【課題】基材上に非晶質炭素膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、正極への炭素を含む物質の付着を抑制する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、反応室１０と、反応室１０内に配置された正極２０および負極３０と、炭素を含む第１のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第１のガス供給部（第１のガス供給配管４０）と、第１のガスの供給中に、炭素を含まない第２のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第２のガス供給部（第２のガス供給配管４２、ガス流路２２、金属多孔体２４）と、を備える。第２のガス供給部は、第２のガスを、正極２０から負極３０に向かう向きに供給するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】ＤＬＣ膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第１シャフト２の雄スプライン部４の表面（第１シャフト２の基材２Ａの表面）は、被膜１４によって被覆されている。被膜１４は、第１シャフト２の基材２Ａの表面を被覆するＤＬＣ膜１５と、基材２ＡとＤＬＣ膜１５との間に介在する中間層１６とを備えている。中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。ＤＬＣ膜１５には、０〜５０ｗｔ％の比率でＳｉが添加されている。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器８内で保持手段２２に保持された複数の被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜７０を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を向上させた、信頼性の高いアルミニウム素線およびこれを備えた被覆電線を提供することにある。
【解決手段】複数本撚り合わせることにより、アルミニウム撚り線１５として用いるアルミニウム素線１０である。アルミニウム素線１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム線材１１の表面に、非晶質炭素被膜１２が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材１表面上に中間層２を介して形成されている硬質炭素膜３であって、前記中間層２は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか１層または２層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜３は１層または２層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径０．１μｍ〜０．５μｍの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ２ｎｍ〜５ｎｍの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 （もっと読む）

【課題】導電性ダイヤモンド電極の製作コストを低減するとともに、導電性ダイヤモンド電極の検出感度を向上させる。
【解決手段】導電性ダイヤモンドパウダーと絶縁性バインダとを含有するＢＤＤインク６をカーボンペースト５（集電体）上に堆積させて導電性ダイヤモンド電極１を作製する。導電性ダイヤモンドパウダーは、ダイヤモンド粒子の表面にホウ素をドープしたダイヤモンド層を形成することで構成される。ＢＤＤインク６に混合する導電性ダイヤモンドパウダーは、絶縁性バインダの体積に対する導電性ダイヤモンドパウダーの体積比が２０％以上９０％以下となるように混合する。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度の均一性および結晶性に優れたｎ型ダイヤモンド半導体層を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板と、上記面上に形成され、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層と、を備える。実施の形態の半導体装置の製造方法は、（１００）面から＜０１１＞±１０度方向に１０度以上４０度以下の範囲で傾斜する面を備えるダイヤモンド基板を準備し、上記面上に、エピタキシャル成長により、リン（Ｐ）を含有するｎ型ダイヤモンド半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。表面硬化層１ｂは、チタン酸化物層である。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンドと多結晶ダイヤモンドの双方の利点を活かしながら、更に板状の構造を可能にするために、多結晶ダイヤモンドの研磨の困難性も回避し、研磨が容易なダイヤモンド複合体を提供すること。
【解決手段】少なくとも２種類の結晶性の異なる結晶からなる構造の複合体であり、その内の第一の結晶は高圧合成法により合成した単結晶ダイヤモンドか、あるいは気相合成法により合成した単結晶ダイヤモンドであり、第二の結晶は欠陥を面内に周期的なパターン形状で含む気相合成法により合成したダイヤモンドであり、該第一の結晶及び第二の結晶はいずれも、主面が平行になるように層状に形成されていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体において、水系内容物をガスバリア性薄膜側から接触させた状態で１ヶ月から数ヶ月保管した場合においても薄膜の密着性の低下をさせないことである。
【解決手段】本発明に係るガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体は、容器、フィルム又はシートの形状を有するポリ乳酸樹脂成形体の表面にガスバリア性薄膜を形成したガスバリア性ポリ乳酸樹脂成形体において、ポリ乳酸樹脂成形体は、アルコキシカルボニル基（−ＣＯＯＲ、Ｒはアルキル基）若しくはカルボキシル基（−ＣＯＯＨ）又はその両方を有する樹脂組成物が添加物として配合されたポリ乳酸樹脂で成形されてなり、かつ、ポリ乳酸樹脂成形体の表面に樹脂組成物が露出していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド基板上に単結晶ダイヤモンドをエピタキシャル成長させるに際し、エピタキシャル成長した単結晶ダイヤモンドにおいて基板のダイヤモンドの欠陥に由来する欠陥を極力低減すること。
【解決手段】単結晶ダイヤモンド基板上の欠陥の位置に、幅と深さのアスペクト比（深さ／幅）２以上の溝又は穴を形成した単結晶ダイヤモンド基板上に、気相エピタキシャル成長法によって単結晶ダイヤモンド膜を形成してなり、前記溝又は穴の部分が空孔として結晶内部に残っていることを特徴とするダイヤモンド複合体。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】 基材上に高い密着性をもって炭素膜が形成された炭素膜被覆部材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭素膜被覆部材１が、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３が並んで形成され、基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４が形成されている。また、この炭素膜被覆部材の製造方法は、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３を並べて形成する穴形成工程と、該穴形成工程後に基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４を形成する炭素膜形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ法によって雄スプライン部にＤＬＣ被膜を形成する場合に、ＤＬＣ被膜の膜厚のばらつきを小さくすることができるスプラインシャフトのＤＬＣ被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空室６０内において、柱状のプラズマ７０ａの周囲に複数のスプラインシャフト１０を配置すると共に、柱延在方向に複数のスプラインシャフト１０を同軸状に並べて配置する。同軸状に並べて配置された複数のスプラインシャフト１０は、それぞれの雄スプライン部１６の間に軸方向隙間が形成されるように配置される。複数の雄スプライン部１６の軸方向隙間は、プラズマ７０ａの柱延在方向の中央部に位置するようにする。 （もっと読む）

