【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上記Ａｌ_２Ｏ_３層は、下部領域、中間領域および上部領域の３領域から構成され、各領域について、電界放出型走査電子顕微鏡と電子後方散乱回折像装置を用い、０〜９０度の範囲内における（０００１）面の法線の傾斜角度数分布を求めた場合、下部領域は、８０〜９０度の範囲内の度数合計が６０％以上、また、中間領域は、７０〜８０度の範囲内の度数合計が６０％以上、さらに、上部領域は、０〜１０度の範囲内の度数合計が６０％以上の割合を占める。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速断続切削ですぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】下部層がＴｉ化合物層、上部層が柱状結晶組織のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着した表面被覆切削工具であって、下部層の最表面層が、５００ｎｍ以上の層厚を有するＴｉＣＮ層からなり、該ＴｉＣＮ層の層厚方向５００ｎｍまでの深さ領域にのみ平均含有量０．５〜３原子％の酸素が含有され、また、下部層直上におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．１〜０．３μｍであり、上部層の上方におけるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒の横方向平均粒径は０．５〜１．０μｍであって、しかも、上部層全体のＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒について、工具基体表面の法線に対する（０００１）面の法線がなす傾斜角が０〜１０度であるＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３結晶粒が、全体で４５面積％以上、界面から上部層の膜厚１μｍ未満では（０００１）配向が１０%未満、（０２−２１）配向が３０%以上である。 （もっと読む）

【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置１０は、基板１５の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管１２と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器２０と、を含む。副噴射器２０の内部に設けられた遮熱器２５は、押さえガスが流入する流入側開口部２６ａと押さえガスを噴出する流出側開口部２６ｂとを有する枠体２６と、枠体２６の内部に収容された複数の粒状の充填材２７と、を含む。
充填材２７は、流出側開口部２６ｂから流入側開口部２６ａへの見通し経路を形成しないように枠体２６の内部に収容されている。 （もっと読む）

【課題】高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、Ｔｉ化合物層からなる下部層とＡｌ_２Ｏ_３層からなる上部層が被覆形成された表面被覆切削工具において、上部層のＡｌ_２Ｏ_３粒について、（０００１）面の法線がなす傾斜角を測定し、隣接する測定点からの測定傾斜角の角度差が５度以上である場合に異なる結晶粒であるとして結晶粒を特定し、個々の結晶粒のアスペクト比を求めた場合、アスペクト比が５未満である結晶粒が面積比で１０〜５０％、アスペクト比が５以上である結晶粒が面積比で５０〜９０％を占め、また、結晶粒個々の結晶粒内平均方位差を求めた場合、アスペクト比が５未満の結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度未満、一方、上記アスペクト比が５以上である結晶粒の結晶粒内平均方位差の平均は５度以上を示す。 （もっと読む）

【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】高い光利得を得ながら閾値電流値を低減することができる光半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に形成された複数の量子ドット層１２と、複数の量子ドット層１２間に位置する中間層と、が設けられている。量子ドット層１２に含まれる量子ドット１２ａの組成が、Ｉｎ_xＧａ_1-xＡｓ_yＳｂ_1-y（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）で表わされる。中間層には、組成がＩｎ_aＧａ_1-aＡｓ_bＰ_1-b（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１）で表わされ、厚さが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下のＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５と、ＩｎＧａＡｓＰ層１３、１５の底面から１０ｎｍ以上４０ｎｍ未満の高さに位置し、厚さが０．３ｎｍ以上２ｎｍ以下のＩｎＰ層１４と、が含まれている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】軸方向において基本的に均一の厚さ並びに基本的に均一の屈折率およびアルファ値の蒸着ガラス層を有するガラス基材チューブを提供する。
【解決手段】本発明は、一つまたは複数のドープまたはアンドープガラス層がガラス基材チューブの内部にコーティングされるＰＣＶＤ堆積プロセスを実施する装置に関する。この装置は、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータに開口するマイクロ波ガイドとを備える。アプリケータは、円柱軸の周りに延びており、内壁の近傍に通路を備え、該通路を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されたマイクロ波は出ることができ、基材チューブは、円柱軸にわたって位置づけ可能である。一方で、アプリケータは、円柱軸にわたって延びる加熱炉により完全に覆われる。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の均一性と特性の向上及び画像欠陥の抑制を同時に達成可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】減圧可能な反応容器の内部への円筒状基体設置工程と、反応容器の内部への堆積膜形成用原料ガス導入工程と、反応容器の内部にあって円筒状基体とは離間して配置された電極、および円筒状基体の、一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、正弦波の交番電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成工程と、を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、交番電圧の周波数が１０ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下で、電極と円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が、正であるときの電位差の絶対値の最大値、および負であるときの電位差の絶対値の最大値は、一方が放電維持電圧未満の値であって、他方が放電開始電圧以上の値である。 （もっと読む）

【課題】 寄生ダイオードを介したリーク電流を抑えること。
【解決手段】 半導体装置１は、ｃ面を表面とする窒化物半導体の半導体層１３と、厚みが減少する厚み減少部１４ａを有する窒化物半導体のｐ型の埋込み層１４と、を備える。埋込み層１４では、厚み減少部１４ａの内部に酸素濃度がピークとなる部分が存在しており、そのピーク部分と厚み減少部１４ａの傾斜面の間のｐ型不純物の濃度が酸素濃度よりも高い部分が存在する。 （もっと読む）

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のＮ面ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。
【解決手段】Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させるための方法であって、（ａ）ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、（ｂ）前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される１つ以上の後続の層に対するＮ極性配向を設定すること、および、（ｃ）前記層上でＮ面ＩＩＩ族窒化物膜を成長させることであって、前記Ｎ面ＩＩＩ族窒化物膜は、前記層によって設定されるＮ極性配向を有することを含む。 （もっと読む）

【課題】ガラス基材の割れおよび反りの発生を抑制して高品質の膜を成膜する。
【解決手段】３００℃以上かつガラスの歪点より低い第１加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して１層目の膜を形成する第１成膜工程と、第１加熱温度より高い第２加熱温度下で、ガラス基材上に酸化物前駆体を溶質として含む水溶液を噴霧して２層目の膜を形成する第２成膜工程とを備える。また、第２成膜工程後に、ガラス基材をガラスの徐冷点以上の温度下で保持する歪取工程と、歪取工程後に、ガラス基材を室温まで徐冷する徐冷工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層に加わるダメージを抑制しながら、窒化物半導体層と電極との間でオーミック接触を得ることが可能な窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】この発光素子（窒化物半導体素子）１は、主面１０ａを有する基板１０と、ｎ型層２０ａ、ｎ型コンタクト層２０ｂおよびｐ型層２０ｄを含む半導体層２０と、を備える。主面１０ａはｍ面に対してａ軸方向に所定のオフ角度を有する。半導体層２０は、傾斜領域２１と非傾斜領域２２とを含む。傾斜領域２１において、ｎ型層２０ａおよびｎ型コンタクト層２０ｂの所定領域上にｎ電極４０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体１０２を、減圧かつ電気的に接地された反応容器１０１の内部に設置し、電源１０７から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器１０１との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体１０２の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材１０８を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分１１３の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 （もっと読む）