【課題】基材上に非晶質炭素膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置において、正極への炭素を含む物質の付着を抑制する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１００は、反応室１０と、反応室１０内に配置された正極２０および負極３０と、炭素を含む第１のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第１のガス供給部（第１のガス供給配管４０）と、第１のガスの供給中に、炭素を含まない第２のガスを、正極２０と負極３０との間に供給する第２のガス供給部（第２のガス供給配管４２、ガス流路２２、金属多孔体２４）と、を備える。第２のガス供給部は、第２のガスを、正極２０から負極３０に向かう向きに供給するように設けられている。 （もっと読む）

【課題】固体電解質型二次電池に於いて、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。
【解決手段】正極４を酸化ケイ素(シリカ)、負極６を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素などとし、電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を貼り合わせることにより、単位電池を迅速に組立製造できる。単位電池を直列に接続してから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜の面内均一性の更なる向上を可能とする、薄膜を形成するためのシード層の形成方法を提供すること。
【解決手段】 下地上に、薄膜のシードとなるシード層を形成するシード層の形成方法であって、アミノシラン系ガスを用いて、下地上に、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを吸着させる工程（ステップ１１）と、ジシラン以上の高次シラン系ガスを用いて、アミノシラン系ガスに含まれた少なくともシリコンが吸着された下地上に、ジシラン以上の高次シラン系ガスに含まれた少なくともシリコンを堆積する工程（ステップ１２）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】耐屈曲性を向上させた、信頼性の高いアルミニウム素線およびこれを備えた被覆電線を提供することにある。
【解決手段】複数本撚り合わせることにより、アルミニウム撚り線１５として用いるアルミニウム素線１０である。アルミニウム素線１０は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム線材１１の表面に、非晶質炭素被膜１２が被覆されている。 （もっと読む）

【課題】ボイドやシームの発生を抑制することができるシリコン酸化膜の形成方法およびその形成装置を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の形成方法は、半導体ウエハ１０にシリコンプリカーサと過酸化水素とを含む成膜用ガスを供給して、半導体ウエハ１０の溝を埋め込むようにシリコン酸化膜を成膜する。制御部１００は、反応管２内に複数の半導体ウエハ１０を収容し、反応管２内を１１３Ｐａ〜６６５０Ｐａに設定する。また、制御部１００は、過酸化水素の流量をシリコンプリカーサの流量の３倍〜２０倍に設定する。 （もっと読む）

【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア３５はフレーム４１を備えている。フレーム４１は、支持した基板Ｗの一面Ｗａ側、および他面Ｗｂ側をそれぞれ露出させる開口（開口部）４１ａ，４１ｂがそれぞれ形成されている。フレーム４１の一端には、キャリア３５をアノードとして機能させるためのアノード接点４３が設けられている。キャリア３５は、第一成膜室（プロセス室）や第二成膜室（プロセス室）において、アノード接点４３を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 （もっと読む）

【課題】チタンまたはチタン合金製の摺動部品の表面に設けられるＤＬＣ膜の密着性を向上させ、優れた耐衝撃性を実現する。
【解決手段】本発明による内燃機関用摺動部品は、チタンまたはチタン合金から形成された部品本体１ａと、部品本体１ａの表面に形成された表面硬化層１ｂと、表面硬化層１ｂ上に設けられたダイヤモンドライクカーボン膜３と、表面硬化層１ｂとダイヤモンドライクカーボン膜３との間に設けられたチタン層２とを有する。表面硬化層１ｂは、チタン酸化物層である。 （もっと読む）

【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。 （もっと読む）

【課題】基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行う成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側のプラズマ端部の強度を制御して、成膜領域の入り口および出口でのダメージを低減して、目的とする機能を発現できる好適な膜質の機能性膜を安定して形成することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基材の搬送方向において、電極対の上流側の端部および下流側の端部の少なくとも一方の電極間距離が、中央部の電極間距離よりも狭いことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ法によって雄スプライン部にＤＬＣ被膜を形成する場合に、ＤＬＣ被膜の膜厚のばらつきを小さくすることができるスプラインシャフトのＤＬＣ被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空室６０内において、柱状のプラズマ７０ａの周囲に複数のスプラインシャフト１０を配置すると共に、柱延在方向に複数のスプラインシャフト１０を同軸状に並べて配置する。同軸状に並べて配置された複数のスプラインシャフト１０は、それぞれの雄スプライン部１６の間に軸方向隙間が形成されるように配置される。複数の雄スプライン部１６の軸方向隙間は、プラズマ７０ａの柱延在方向の中央部に位置するようにする。 （もっと読む）