【課題】成膜条件が異なる場合であっても多数の基材に対して一度に且つ均一に成膜を行うことにより生産性を向上させる。
【解決手段】本発明のＡＩＰ装置１０１は、真空チャンバ内を真空排気する真空排気手段と、成膜対象である基材を自転状態で保持する４つの自転保持部４と、自転保持部４をその自転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転テーブル５と、アーク蒸発源６と、４つのバイアス電源１０Ｂ１〜１０Ｂ４を備えた電源ユニット１０Ｂとを備え、自転保持部４の各々はスリップリング１５１を介して異なるバイアス電源に接続され、バイアス電位の差により異なる成膜条件を構成する。 （もっと読む）

【課題】金属製の成膜対象物上にダイヤモンドライクカーボン膜を成膜することができるダイヤモンドライクカーボン膜の形成方法およびダイヤモンドライクカーボン膜付き金属物を提供することを課題とする。
【解決手段】メタンガスを含む成膜用ガスＲＧを流動させる流動経路１４に、ダイヤモンドライクカーボン膜の成膜対象となる金属製の成膜対象物３０を配置する。そして、成膜用ガスＲＧを所定流量で流動経路１４に流すとともに成膜対象物３０を室温から所定温度にまで上昇させるプロセスを経ることにより、成膜対象面３０ｆの不純物と成膜用ガスＲＧとを反応させることで成膜対象面３０ｆから不純物を除去し、更に、不純物が除去されることで露出した金属元素によって成膜用ガスＲＧを反応させて成膜対象面３０ｆにダイヤモンドライクカーボン膜３４を成膜する。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材と硬化塗膜層、硬化塗膜層と無機物質層の双方の付着性に優れ、しかも耐候性、耐擦傷性に非常に優れた積層体及び積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材に、活性エネルギー線硬化型プライマー組成物による硬化塗膜層（Ｉ）、及び無機物質層（ＩＩ）が順次積層されてなる積層体であって、
該活性エネルギー線硬化型プライマー組成物が、
有機物変性シリカ粒子（Ａ）、
重合性不飽和化合物（Ｂ）、及び
光重合開始剤（Ｃ）、を含有するものであり、
該無機物質層（ＩＩ）が乾式成膜工法によって形成されたものであることを特徴とする積層体及び積層体の製造方法。 （もっと読む）