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Fターム[4K030EA03]の内容

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【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【目的】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
結晶成長装置10は、基板15の成長面に対して材料ガスを水平な流れで供給する材料ガス供給管12と、押さえガスを成長面に垂直ないしは材料ガスの下流方向に傾斜した流れで供給する副噴射器20と、を含む。副噴射器20の内部に設けられた遮熱器25は、押さえガスが流入する流入側開口部26aと押さえガスを噴出する流出側開口部26bとを有する枠体26と、枠体26の内部に収容された複数の粒状の充填材27と、を含む。
充填材27は、流出側開口部26bから流入側開口部26aへの見通し経路を形成しないように枠体26の内部に収容されている。 (もっと読む)


【目的】
サセプタからの輻射熱を効率的に消散させて副生成物の生成及び付着を防止し、また、結晶成長を繰り返し実行しても、高品質な結晶層を成長可能なホリゾンタル方式の気相成長装置を提供する。
【解決手段】
材料ガス流路を画定する材料ガス供給部は、基板保持部に対して材料ガス流路の上流側に配され、基板保持部から放射される赤外線に対して透過性の材料からなる材料ガス供給ガイドを有している。材料ガス供給ガイドは、材料ガス流路を画定する面とは異なる面に形成された凹凸構造からなる赤外線出射部を有している。 (もっと読む)


【課題】基板面内の膜組成及び膜特性を均一に保持することが可能な薄膜製造方法および薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ステージ52上の基板Wを加熱しつつ、ステージ52と対向するガスヘッド53から、蒸気圧の異なる複数の金属元素を含む第1の成膜用ガスが基板Wの中央に供給され、複数の金属元素を第1の成膜用ガスとは異なる組成比で含む第2の成膜用ガスが基板Wの周縁に供給されることで、基板W上に薄膜が製造される。チャンバ51内では基板W上の中央から周縁に向かってガスの流れが発生するが、第1の成膜用ガスと第2の成膜用ガスとによって、基板W上のガスの分布を最適化することができる。 (もっと読む)


【課題】反応管内の異物汚染を抑制可能な半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】処理室内で基板に対し膜を形成する工程と、該膜形成後の処理室内の少なくとも一部に堆積した堆積物を除去する工程とを有し、前記除去工程では、前記堆積物をエッチングする第一ガスを前記処理室内に供給する第1工程と、少なくとも前記第一ガスよりも前記処理室を構成する部材に対するエッチング力が弱いか、若しくは前記部材に対するエッチング力のない第二ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内の圧力を上昇させる第2工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】簡易な配管構成を採用しながら、基板の最外周の特性補正を有効に行うこと。
【解決手段】ガス供給装置60は、シャワーヘッド16と、処理ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する処理ガス供給部66と、処理ガス供給部66からの処理ガスを流す処理ガス供給流路64と、処理ガス供給流路64から分岐してシャワーヘッド16に処理ガスを供給する分岐流路64a,64bと、付加ガスをシャワーヘッド16に向けて供給する付加ガス供給部75と、付加ガス供給部75からの付加ガスをシャワーヘッド16に流す付加ガス供給流路76とを具備し、シャワーヘッド16は、ウエハWの配置領域にガスを供給する第1、第2ガス導入部51,52と、ウエハWの外縁よりも外側にガスを供給する第3ガス導入部53とを有し、分岐流路64a,64bは第1、第2ガス導入部51,52に接続され、付加ガス供給流路76は、第3ガス導入部53に接続されている。 (もっと読む)


【課題】低温領域において適正な特性を有するSiC系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法,基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 (もっと読む)


【課題】処理室内に発生した異物の攪拌を抑制することにより、基板への異物の吸着を抑制する。
【解決手段】処理ガス供給ライン1aから処理室内への処理ガスの供給と、不活性ガス供給ライン2aから処理室内への不活性ガスの供給と、を含むサイクルを繰り返すことで基板に対して処理を行い、その際、処理ガス供給ラインおよび不活性ガス供給ラインに、処理ガスおよび不活性ガスをそれぞれ供給した状態を維持し、処理ガス供給ラインから処理室内へ処理ガスを供給する際には、不活性ガス供給ラインに供給された不活性ガスを処理室内に供給することなく不活性ガスベントライン2bより排気し、不活性ガス供給ラインから処理室内へ不活性ガスを供給する際には、処理ガス供給ラインに供給された処理ガスを処理室内に供給することなく処理ガスベントライン1bより排気し、サイクルを繰り返す際、処理室内におけるトータルガス流量が一定となるようにする。 (もっと読む)


