【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】 下地１上にシード層２を形成する工程と、シード層２上にシリコン膜３を形成する工程と、シリコン膜３及びシード層２を酸化し、下地１上にシリコン酸化物膜４を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】キャリア電子の移動度が高く、光電変換素子の入射光側電極として好適に用いられるフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法の提供。
【解決手段】膜厚６００ｎｍ以上のフッ素ドープ酸化スズ膜の基体上に形成するフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法であって、成膜開始時の基体温度をＴ₁とし、成膜終了時の基体温度をＴ₂とするとき、下記（１）〜（３）の条件を満たすように、基体温度を下降させつつ、ＣＶＤ法を用いて、２００Ｐａ以下の圧力下で、フッ素ドープ酸化スズ膜を基体上に形成した後、非酸化雰囲気で基体温度３００〜６５０℃で熱処理することを特徴とするフッ素ドープ酸化スズ膜の形成方法。
（１）Ｔ₂＝３６０〜３８０℃
（２）ΔＴ（Ｔ₁−Ｔ₂）＝４５〜６５℃
（３）少なくともフッ素ドープ酸化スズ膜の膜厚２００ｎｍが達するまでに基体温度の下降を開始する。 （もっと読む）

【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部３の上方で、パターニングされた３層の導電層（ここでは金属層の第３配線７ｃ）上の第４絶縁膜６ｄ上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すＲＦパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように７００Ｗ〜１５００Ｗに設定するプラズマＣＶＤ法によりパッシベーション膜８を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜８から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜８は、その膜厚が５０〜１００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】チャネル移動度を向上させた不揮発性半導体記憶装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板２０上に設けられたメモリトランジスタ４０と選択トランジスタ５０を有する。メモリトランジスタ４０は、導電層４１ａ〜４１ｄ、メモリゲート絶縁層４３、柱状半導体層４４、及び酸化層４５を有する。導電層４１は、メモリトランジスタ４０のゲートとして機能する。メモリゲート絶縁層４３は、導電層の側面に接する。半導体層４４は、導電層と共にメモリゲート絶縁層４３を一方の側面で挟み、半導体基板２０に対して垂直方向に延び、メモリトランジスタ４０のボディとして機能する。酸化層４５は、半導体層４４の他方の側面に接する。半導体層４４は、シリコンゲルマニウムにて構成される。酸化層４５は、酸化シリコンにて構成される。 （もっと読む）

【課題】３価のＡ元素と、４価のＢ元素と、酸素Ｏとを含有し、組成式がＡ_xＢ₆Ｏ_1.5X+12（ただし、６≦Ｘ≦３０）で表される複合酸化物からなる膜のＡ／Ｂ組成比を所望の値に制御するとともに、該膜を薄膜として得る。
【解決手段】メインチャンバ３２に、例えば、酸化剤、Ｌａ（Ａ元素）供給源、Ｓｉ（Ｂ元素）供給源をそれぞれ収容した第１、第２及び第３原料ボトル３４、３６、３８を接続する。メインチャンバ３２の室内へのＬａ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージ、Ｓｉ源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージを行うことにより、Ｓｉ（１００）等からなる基板１２上に、Ｌａ₂Ｏ₃膜、ＳｉＯ₂膜を順次積層する。Ｌａ源とＳｉ源の供給回数比を調節することにより、最終的に得られるＬａ_xＳｉ₆Ｏ_1.5X+12におけるＬａ／Ｓｉ組成比を制御することができる。なお、Ｌａ源、Ｓｉ源及び酸化剤は、基板１２の水平な上端面に対して平行に流通する。 （もっと読む）

【課題】陽極及び陰極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極にアモルファス(非晶質)炭化ケイ素、及び陰極にアモルファス窒化ケイ素を高速で且つ安価に製膜する製法を提供する。
【解決手段】陽極にアモルファス(非晶質)ＳｉＣ、及び陰極にアモルファス(非晶質)Ｓｉ_３Ｎ_４を、電極リード金属性の基盤６に高速で製膜する製法として、大気圧プラズマ化学蒸着CVD法により、一般にプラズマ励起に用いられている電源周波数より高い、例えば550MHz（UHF帯）の高周波電源１０を使用して、安定なグロープラズマ４を発生させ、高密度に生成される反応種を利用した高周波(ＵＨＦ帯＞３００ＭＨｚ)成膜法を採用する。これにより電極３と基板７の間の小さなギャップにおいて高密度なプラズマを発生させることが可能となり。高速製膜を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するＡＬＤにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ＡＬＤを行う成膜装置１０１と、アニール処理を行う熱処理装置１０２と、を真空搬送室１０３に気密に接続すると共に、真空搬送室１０３内に自転機構である回転ステージ１３２を設ける。そして、ウェハに対してＢＴＢＡＳガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでＢＴＢＡＳガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するＯ3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置１０１からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 （もっと読む）

