【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハＳＷをチャンバ５７から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ５７において１５０から４００℃の第２の温度で半導体ウエハＳＷを熱処理することにより、半導体ウエハＳＷの主面上に残留する生成物を除去する。 （もっと読む）

【課題】 高耐擦傷性ハードコート層などのような硬度の高い層であっても容易に積層可能であり、かつ高硬度、高耐擦傷性と柔軟性と、を同時に兼ね備えた高耐擦傷性ハードコートフィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムに、紫外線硬化型樹脂よりなる第１ハードコート層と、有機無機ハイブリッド樹脂よりなるアンカーコート層と、化学蒸着実行時に有機珪素系又は有機アルミニウム系の反応ガスを用いて成膜して得られる高耐擦傷性を有する第２ハードコート層と、を備えた構成を有する高耐擦傷性ハードコートフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】有害な界面層を形成する追加の酸化が生じない、高い誘電率の誘電体を備えたＭＩＭＣＡＰ構造を提供する。
【解決手段】電子デバイスが、第１電極と、チタン酸化物および第１ドーパントイオンを含む誘電体材料層とを含む。誘電体材料層は、第１電極の上に形成される。第１ドーパントイオンは、Ｔｉ^４＋イオンと比べて１０％またはそれ以下のサイズ不整合を有し、誘電体材料は、６５０℃未満の温度でルチル正方結晶構造を有する。電子デバイスは、誘電体材料層の上に形成された第２電極を備える。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】低転位密度の窒化物半導体を成長することが可能な窒化物半導体成長用基板及びその製造方法、並びに窒化物半導体成長用基板を用いて作製される窒化物半導体エピタキシャル基板及び窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板のＣ面である主面に、前記主面に対して９０°未満で傾斜した側面を有する錐状または錐台状の凸部が格子状に配置して形成されており、前記主面からの前記凸部の高さが０.５μｍ以上３μｍ以下で、隣接する前記凸部間の距離が１μｍ
以上６μｍ以下であって、前記凸部の前記側面の表面粗さＲＭＳが１０ｎｍ以下である窒化物半導体成長用基板である。 （もっと読む）

【課題】メモリー効果を抑制し、急峻な材料ガスの切替え制御が可能で、組成や不純物濃度制御に優れ、ピット密度が低く高品質な結晶成長を行うことができる気相結晶成長装置及び材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】第１の材料ガス及び第２の材料ガスがそれぞれ供給され、互いに上下に分離された第１の材料ガス供給室及び第１の材料ガス供給室の上部に設けられた第２の材料ガス供給室と、第１の材料ガス供給室に隣接して第１の材料ガス供給室の下部に設けられた第１の冷却ジャケット及び第１の冷却ジャケットの下部に配された第２の冷却水ジャケットとからなる冷却器と、冷却器を貫通するとともに第１の材料ガス供給室に連通して第１の材料ガスを噴出する第１の材料ガス通気孔と、冷却器を貫通するとともに第２の材料ガス供給室に連通して第２の材料ガスを噴出する第２の材料ガス通気孔と、を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜の安定性を高めることができる原子層堆積装置及び原子層堆積方法を提供する。
【解決手段】原子層堆積装置１００は、ロール・ツー・ロールで搬送される基材の第１の面を支持しつつ、前記基材の搬送方向を第１の方向から前記第１の方向とは非平行な第２の方向へ変換するように構成された第１のガイドローラ１１Ａと、前記基材の前記第１の面を支持しつつ、前記基材の搬送方向を前記第２の方向から前記第２の方向とは非平行な第３の方向へ変換するように構成された第２のガイドローラ１１Ｂと、前記第１のガイドローラと前記第２のガイドローラとの間に配置され、前記基材の前記第１の面とは反対側の第２の面に対向し、原子層堆積のための原料ガスを前記第２の面に向けて吐出するように構成された第１のヘッド１２Ａとを具備する。 （もっと読む）

【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO₂パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 （もっと読む）

【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Ｗの表面にシード膜８８と不純物含有のシリコン膜９０を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第１ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第２ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜３０２またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】Ｒｕの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第１材料を有する第１領域と、露出した第２材料を有する第２領域とを含み、第１材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第２材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、（ａ）第１ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第１領域でなく第２領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に（ｂ）基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】プラグが微細化しても埋め込み不良が生じることなく、低コストで形成することができ、さらに種々の半導体装置に適用可能であるプラグ及びその形成技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜にビアを形成し、ビア内側に密着層を形成し、密着層上にシリコン層を形成し、タングステンを含むガスをシリコン層と反応させることにより、ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【解決手段】金属又は金属化合物からなる基体の表面を、表面粗さ５ｎｍＲ_max以下に研磨した後、この被研磨面をテンプレートとして、基体表面に単原子層又は２原子層からなる薄膜を形成する。
【効果】本発明によれば、従来に比較して飛躍的に広い面積範囲に亘って単一ドメインで、欠陥・粒界の少ない、グラフェン膜、ｈ−ＢＮ膜等の、厚さが１〜２原子層分の薄膜を、再現性よく安定的に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性（ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと）にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Ｚｎ、Ｓｎ、およびＩｎと；Ｓｉ、Ｈｆ、Ｇａ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｔａ、Ｗ、およびＮｂよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素（Ｘ群元素）と、を含むものである。 （もっと読む）

【課題】少ない雰囲気ガスの量でチャンバー内の不純物を効率的に除去することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、チャンバー４と、噴出口部５と、吸入口部６とを備えている。チャンバー４は、複数の側面２を有する側面部３を含む。噴出口部５は、チャンバー４に雰囲気ガス７を供給するためのものである。吸入口部６は、チャンバー４から雰囲気ガス７を排気するためのものである。噴出口部５と吸入口部６とは側面２に沿って配置されている。噴出口部５と吸入口部６との少なくとも一方は線形状であり、かつ側面２の周縁側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ等のベース基板上方に窒化物半導体からなる半導体結晶層を形成する場合に、当該半導体結晶層の転位密度を低減する。
【解決手段】ベース基板をエピタキシャル結晶成長装置の成長室に設置した後、ベース基板の上に、接着層、バッファ層および活性層をエピタキシャル成長法により順次形成する層形成工程を有し、接着層形成工程が、第１結晶層を形成する工程と第２結晶層を形成する工程と、を有し、第１結晶層の形成後であって第２結晶層の形成前の第１の段階、および、第２結晶層の形成後であってバッファ層の形成前の第２の段階、からなる群から選択された少なくとも１つの段階において、３族原料ガスの供給を停止するとともに成長室の内部を、アンモニアを含むガスの雰囲気に一定時間だけ維持する雰囲気維持工程を有する半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）