【課題】対向拡散ＣＶＤにより形成されるシリカ膜を備えたガス分離材の製造方法において、欠陥が存在する多孔質基材を用いても、良好な性能を有するシリカ膜を安定して形成することができるガス分離材の製造方法を提供すること。
【解決手段】多孔質基材１２とシリカ膜とを備えるガス分離材を製造する方法が提供される。該方法は、多孔質基材１２を用意する工程と、前記基材１２の一方の面側１２ａにシリカ源含有ガス２として不活性ガスと共に供給される気化したシリカ源と、該基材１２の他方の面側１２ｂに供給される酸素含有ガス３とを反応させる化学蒸着法によって、該基材１２にシリカ膜２１を形成する工程と、前記シリカ膜２１を形成する工程において排出されるガス組成をガスクロマトグラフィーにてモニタリングすることによって、前記シリカ膜２１の形成の終了点を決定する工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのＤＬＣ膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、直流パルスプラズマＣＶＤ法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材２００は、処理室３内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材２００は、その軸線Ｃが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源８をオンすることにより、隔壁２と基台５との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室３内において原料ガスがプラズマ化し、基材２００の内周面および外周面にＤＬＣ膜が堆積される。 （もっと読む）

【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管２の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管２の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器６からスリット６１を介して３６０°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管２の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器７に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Ｓに噴射することにより、基材Ｓを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 （もっと読む）

【課題】 膜質の均一性に優れた堆積膜を有する電子写真感光体を製造する方法を提供する。
【解決手段】 真空気密可能な反応空間を有する反応容器内に、導電性の基体ホルダーに保持された導電性の円筒状基体および導電性の円筒状補助基体を設置し、該反応容器内に堆積膜形成用の原料ガスと高周波電力を導入してプラズマを生成することにより、該円筒状基体の表面に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、該円筒状基体の端部と該円筒状補助基体の端部とが導電性材料を介して相接している状態で、該堆積膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】熱伝達効率が高く、信頼度の高い伝熱管をより安価で製造する装置を提供する。
【解決手段】ロール・ツ・ロール方式により第１のローラ２５０から金属部材を前処理部４００に供給し、金属部材をプラズマ４１０で表面処理し、前処理した金属部材をグラフィン合成部５００に移動させて、金属部材表面にグラフィンを合成すると共にコーティングし、コーティングされた金属部材を第２ローラ３００に巻いて回収するグラフィンロール・ツ・ロールコーティング装置。 （もっと読む）

【課題】円筒状の基材の外周面を容易に且つ精度良く処理することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ処理装置は、真空容器５内に立設された円柱状のカソード電極７とこの外周面と内周面とが対向するように配置された円筒状の防着部材１４とを有している。電極７の外周部には処理対象物である円筒状の基材１１が配置される。基材１１の内径寸法は電極７の外径寸法と略同じに設定されており、基材１１の内周面と電極７の外周面とはほぼ密着する。真空容器５内にエッチングガスを導入し、電極７に高周波電力を供給すると電極７と防着部材１４との間にプラズマが形成される。これにより、マスクパターンに覆われていない基材１１の表面が垂直にエッチングされて基材１１自身の表面全体に凹凸パターンが均一に形成される。 （もっと読む）

