを繰り返すステップを含む。 (もっと読む)


【課題】蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置を提供する。
【解決手段】高圧のキャリヤーガスの供給源;該キャリヤーガスから水分を除去するための精製器;該キャリヤーガスを少なくとも80℃に加熱することができるヒータ;三塩化ガリウムの供給物と、該三塩化ガリウムのレベルより下に出口を備えたディップチューブを有する前記キャリヤーガスのためのバルブ制御された入口と、該キャリヤーガス及びそれに伴われる三塩化ガリウムを取り出すためのバルブ制御された出口とを含む容器;前記三塩化ガリウムを溶融するのに十分加熱することができるヒータ;伴われた三塩化ガリウムを窒化ガリウムのための反応領域に運ぶためのバルブ制御された出口に連結された供給ラインを含む、蒸気相の高純度三塩化ガリウムを窒化ガリウムの反応器に供給するための装置が提供される。 (もっと読む)


大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを使用した粉末のインフライト表面処理の方法をここで説明する。前記方法は、減少した粉末凝集特性を示す粉末粒子を生成する誘電体バリア放電トーチへと粉末材料を供給する段階と、粒子の表面特性をインフライト修飾する段階と、被覆された粉末粒子を回収する段階と、を含む。大気圧又は低真空条件で作動する誘電体バリア放電トーチを備えるマイクロ粒子及びナノ粒子の表面処理のための装置もここで説明する。
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【課題】ナノワイヤー製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に物質膜パターンを形成する段階と、基板上に前記物質膜パターンを覆う第1絶縁膜、第1ナノワイヤー形成層及び上部絶縁膜を順次に積層する段階と、物質膜パターンが露出されるまで上部絶縁膜、第1ナノワイヤー形成層及び第1絶縁膜を順次に研磨して第1ナノワイヤー形成層の一部を露出させる段階と、第1ナノワイヤー形成層の露出された領域に単結晶ナノワイヤーを形成する段階とを含むが、第1絶縁膜及び第1ナノワイヤー形成層の総厚さは、物質膜パターンの厚さより薄く形成することを特徴とするナノワイヤー製造方法。 (もっと読む)


【課題】被覆が速く又環境対応もできる電解コンデンサーのアルミカバー絶縁膜の被覆方法を提供する。
【解決手段】一種の電解コンデンサーのアルミカバー絶縁膜の被覆方法に関し、それは高真空電場またはプラズマの下で、陽極と陰極との間の高電位差を利用してまたはマイクロ波発生器から発生したマイクロ波によって電場を制御してイオンビームを生成させてから、該イオンとポリテトラフルオルエチレンとの衝突によってフッ素原子を脱離させて気体原子(例えば酸素)がそれを取替えると、アルミカバーの表面に10μ〜15μ厚の皮膜層になり、強力にアルミカバーに接着し、該皮膜層がそのままアルミカバーの表面を覆って絶縁と保護との作用になる。 (もっと読む)


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