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Fターム[4K030CA02]の内容

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【課題】 堆積膜の軸方向の特性のムラが抑制された電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 (i)円筒状基体を含む柱状電極が内部に設置され、柱状電極に離間して対向する対向電極を内部に含む減圧可能な反応容器の内部に、堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、(ii)電源から柱状電極に電力を供給することで、周波数3kHz以上300kHz以下の矩形波の交播電圧を対向電極と柱状電極の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、工程(ii)において、柱状電極の一方の端部領域を経由する電力の供給と他方の端部領域を経由する電力の供給との切り替えを少なくとも1回行う。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体のアルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】R−Zn−X前記式中、Rはアルキル基(C2n+1)を表し、Xはハロゲン基を表す。好ましくは、前記アルキル基のnは1〜4であり、より好ましくは、前記アルキル基は、メチル基、エチル基、i−プロピル基、またはt−ブチル基を含む。好ましくは、前記ハロゲン基は、F、Br、Cl、またはIを含む。また、本蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記アルキル亜鉛ハライド酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給して、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 (もっと読む)


【課題】 帯電極性が異なる電子写真感光体を製造する際に発生する感光体の品質上の不具合を防止した電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 正帯電用または負帯電用の如き帯電極性の異なる電子写真感光体を同一の反応容器内で製造する場合には、帯電極性の異なる電子写真感光体を製造する前に、反応容器の内壁の少なくとも円筒状基体に対向する部分を、液体を使って洗浄をする。 (もっと読む)


【課題】酸化亜鉛系薄膜の蒸着に用いられる前駆体であって、下記の化学式で示されるジルコノセン(zincocene)、またはその誘導体であることを特徴とする酸化亜鉛前駆体及び蒸着方法を提供する。
【解決手段】


前記式中、R1およびR2は水素またはC2n+1を表す。好ましくは、前記nは1〜3であり、より好ましくは、前記R1およびR2は水素、メチル基、エチル基、またはi−プロピル基を含む。また、蒸着チャンバ内に基板を配置させる段階と、前記酸化亜鉛前駆体と酸化剤を前記蒸着チャンバに供給し、基板上に酸化亜鉛系薄膜を化学気相蒸着する段階と、を含むことを特徴とする酸化亜鉛系薄膜の蒸着方法とする。好ましくは、常圧化学気相蒸着にて前記基板上に前記酸化亜鉛系薄膜を蒸着する。 (もっと読む)


【課題】均一な堆積膜を安価に安定して製造可能な、堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】
反応容器と、該反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入する手段と、該クリーニング性ガスを排気する手段と、前記反応容器の内部に基体を設置するための基体ホルダと、該基体ホルダを回転運動又は往復運動させるための軸と、該軸を支持する軸受とを備え、前記軸および前記軸受の摺動面のうち少なくとも一方が固体潤滑材からなる堆積膜形成装置を用いて前記基体の外周面上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法であって、前記基体の外周面上に堆積膜を形成させた後に、前記反応容器の内部にクリーニング性ガスを導入し、前記軸を回転運動又は往復運動させながらクリーニング処理をおこない、前記クリーニング処理中に前記回転運動又は往復運動の駆動状態を変化させる。 (もっと読む)


【課題】 安価かつ簡便な手段によって電磁波の漏洩が確実に防止された堆積膜形成装置を提供すること。
【解決手段】 反応容器の中に導入された原料ガスに反応容器を通じて励起電力を印加して励起種を生成し基体の上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、前記反応容器は反応容器本体と前記反応容器本体から電気的に絶縁された反応容器構成体とからなり、前記堆積膜形成装置は前記反応容器の外部を取り囲むように配置され且つ接地電位とされた電磁波遮蔽筐体を有し、電磁波遮蔽箔体が前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体との間の空隙を塞ぐように且つ前記反応容器構成体と前記電磁波遮蔽筐体とを電気的に接続するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】固体電解質型二次電池に於いて、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。
【解決手段】正極4を酸化ケイ素(シリカ)、負極6を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素などとし、電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を貼り合わせることにより、単位電池を迅速に組立製造できる。単位電池を直列に接続してから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封する。 (もっと読む)