【課題】器壁の内面及び／又は外面に蒸着膜を形成することにより、著しくガスバリア性が向上したポリエステル容器を提供する。
【解決手段】器壁がポリエステル樹脂からなり、器壁の内面及び／又は外面にプラズマＣＶＤ法によって形成された蒸着膜が形成されているポリエステル容器において、蒸着膜は、ＦＴ−ＩＲ測定で、波数３２００〜２６００ｃｍ^−１の領域にＣＨ、ＣＨ_２及びＣＨ_３に由来する炭化水素系ピークを示し、これら炭化水素系ピークから算出されるＣＨ、ＣＨ_２及びＣＨ_３の合計当りのＣＨ_２比が３５％以下及びＣＨ_３比が４０％以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】触媒ＣＶＤ法において、緻密で、膜質の良好な半導体層を有する電子写真感光体の形成が可能な堆積膜形成方法を提供する。
【解決手段】基体を収容する真空容器と、該真空容器内に原料ガスを供給するガス供給手段と、該ガス供給手段より供給される原料ガスに接触するように配置された触媒体と、を備えた触媒ＣＶＤ装置を用いて、少なくとも水素及び／又はハロゲンを含む非単結晶シリコン膜を製造する堆積膜形成方法であって、前記原料ガスのうち、シリコン原子を含んだガス状の分子が前記真空容器内に導入されてから排出されるまでの間に、前記触媒体に衝突する回数が１回以上、４回以下となる条件下で堆積膜形成を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

断面寸法（たとえば直径）が相対的に小さい被加工物（６０）を、断面寸法が相対的に大きい被加工物（１０）内の中心に置く。これらの被加工物は電気的に接続される（６２）。ある実施例では、これら２つの被加工物の表面を同一のコーティング材料または異なるコーティング材料で同時にコーティングできる。別の実施例では、穴は、ガス分配インジェクタおよびアノードホルダとして機能する内側の金属管の長さに沿って位置する。セラミックライナを内側の金属管の中に設けてもよく、このセラミックライナ内に導電性ワイヤがある。内側の金属管（１０）をカソードとしてバイアスしてもよく、上記内側のワイヤはアノードとしてバイアスされる。ホローカソード効果が、コーティングされている１つまたは複数の表面に隣接するすべての空間に与えられる。いくつかの応用例では、コーティング中の異なる表面が異なる電圧でバイアスされる（２０）。
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シリコン製直立管を使用して内部にガスが流通される反応器内での化学気相蒸着によってポリシリコンまたはその他の材料を製造するための、システムおよび方法が提供される。シリコン製の直立管は、前駆ガスが反応室の種々の部分に注入され得るように、ノズル連結器を使用して反応器システムに取り付けられ得る。結果として、反応室全体のガス流れが改善され、これによりポリシリコンの産出量を増加でき、ポリシリコンの品質を改善でき、エネルギーの消費を低減できる。
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本発明は、真空処理チャンバに容器を送り込み、該チャンバから容器を取り出すためのロック装置であって、容器のためのキャリアプレートを備え、該プレートが、回転輸送手段に締結され、該輸送手段の直線部分に設けられるロックチャンネルを通じて輸送され、それにより、該チャンネルと共にシール効果を得るロック装置に関する。該プレートは、ロックチャンネルの吸引孔または換気孔を通過して移動される。このようにして、差圧ステージを形成できる。装置は、柔軟に寸法設定できるとともに、高い費用効率で製造できる。 （もっと読む）

【課題】処理パラメータの変動をあまり受けない、化学蒸着用の前駆体物質のより制御可能な計量を行う。
【解決手段】加工物３０上に層を生成する方法であって、層を生成する少なくとも１つの成分を計量し、この成分は計量の際に液相中に存在し、次の処理工程において、異なる凝集状態に少なくとも部分的に変わる方法。 （もっと読む）

【課題】繰り返し使用されるアモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーを磨耗劣化させることなく、またビーズなどの画像欠陥の原因となるものを使用せず基体ホルダーに付着した物質を効果的に除去可能な基体ホルダー処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】アモルファスシリコンを主成分とする光受容部材の形成に用いられる基体ホルダーに付着した物質を、パルスレーザー光を照射して除去する工程を含むことを特徴とする基体ホルダーの処理方法。 （もっと読む）