【課題】大気中で熱処理を実施することにより、トンネル炉等の気密性の低い簡易な設備を用いて行うことができるフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法の提供。
【解決手段】フッ素ドープ酸化錫膜を形成する基体表面の温度（成膜面温度）が５００℃以上となる条件で、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を該基体上に形成し、該成膜面温度が２８０℃以下になるまで冷却した後、該成膜面温度を２８０〜５４０℃の温度域に大気中で加熱した後、該成膜面温度を２８０℃以下に冷却するフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法であって、大気中での加熱時において、フッ素ドープ酸化錫膜から酸素の脱離が起こり、かつ、該フッ素ドープ酸化錫膜への酸素の再吸着が起こらないように、２８０℃と該成膜面の最高到達温度との間の温度域における積分温度値を設定することを特徴とするフッ素ドープ酸化錫膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な高濃度硫黄ドープ窒化物半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＨＶＰＥ法による窒化物半導体結晶の成長において、硫化水素、メチルメルカプタンおよびジメチルサルファイド等の硫黄原子を含む原料を供給して、下地基板上に窒化物半導体結晶を＋ｃ軸方向以外の方向へ成長させることにより、Ｓ濃度が１×１０18〜１×１０20ｃｍ-3であり、かつ対称反射のＸ線ロッキングカーブの半値全幅が１００秒以下である窒化物半導体結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】下地層との密着性に優れた銅膜を製造する方法の提供。
【解決手段】成膜対象物上に下地層としてチタン膜を形成した後、この下地層を水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理し、次いでその上に銅膜を作製する。このように銅膜を作製した後、さらに水素ガス雰囲気中で１００℃以上２００℃未満の温度で熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】金属酸化膜の表面に形成される導電膜の基板面内における厚さばらつきを低減して、半導体装置の歩留まりを向上させることが可能であり、かつ導電膜の成長速度を向上させて、半導体装置の生産性を向上させることの可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、金属酸化膜を含む誘電体膜５を形成する工程と、誘電体膜５において、表面５ａに非晶質の金属酸化膜が露出した状態で、誘電体膜５の表面５ａに導電膜６を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】概ね１２５０℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているＭＯＣＶＤ装置を用いて、低コストで品質の高い優れたＡｌＮ層を製造する。
【解決手段】ＡｌＮ層の製造方法において、ｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板をＡｌＮ成長に先んじてＡｌＮ成長を行う１０００℃以上１２００℃以下の成長温度にまで昇温する第１ステップと、第１ステップにより１０００℃以上１２００℃以下で加熱されているｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、１０００℃以上１２００℃以下の成長温度でＡｌＮ層を成長する第２ステップと、第２ステップで形成したＡｌＮ層を、Ｈ_２またはＮ_２またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにＮＨ_３が混入されたプロセスガス中で１０００℃以上１２５０℃未満の温度でアニールする第３ステップと、第３ステップでアニールされたＡｌＮ層上に１０００℃以上１２５０℃未満の成長温度でＡｌＮ層を成長する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】結晶粒のサイズを制御し、誘電体膜を貫通する結晶粒界やクラックの発生を抑制することによって、リーク電流の少ない高性能のキャパシタを提供する。
【解決手段】電極３，５の間に誘電体膜４が挟持されてなるキャパシタであって、誘電体膜４は、アルカリ土類金属と遷移金属との酸化物に、アルカリ土類金属の炭酸塩を０．１〜１０ｍｏｌ％の範囲で含む。 （もっと読む）

【課題】高い誘電率でリーク電流の低い誘電体膜を有する高集積化可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に誘電体膜を形成する成膜工程と、前記誘電体膜を熱処理する熱処理工程と、前記熱処理後の誘電体膜にイオン化したガスクラスターを照射する照射工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。
【解決手段】結晶の粉を付着させた基板の上にＣＶＤで結晶層を成長をさせる。結晶の粉が種結晶となり、それが大きくなり結晶グレインを形成する。結晶欠陥の数または密度が当該結晶粉に依存してグレインが安定に成長する。従って、当該粉を水溶液から安定に再現性よく付着させることで、結晶の成長層のグレイン密度を制御できる。また、前記粉をマスクにしてプラズマエッチングし、ランダムに凹みを形成したサファイア基板９１にＬＥＤのためのＧａＮ結晶層８５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロール技術において、作業の効率化、或いは、改善を更に図った成膜方法を提供する。
【解決手段】第１基体を第１ロール室から第２ロール室へ向う第１の方向に第１ロール室から繰り出す段階、第１基体を脱ガスする段階、第１基体に第２成膜室で第２の膜材料を成膜する段階、第１基体を第２ロール室で巻取ることにより第１基体を生成する段階を備え、更に、第２ロール室から第１ロール室へ向う第２の方向において第２基体を生産するために同様の動作を行う。ここで、第２の膜材料が成膜された第１基体を生成するにあたり、第１成膜室の第１カソード電極が第１成膜室から取り除かれ、また、第１の膜材料が成膜された第２基体を生成するにあたり、第２成膜室の第２カソード電極が第２成膜室から取り除かれる。 （もっと読む）