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Fターム[4K030BA46]の内容

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Fターム[4K030BA46]に分類される特許

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【課題】有害な界面層を形成する追加の酸化が生じない、高い誘電率の誘電体を備えたMIMCAP構造を提供する。
【解決手段】電子デバイスが、第1電極と、チタン酸化物および第1ドーパントイオンを含む誘電体材料層とを含む。誘電体材料層は、第1電極の上に形成される。第1ドーパントイオンは、Ti4+イオンと比べて10%またはそれ以下のサイズ不整合を有し、誘電体材料は、650℃未満の温度でルチル正方結晶構造を有する。電子デバイスは、誘電体材料層の上に形成された第2電極を備える。 (もっと読む)


【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】300℃以上かつガラスの歪点より低い第1加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して1層目の膜を形成する第1成膜工程と、第1加熱温度より高い第2加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して2層目の膜を形成する第2成膜工程とを備える。また、第2成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】高い焼結作用を有する二酸化チタン粉末を提供する。
【解決手段】BET表面積30〜65m2/g及びルチル含有率50〜70%を有する凝集一次粒子の形の結晶二酸化チタン粉末。それは、四塩化チタン蒸気、及びそれとは別に、水素、空気、又は酸素で富化された空気を混合チャンバー中に導入し、四塩化チタン蒸気、水素及び一次空気の混合物をバーナーで点火し、そして火炎を反応チャンバー中で燃焼し、続いてガス状物質から固体を分離することによって製造され、その際使用される量は、式A=A=105{[(TiCl4×H2)/(空気の量×合計ガス)]/BET}、[式中、A=6〜12に従う]であるように選択される。該二酸化チタン粉末は、セラミクス産業において使用されうる。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】樹脂基材と硬化塗膜層、硬化塗膜層と無機物質層の双方の付着性に優れ、しかも耐候性、耐擦傷性に非常に優れた積層体及び積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材に、活性エネルギー線硬化型プライマー組成物による硬化塗膜層(I)、及び無機物質層(II)が順次積層されてなる積層体であって、
該活性エネルギー線硬化型プライマー組成物が、
有機物変性シリカ粒子(A)、
重合性不飽和化合物(B)、及び
光重合開始剤(C)、を含有するものであり、
該無機物質層(II)が乾式成膜工法によって形成されたものであることを特徴とする積層体及び積層体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】次の式の前駆体を用いて、原子層堆積によって、金属含有フィルムを形成する方法を提供する。
【解決手段】M(OR1)(OR2)(R3C(O)C(R4)C(O)XR5y2(ここで、Mは、第四族金属であり;R1及びR2は、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ;R3は、直鎖又は分岐鎖のC1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択されることができ;R4は、水素、C1〜10アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され;R5は、C1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びC6〜12アリールからなる群より選択され;XはO又はNであるが、X=Oの場合、y=1であり且つR1、2及び5が同じとなり、X=Nの場合、y=2であり、且つ各R5は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる)。 (もっと読む)


【課題】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法を提供する。
【解決手段】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法であって、金属ケトイミネートを堆積チャンバーに導入し、該金属ケトイミネートを加熱基材上に堆積させる工程、該堆積チャンバーをパージして未反応の金属ケトイミネートと任意の副生成物を除去する工程、酸素含有源を該加熱基材に導入する工程、該堆積チャンバーをパージして任意の未反応の化学物質と副生成物を除去する工程、及び所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程を含む循環堆積法が提供される。 (もっと読む)