【課題】基材上に非晶質炭素膜を成膜するプラズマCVD装置において、正極への炭素を含む物質の付着を抑制する。
【解決手段】プラズマCVD装置100は、反応室10と、反応室10内に配置された正極20および負極30と、炭素を含む第1のガスを、正極20と負極30との間に供給する第1のガス供給部(第1のガス供給配管40)と、第1のガスの供給中に、炭素を含まない第2のガスを、正極20と負極30との間に供給する第2のガス供給部(第2のガス供給配管42、ガス流路22、金属多孔体24)と、を備える。第2のガス供給部は、第2のガスを、正極20から負極30に向かう向きに供給するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】堆積膜の均一性と特性の向上及び画像欠陥の抑制を同時に達成可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】減圧可能な反応容器の内部への円筒状基体設置工程と、反応容器の内部への堆積膜形成用原料ガス導入工程と、反応容器の内部にあって円筒状基体とは離間して配置された電極、および円筒状基体の、一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、正弦波の交番電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成工程と、を有するプラズマCVD法によって電子写真感光体を製造する方法において、交番電圧の周波数が10kHz以上300kHz以下で、電極と円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が、正であるときの電位差の絶対値の最大値、および負であるときの電位差の絶対値の最大値は、一方が放電維持電圧未満の値であって、他方が放電開始電圧以上の値である。 (もっと読む)


【課題】表面保護層の形成中、円筒状基体の温度を、電荷注入阻止層及び光導電層の形成時の温度よりも十分に低くして表面保護層に亀裂を生じさせないようにした触媒CVD方法及び装置を提供する。
【解決手段】反応室内に、高温度に加熱されるタングステンの線状触媒体27とアルミニウム製の円筒状基体15とを並列に配置し、真空状態の反応室内にSiH4とB2H6の混合ガス、SiH4とH2の混合ガス、及びSiH4とNH3の混合ガスを順次導入して、加熱された触媒体と触媒反応を起こさせ、その反応により分解生成した反応生成物を基体に到達させてアモルファスシリコン系膜を、電荷注入阻止層、光導電層及び表面保護層として順次堆積させる触媒CVD法において、表面保護層の形成に先立って、線状触媒体からの輻射熱の影響を少なくして基体の温度を十分に低下させるために線状触媒体を基体の表面から遠ざける。 (もっと読む)


【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバLLとプロセスチャンバPCの間で移送されるキャリア7と、プロセスチャンバPC内に移送されたキャリア7から基板7を受け取るフック19を備えており、基板5への真空処理はキャリア7がロードロックチャンバLLに退避した後に行われる。 (もっと読む)


【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体102を、減圧かつ電気的に接地された反応容器101の内部に設置し、電源107から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器101との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体102の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材108を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分113の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第1シャフト2の雄スプライン部4の表面(第1シャフト2の基材2Aの表面)は、被膜14によって被覆されている。被膜14は、第1シャフト2の基材2Aの表面を被覆するDLC膜15と、基材2AとDLC膜15との間に介在する中間層16とを備えている。中間層16は、基材2A側から順に、第1Cr層17、CrN層18および第2Cr層19を積層した積層構造を有している。DLC膜15には、0〜50wt%の比率でSiが添加されている。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】耐屈曲性を向上させた、信頼性の高いアルミニウム素線およびこれを備えた被覆電線を提供することにある。
【解決手段】複数本撚り合わせることにより、アルミニウム撚り線15として用いるアルミニウム素線10である。アルミニウム素線10は、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなるアルミニウム線材11の表面に、非晶質炭素被膜12が被覆されている。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体層を用いた半導体素子であって、Vthの変化が抑制された、特性の安定化した半導体素子を提供する。
【解決手段】In(インジウム)およびO(酸素)を含む酸化物半導体層と、Si(珪素)、F(フッ素)およびN(窒素)を含む絶縁層と、を有する半導体素子である。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい多孔質給電体及び陰陽両電極板を用いた水素酸素発生用電解セル及び該電解セルを組み込んだ水素酸素発生装置を安価に提供する。
【解決手段】固体電解質膜4の両面に配設された多孔質給電体5と、該多孔質給電体5に給電する陰極板2及び陽極板3からなる電解セルおいて、前記多孔質給電体5及び陰陽両電極板2,3の接触する表面に導電性炭素被膜、金属カーバイド被膜及び金属オキシカーバド被膜からなる被膜群から選ばれる少なくとも1つの被膜2a,3a,5aを被着する。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


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