【課題】長尺な基材に、プラズマＣＶＤによって連続的に成膜を行うロール・ツー・ロールの成膜装置において、成膜領域の入り口側および出口側での、プラズマ端部の影響を低減して、基材や機能性膜の表面がダメージを受けることを防止し、目的とする機能を発現できる機能性膜を、安定して形成することを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜手段が電極対の間でプラズマを生成する領域の、基材搬送方向の上流側および下流側の少なくとも一方の端部に配置される絶縁性のプラズマ抑制部材２４を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の形成のための方法が提供される。
【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバ内の基板ホルダ上に基板を準備し、前記基板が、上部表面と側壁表面を持つ立ち上がり構造を含み；前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスが炭化水素ガス、酸素含有ガス、及び場合によりアルゴン又はヘリウムを含む。本方法はさらに、プロセスチャンバ内のプロセスガス圧力を少なくとも１トールに維持し、マイクロ波プラズマ源を用いてプロセスガスからプラズマを形成し、及び基板をプラズマに暴露して共形アモルファスカーボンフィルムを前記立ち上がり構造の表面上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、製膜室のクリーニング後に、仮製膜を行った際に堆積する膜の剥離を防ぎ、半導体薄膜中に堆積膜が混入することを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置を用いた半導体装置の製造方法においては、仮製膜の際に結晶質シリコン薄膜を用いている。仮製膜の際に、結晶質シリコン薄膜を用いることで、堆積膜が半導体薄膜の膜中に取り込まれることを防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】エッチング耐性の高いアモルファスカーボン膜を提供する。
【解決手段】上部電極および下部電極が処理容器内に配設された平行平板型のプラズマＣＶＤ装置を用い、下部電極上に基板を配置する工程と、処理容器内に一酸化炭素および不活性ガスを供給するとともに、少なくとも上部電極に高周波電力を印加してプラズマを発生させることにより一酸化炭素を分解し、基板上にアモルファスカーボンを堆積して成膜する工程とを有する。上部電極が炭素電極であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】大気中においても、摩擦係数０．０１以下となる低摩擦を実現する摺動部材およびこの摺動部材を用いた摺動システムを提供する。
【解決手段】相互に摺動する一対の基材１１、１２のうち、少なくとも一方１１に硬質炭素被膜１３が形成された摺動部材において、基材１１と硬質炭素被膜１３との間に、珪素と酸素とを含む化合物によって形成される中間層１４を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体を提供する。
【解決手段】ケイ素を含むケイ素含有膜の堆積に用いることができる有機アミノシラン前駆体及びこれらの前駆体の製造方法を開示する。また、ここに記載した有機アミノシラン前駆体を用いてケイ素含有膜を製造するための堆積方法も開示する。例えば、ケイ素含有膜を堆積させるために前駆体を反応器に供給するのに用いることができる、上記有機アミノシラン前駆体又はその組成物を含む容器も開示する。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン系薄膜の製造方法に関して、大面積の基板を用いた場合においても、高品質かつ均一な薄膜を得られる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、高周波電極と、該高周波電極と対向して配置される基板と、該高周波電極と対向して配置され、かつ、該基板を保持するホルダとを含み、プラズマＣＶＤ装置を使用するシリコン系薄膜の製造方法であって、
該高周波電極面と該ホルダ面との距離（Ｅ／Ｈ）、および該高周波電極面と該ホルダに保持された基板の面との距離（Ｅ／Ｓ）の差Ｄ＝（Ｅ／Ｓ）−（Ｅ／Ｈ）が、
２ｍｍ以上４ｍｍ以下であり、かつ該距離（Ｅ／Ｓ）が、５ｍｍ以上１０ｍｍ以下であることを特徴とするシリコン系薄膜の製造方法である。好ましくは該シリコン系薄膜が非晶質シリコン系薄膜であることを特徴とする。 （もっと読む）