【課題】DRAMキャパシタの誘電体膜に求められる高誘電率化および低リーク電流化を両立させることができる、酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜の成膜方法および成膜装置を提供すること。
【解決手段】 酸化ジルコニウム膜を含む誘電体膜を成膜する成膜方法は、シクロペンタジエニル環を構造中に含むZr化合物からなるジルコニウム原料と酸化剤とを供給して被処理基板上に酸化ジルコニウム膜を成膜する工程と、シクロペンタジエニル環を構造中に含むチタン化合物からなるチタン原料と酸化剤とを供給して前記酸化ジルコニウム膜の上に酸化チタン膜を成膜する工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 高誘電率及び高温状態で安定したキャパシタ絶縁膜の形成を実現する。
【解決手段】 基板上に形成された下電極の上に、キャパシタの絶縁膜としてルチル型のチタン酸化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、チタン酸化膜の結晶格子の大きさとほぼ等しい大きさの結晶格子を有する絶縁膜をチタン酸化膜の下地膜として形成する。 (もっと読む)


【課題】形成する膜の仕事関数の値を、従来の技術を用いた場合よりも高くすることができる半導体装置の製造方法、基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室に金属含有ガスを供給する工程と、処理室に窒素含有ガスを供給する工程と、処理室に酸素含有ガス又はハロゲン含有ガスを供給する工程と、を含むサイクルを複数回行うことで、基板に金属含有膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属含有膜のための気相成長前駆体としての使用に適した有機金属化合物を提供する。特定の有機金属前駆体を用いて金属含有膜を被着させる方法も提供する。そのような金属含有膜は、電子装置の製造において特に有用である。
【解決手段】周期表のランタニド又は第3族〜第16族から選択される金属の酸化物を成膜する方法であって、エノラート配位子を含む金属含有前駆体を用い、金属前駆体を蒸気状態で反応チャンバーに導入し、基体上に化学吸着させる工程と、パージする工程と、酸素源を導入する工程と、パージする工程とを含む気相成長により成膜する。 (もっと読む)


【課題】発熱体CVD法を用いて、プラスチック成形体の表面に高いガスバリア性と耐水性とを兼ね備えたガスバリア薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】プラスチック成形体91の表面に、密着層81とガスバリア発現層82とを順次有するガスバリア薄膜92を形成するガスバリア性プラスチック成形体90の製造方法において、プラスチック成形体の表面に、発熱体CVD法で、原料ガスとして一般式(化1)で表される有機シラン系化合物を用いて、密着層として構成元素の1つがSiである層を形成する工程1を有する。(化1)RSiH(一般式(化1)中、Rはメチル基を表し、かつ、R,Rは水素若しくはメチル基を表すか、又は、Rはビニル基を表し、かつ、R,Rは水素若しくはメトキシ基を表す。) (もっと読む)


【課題】TiN膜の上部に形成するTiO膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とし、TiO膜の誘電率を高める。
【解決手段】ジルコニウム酸化膜の膜厚を制御することにより、ジルコニウム酸化膜の少なくとも一部の結晶構造を立方晶系構造又は正方晶系構造とし、これにより、チタン酸化膜の少なくとも一部の結晶構造をブルッカイト型構造又はルチル型構造とする。 (もっと読む)


【課題】下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。
【解決手段】下部金属層は、Ru層の制御された酸化により得られたルテニウム酸化層により覆われたルテニウム層である。誘電体層は、酸化剤として水を用いた原子層成長による、薄いTiO保護層の最初の堆積と、これに続くOを酸化剤として用いたALDによる第2誘電体の堆積とにより得られる。好適には、第2誘電体は、ルチル相のTiO層である。薄い保護層は、OによるエッチングからRuを保護し、ルチル相TiOの形成を容易にする。Ru層の粗さが変化しないように、Ru層を酸化する方法を開示する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置に用いられるキャパシタを効率よく、しかも少ない占有床面積で行うことができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板200上に下電極を形成する工程(S104)と、下電極の上に、それぞれ異なる金属元素を含む3種の金属酸化膜を積層して誘電膜を形成する工程(S106、S108、S110)と、誘電膜の上に、上電極を形成する工程(S112)と、を有し、各工程は同一の装置で行う。 (もっと読む)