【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板10が載置されるサセプタ120と、サセプタ120と対向し、被処理基板10上に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド130と、シャワーヘッド130に複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合してそれぞれ導入する複数の混合配管と、複数の材料ガスの各々において流量を調整しつつ分岐してそれぞれを、複数の混合配管のいずれかに送る複数のガス分岐機構とを備える。シャワーヘッド130は、複数の混合配管のそれぞれで混合された複数の混合ガスをサセプタ上の複数の領域にそれぞれ噴き付ける。複数の混合ガスの各々においては、上記所定の複数の材料ガスの各々の濃度および流量が調節されている。 (もっと読む)


【課題】ガイドローラと基材とを接触させずに巻き取り可能な基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する。
【解決手段】第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、第一前駆体及び第二前駆体を排出するために用いられるパージガスが導入される第三真空気室と、基材の幅方向の両端部を保持する保持部を有し、基材を、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室に搬送する搬送機構とを備え、搬送機構が、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室のいずれかの室内に、かつ自身の一部が他の室内に位置しないように配置された巻き取り成膜装置を用いて、基材を巻き取りながら基材上に成膜を行う巻き取り成膜方法は、搬送機構により、基材を第一真空気室及び第二真空気室を交互に複数回通過させて、基材の表面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】InGaNを含む半導体の形成で、高品質・高In組成のInGaNを含む半導体の形成を可能とする。
【解決手段】
気相成長装置を用いて、基板上に少なくともInGaNを含む半導体薄膜を形成する気相成長方法であって、前記気相成長装置内で第一のN源とIn源とを反応させ、InN源を生成する第1のステップと、前記気相成長装置内で、第一のN源とは異なる第二のN源とGa源とを反応させ、GaN源を生成する第2のステップと、前記第1のステップで生成された前記InN源と、前記第2のステップで生成された前記GaN源とを前記基板上で反応させ、前記基板上に薄膜を形成する第3のステップとを有する気相成長方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体215が誘電体窓207の下のエンクロージャ200内に配置される。RF電力アプリケータ240が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にRF電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置230、235が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル270が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 (もっと読む)


【課題】結晶成長を繰り返し実行しても、成長結晶層の層厚及び結晶組成の変化が低減された、高品質な結晶層を成長できる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】押さえガスを供給する副噴射器の内部に遮熱器25が設けられている。遮熱器25は、押さえガスが流入する複数の流入側通気部27Aと、流入側通気部と互いに連通し、流入側通気部27Aから流入した押さえガスを噴出する複数の流出側通気部27Bを有し、上記流出側通気部27B及び流入側通気部27Aは、流出側通気部27Bの開口部から流入側通気部27Aの開口部への見通し経路を有しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ放電部を複数並べて任意の大きさの試料に対応できるように放電面積を拡大する場合であっても、単位あたりの電力コストを増加することなく、均一なプラズマ生成が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波信号回路13及び高周波電力回路11を有する高周波電源と筐体21と放電電極2とを備えたプラズマ処理装置において、筐体21内に設置された放電電極2と高周波電力回路11とでプラズマモジュールを構成し、複数個並列接続されたプラズマモジュールに高周波信号回路13からの周波数信号を入力する。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、ゲート開度を調整することによってガス配管のガス圧力を調整するバルブと、前記バルブに接続された軸部と、ガイド部と、前記軸部を軸回転させる回転駆動部と、ガス配管内のガス圧力が所望のガス圧力となるよう前記回転駆動部を制御する制御部と、を備えている。前記ガイド部は、前記軸部を支持するとともに、前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させる。また、前記ガイド部は、前記軸部を囲う筐体と、一方の端部が前記筐体に固定配置されるとともに他方の端部が前記ねじ溝に接触する固定ピン部と、を有している。前記軸部は、1本のねじ溝に複数種類のピッチが設けられ、且つ前記ねじ溝が前記固定ピン部と接触した状態で回転しながら軸方向に移動する。 (もっと読む)


【課題】Ruの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第1材料を有する第1領域と、露出した第2材料を有する第2領域とを含み、第1材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第2材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、(a)第1ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第1領域でなく第2領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に(b)基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 (もっと読む)


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