【課題】ＥＬ発光パターンを改善することにより、発光効率を向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１００（窒化物半導体発光素子）は、成長主面１０ａを有するＧａＮ基板１０と、このＧａＮ基板１０の成長主面１０ａ上に成長された窒化物半導体各層１１〜１８とを備えている。そして、ＧａＮ基板１０の成長主面１０ａが、ｍ面に対して、ａ軸方向およびｃ軸方向の各方向にオフ角度を有する面からなり、ａ軸方向のオフ角度が、ｃ軸方向のオフ角度より大きい角度となっている。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系半導体は、面方位が（１１１）のシリコン基板上にエピタキシャル成長される。ＧａＮの格子定数と、とシリコン（１１１）面の格子定数の差が、約１７％と大きいのでめ、成長されたＧａＮには１０^１０ｃｍ^−２を超える転位が導入される。転位により、ＧａＮを用いたトランジスタのリーク電流が増大する。また、トランジスタの移動度が低下する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板の（１５０）面上に、エピタキシャル成長された窒化物半導体層と、を備える半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル膜成長を行う際に、基板表面へのエッチングダメージを軽減して、良質なエピタキシャル膜を得る技術を提供する。
【解決手段】表面に絶縁体面と半導体面とを有する基板を処理室内に搬送する工程と、前記処理室内に搬送された基板に対し、水素含有ガスと塩素含有ガスとを供給し、前記基板の前記半導体面をエッチングするエッチング工程と、前記エッチングされた基板に対し、水素含有ガスを供給して基板表面の残留塩素を除去する第１パージ工程と、前記残留塩素を除去された基板に対しシリコン含有ガスを供給し、前記基板の半導体面にシリコン含有膜を形成する成膜工程とを備え、前記エッチング工程と第１パージ工程とを含む工程を連続して２回以上実施するよう半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】カーボン基材またはＳｉ含浸ＳｉＣ基材の基板支持具表面に形成された高純度ＳｉＣ膜の、処理室クリーニング時におけるエッチングを抑制し、処理室内や基板の汚染を回避する。
【解決手段】基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いて前記Ｓｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ１，Ｓ２と、表面にＳｉＯ膜が形成された基板支持具により基板を支持した状態で基板上に薄膜を形成する工程Ｓ４と、基板支持具に付着した堆積物をフッ素含有ガスを用いて除去する工程Ｓ５と、その後に再度、基板支持具の表面にＳｉ含有層を形成する工程と、減圧下で酸素含有ガスと水素含有ガスとを用いてＳｉ含有層をＳｉＯ層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことにより基板支持具の表面にＳｉＯ膜を形成する工程Ｓ６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも原子レベルで平坦な表面を有する窒化物半導体薄膜及びその成長方法を提供すること。
【解決手段】ミスカットを有するGaN基板１０１のステップフロー成長（第１の成長工程）により制限領域１０２内に形成されたテラス２０２に、第１の成長工程よりも低い基板温度である第２の設定値Ｔ２でTMG又はTEGを供給する。これにより、テラス２０２の上にGaNの２次元核３０１が発生するが（図３（ａ）参照）、発生する２次元核３０１の個数が１個以上100個以下発生するだけの時間だけこの第２の成長工程を行う。次に、基板温度をＴ２よりも高い第３の設定値Ｔ３にする（第３の成長工程）。これにより、複数の２次元核３０１が横方向成長して１分子層の厚さの連続的なGaN薄膜３０２となる（図３（ｂ）参照）。第２と第３の工程を交互に繰り返すことにより、２分子層以上の厚さのGaN薄膜３０３を成長可能である（図３（ｃ）参照）。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、当該基板から当該材料層を剥離できるようにすること。
【解決手段】基板１と前記材料層２との界面で前記材料層を前記基板から剥離させるため、基板１上に材料層２が形成されたワーク３に対し、基板１を通して、パルスレーザ光をワーク３に対する照射領域を刻々と変えながら、前記ワーク３において隣接する各照射領域が重畳するように照射する。重畳する照射領域におけるそれぞれのレーザ光の大きさを、材料層２を基板１から剥離させるに必要な分解閾値を超えるエネルギーとなるような大きさとすることで、基板上に形成された材料層に割れを生じさせることなく、材料層を基板から確実に剥離させることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理材のプラズマダメージを低減できるプラズマ雰囲気下で、被処理材上に成膜原料を効率的に成膜できる成膜方法及び成膜装置を提供することにある。特にガスバリア膜の成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気下でイオン化した成膜原料を被処理材１上に堆積させる成膜方法であって、磁力線２が被処理材１の成膜面３から離れる方向９に向く磁場環境を形成し、その磁場環境で被処理材１の成膜面３に成膜原料を堆積させる。このときの磁力線２の向きは、磁石のＮ極からＳ極に向かう磁力線の向きであって、プラズマを構成する荷電粒子４を成膜面３から離れる方向９にはね返す向きである。そうした磁力線２は、永久磁石又は電磁石のＮ極を成膜原料が供給される側に近い側に配置し、Ｓ極を遠い側に配置する等して実現できる。 （もっと読む）

【課題】繊維状物質上にコーティングを連続的に付着させるための方法及び装置を提供する。
【解決手段】繊維状物質の複数のストランド４６を、ハウジング４２により画定された包囲されたチャンバー４４内のコーティングゾーンに通して連続的に移動させることにより、ストランドの一部分がチャンバーを通って移動するときに前記部分が反応物質ガスと接触し、ストランドと物理的に接触することなく、かつハウジングを直接に加熱することなく、ストランドの前記部分を直接加熱し、反応物質ガスがストランドの前記部分と接触し分解する結果としてストランド上にコーティング材料を付着させてコーティング材料のコーティングを形成することを含む化学蒸着法である。 （もっと読む）