【課題】耐屈曲性を有するガスバリア性フィルムとして好適な新規な積層フィルムの提供。
【解決手段】基材と、前記基材の少なくとも片方の表面上に形成された少なくとも1層の薄膜層とを備える積層フィルムであって、前記薄膜層のうちの少なくとも1層が、炭素を含む酸化物を含有し、且つ、該層の膜厚方向における該層の表面からの距離と、炭素を含む酸化物の原子の合計量に対する炭素原子の量の比率(炭素の原子比)との関係を示す炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(ii):
(i)前記炭素分布曲線が実質的に連続である。
(ii)前記炭素分布曲線が極値を有する。
を全て満たし、前記酸化物が、半導体元素、半金属元素及び金属元素からなる群より選ばれる1種以上の元素(ただし、珪素を除く)の酸化物であることを特徴とする積層フィルム。 (もっと読む)


【課題】分離領域による処理領域同士の雰囲気の分離機能を確保しながら、当該分離領域に供給される分離ガスの消費量を抑えること。
【解決手段】真空容器1内において分離領域Dを介して処理領域P1、P2をウエハWが順番に通過するように回転テーブル2を回転させるにあたり、回転テーブル2の中央側よりも周縁側の分離ガスの供給量が多くなるように、当該中央側では周縁側よりも分離ガスノズル41、42のガス吐出孔33の配列間隔uを広く設定すると共に、分離領域Dから処理領域P1、P2側に吐出される分離ガスの流速について、各領域A1、A2における回転テーブル2の最大周速度よりも夫々僅かに速くなるように設定する。 (もっと読む)


【課題】立体構造キャパシタを備えた半導体装置であって、上下部電極に金属若しくは金属化合物を用いるMIM構造で、容量絶縁膜に高誘電体膜を用いるキャパシタにおいて、高誘電率でリーク電流が抑制された信頼性の高いキャパシタを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】TiN下部電極102上に酸化ジルコニウム誘電体膜113を形成し、誘電体膜上にTiNを含む上部電極117を形成する際、誘電体膜をALD法で形成し、上部電極を形成する前に誘電体膜形成時のALD法の成膜温度を70℃以上超える温度を付加することなく、第一の保護膜116を成膜する。 (もっと読む)


【課題】等価酸化膜厚(EOT)が薄く、漏洩電流の小さいDRAM用のMIMキャパシタを提供する。
【解決手段】基板を準備するステップと、前記基板上に第1電気導電性層上を設けるステップと、原子層堆積法によって、前記導電性層上に層のサブスタックを設けるステップであって、前記サブスタックの少なくとも一層はTiO層であり、サブスタックの他層は、ペロブスカイト相を形成するのに好適な組成を有する誘電体材料層であるステップとを含む。前記層のサブスタックを含む基板に熱処理を施し、結晶化した誘電体層を得る。サブスタックに存在する一連のTiO層として改善した特性を有する金属−絶縁体−金属キャパシタを得るために、第2導電性層を熱処理の前または後に製造する。特に、本発明に係るMIMcapにおいて、誘電体層のk値は50〜100であり、MIMキャパシタのEOTは0.35nm〜0.55nmである。 (もっと読む)


【課題】本発明は、プラズマ化学気相堆積時の基板の加熱を低減する目的に基づいている。
【解決手段】そのために、プラズマ気相堆積を用いて基板をコーティングするための方法および装置が提供されるが、その方法および装置では、コーティングしようとする基板の基板表面の周囲の少なくとも一部が排気され、コーティングのための開始物質をもつプロセス・ガスが入れられ、コーティングが、プロセス・ガスで満たされた基板表面の周囲で電磁エネルギーを放射することによって点火されるプラズマにより堆積される。電磁エネルギーは、好ましくはマイクロ波または無線周波のパルスの、多数のパルス・シーケンスの形態で放射され、そのパルス・シーケンスは第1の間隔で時間的に間隔をあけられた多数のパルスをもち、放射された電磁エネルギーはその間隔で停止され、パルス・シーケンス間の間隔は、パルス・シーケンス内のパルス間の第1の間隔より少なくとも3倍、好ましくは少なくとも5倍長い。 (もっと読む)


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