【課題】良好な電子写真特性を持つ電子写真感光体を、生産性良く製造することが可能な電子写真感光体製造装置を提供する。
【解決手段】反応容器の中に複数の円筒状基体１０５がそれぞれ設置され、反応容器の側壁を兼ねた放電電極１０１により囲まれている。そして、仕切板１０４が、円筒状基体１０５の被堆積面が互いに直接対向することがないように円筒状基体１０５同士の間に設けられ、かつ、放電電極１０１と電気的に接続されている。仕切板１０４は反応容器より取り外し可能な構成であり、堆積膜形成時における仕切板１０４の形状と、仕切板１０４が反応容器から取り外された状態における仕切板１０４の形状とが異なる。 （もっと読む）

【課題】スリーブ本体の先端部と円筒容器の開口端部との干渉による削れカスが生じにくく、しかも、円筒容器の挿入に伴う出し入れ時に円筒容器に傷等のダメージを与えない円筒容器保持用マンドレルを安価に提供する。
【解決手段】底部を有する円筒容器Ｃの内側に挿入してその円筒容器を保持するマンドレルＭであって、前記円筒容器に挿入されるスリーブ本体１と、該スリーブ本体の先端部に着脱可能に設けられた先端部材１０とを備えるとともに、前記先端部材のうち、少なくとも前記スリーブ本体に挿入された円筒容器の底部の内面と当接する部分の表面に硬質被膜１１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、薄膜形成装置において、当該装置の品質・稼動に支障をきたすことなく、排気経路の内壁等の容器近傍の排気経路まで広がったプラズマにさらされる内壁に付着しているダストを容易に清掃可能とすることである。
【解決手段】本発明の薄膜形成装置は、容器１を収容する外部電極４と、容器の内部に原料ガスを供給する原料ガス供給管５と、容器の口部の上方に絶縁部材６を介して外部電極と対向して配置され、容器の内部ガスを排気する排気配管７と、排気配管と接続された排気手段８と、外部電極に接続された電磁波発生手段１０と、を有するプラズマＣＶＤ法によって容器の表面に薄膜を成膜する薄膜形成装置であり、容器１の外部でプラズマと接触する内壁部分よりも排気手段８寄りにセンサー１８類・圧力開放弁２０等の配管分岐箇所を設置し、かつ、容器１の外部でプラズマと接触する内壁を入れ子構造２１とした。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性薄膜で被覆されているプラスチック容器において、ガスバリア性を低下させることなく透明性を高めることができるプラスチック容器を提供する。
【解決手段】本発明のガスバリア性プラスチック容器は、プラスチック容器の表面にプラズマエッチング処理を施すことにより二乗平均粗さ（Ｒｍｓ）を２ｎｍ以下にする工程、次にプラズマＣＶＤ法によりプラスチック容器の表面に膜厚が５〜３５ｎｍのガスバリア性薄膜（ダイヤモンドライクカーボン膜）を形成することにより得られる。 （もっと読む）

【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 （もっと読む）

【課題】その欠点を矯正し、多孔性の基材が、制御された微細構造の物質で高密度化されることを可能とする化学気相浸透方法の提供。
【解決手段】浸透条件を、化学蒸着浸透プロセスの開始および終わりにおいて、少なくとも１つの浸透パラメーター、すなわち、ガス相の滞留時間、圧力、温度、ガス相の前駆体含有量、およびガス相の任意のドーパントの濃度を変化させることによって修飾し、変化させ、それにより、浸透条件を、基材内に沈積した物質の微細構造を制御するための基材の孔サイズの変化に適合させることができ、特に一定の微細構造を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で効率よく、被処理物の外面のプラズマ処理を行なうことができる、放電処理装置および放電処理方法を提供する。
【解決手段】両端が開口した貫通空間が形成された筒状の電極２０を備える。被処理物１を、貫通空間の一端から進入させ、他端から退出させ、被処理物１が貫通空間を通過するときに、電極２０に電圧を印加して、電極２０と被処理物１との間で放電を発生させ、この放電によりプラズマ化したガスを被処理物１の外面２に接触させて、被処理物１の外面１をプラズマ処理する。被処理物１の内部にアース電極を設けることなく、プラズマ処理することができる。 （もっと読む）