【課題】様々な半導体加工用部品とこうした半導体加工用部品を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体加工用部品はＳｉＣで形成され、および、この半導体加工用部品の外側表面部分が、内部不純物レベルの１０倍以下である表面不純物レベルを有する。半導体加工用部品を処理する方法は、この半導体加工用部品を高温度においてハロゲン気体に曝露することと、酸化物層を形成するために半導体加工用部品を酸化させることと、この酸化物層を除去することとを含む。 （もっと読む）

本発明は、プラズマ化学気相成長法及び中空陰極技術を用いて内面に堆積される高ｓｐ³含有非晶質炭素被膜の形成方法に関する。この方法により、硬度、ヤング率、耐摩耗性及び摩擦係数などのトライボロジー的性質、並びに屈折率などの光学的性質の調整が可能になる。更に、得られた被膜は均一かつ優れた耐食性を備えている。圧力、ダイアモンドイド前駆体の種類及びバイアス電圧を制御することにより、この新しい方法は、ダイアモンドイド前駆体が基材との衝突によって完全に分解することを防止する。ダイアモンドイドは、高圧下で高ｓｐ³含有膜を生じるｓｐ³結合を有する。これによりダイアモンドイド前駆体を用いない場合に比べて、堆積速度を速めることができる。
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【課題】良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜およびそれを用いたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を提供すること。
【解決手段】Ｃ３結晶軸に対して−０．１°〜０．９°のオフ角を有する（１−１０２）面（いわゆるｒ面）のサファイア基板１１０上に、サファイア基板１１０の温度を１１００℃〜１４００℃の範囲内に制御しつつ、トリメチルガリウムを２００〜５００μｍｏｌ／ｍｉｎの流量で導入することにより、サファイア基板１１０上に（１１−２０）面（いわゆるａ面）のＧａＮ層１２０をエピタキシャル成長させる。これにより良質のＩＩＩ族窒化物半導体薄膜（ａ面ＧａＮ層）を得る。また、そのＩＩＩ族窒化物半導体薄膜を基板としてＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を作成する。 （もっと読む）

【課題】
処理室に収納した基板にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、金属製部材から発生する金属原子を低減させ、基板の金属汚染を抑制する。
【解決手段】
処理室１６に収納した基板１５にプラズマを用いて所定の処理を行う基板処理装置に於いて、前記処理室に処理ガスを供給するガス供給手段９と、処理ガス中にプラズマ領域２４を生成するプラズマ発生手段３，４と、前記処理室から処理ガスを排気する排気手段２２と、前記処理室で基板を保持する基板保持台１７とを具備し、前記処理室にシーズニング用ガスを供給しプラズマを発生させるシーズニング工程と、前記処理室でダミー基板に前記基板処理を行うダミーラン工程とを実施する様構成した。
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【課題】貫通気孔や開気孔を通して、海水成分、酸、アルカリなどが内部へ浸入し、基材を腐食させて皮膜を剥離が起きやすいとい溶射皮膜の欠点を解消できる技術を提案する。
【解決手段】溶射皮膜の開気孔部が、１０〜４５原子％の水素を含有するアモルファス状炭素水素固形物によって充填され、かつ該溶射皮膜表面には０．５〜８０μｍの膜厚のアモルファス状炭素水素固形物膜が被覆されてなる耐食性溶射皮膜と、高水素含有アモルファス状炭素水素固形物によって、該溶射皮膜の気孔を封孔し、その皮膜表面への膜形成を行う。 （もっと読む）

【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。
【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。 （もっと読む）

ナノワイヤ蛍光体を採用した発光素子が開示される。この発光素子は、紫外線の波長範囲、青色光の波長範囲及び緑色光の波長範囲内で主ピークを有する第１波長の光を放射する発光ダイオードと、前記発光ダイオードから放射された前記第１波長の光の少なくとも一部を前記第１波長に比べて長い波長の第２波長の光に変換させるナノワイヤ蛍光体とを含む。ナノワイヤ蛍光体を採用することによって、発光素子の製造費用を節減することができ、非発光再結合に起因した光損失を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。
【解決手段】基材上に薬液で溶解可能な中間層を形成後、前記中間層の表面にＣＶＤ法で炭化ケイ素膜を成膜して炭化ケイ素体とした後、前記中間層を薬液で溶解させて除去し前記基材から前記炭化ケイ素体を分離させることを特徴とする炭化ケイ素部材の製造法。 （もっと読む）

大気圧プラズマを利用した表面処理装置を提供する。表面処理装置は、処理ガス貯蔵部及び該処理ガス貯蔵部の下部に位置したプラズマ発生部からなり、ａ）前記処理ガス貯蔵部は処理ガスを導入する第１流入口を備え、ｂ）前記プラズマ発生部は、お互いに向かい合った上部電極及び下部電極と、該上部電極及び下部電極との間に形成されたプラズマ発生空間と、前記上部電極及び下部電極を絶縁させる絶縁体と、電極の表面温度を下げる放熱器と、前記処理ガスを前記処理ガス貯蔵部からプラズマ発生空間に導入する第２流入口と、前記プラズマ発生空間で生成されたプラズマ及びプラズマに転換されない処理ガスをプラズマ発生空間の外部に誘導する排出口と、交流電圧を印加する交流電源と、を含み、前記上部電極及び下部電極はすべて平板形電極であり、前記排出口は前記下部電極に形成され、前記下部電極の下側には基板が位置される。前記表面処理装置は、処理しようとする基板の形態に制限を受けることがなく、基板の処理面積を増加させることができるだけではなく、大気圧下で連続的な基板の表面処理を可能にする。
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