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Fターム[4K030EA06]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの処理 (4,687) | 反応室へのガス導入 (2,961) | 吹出ノズル (1,806) | 配置 (742)

Fターム[4K030EA06]に分類される特許

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【課題】成膜に十分な量のラジカルを生成し、かつそれを失活することなく基板上に輸送することで成膜速度の向上を図ると共に、基板に加わる熱による損傷を低減し、膜質を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室1と、処理ガスを処理室1に供給する処理ガス供給部と、前記処理室1を、2つの空間に隔て、前記処理ガスを一方の空間から他方の空間に通流させる通流孔5aを有する遮熱板5と、前記一方の空間に配され、前記処理ガスを接触させることにより該処理ガスを活性化させる触媒6を支持する触媒支持部61と、前記他方の空間に配され、基板を支持する基板支持体3とを備える基板処理装置において、前記遮熱板5の前記他方の空間側の面の温度を、前記一方の空間側の面より低い温度となるように制御する温度制御部を備える。 (もっと読む)


【課題】整合器や伝送線路の発熱やパワーロス、さらには整合器や伝送線路の組み付けの違いによるインピーダンスの変動による電流差が生じにくい基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置100は、高周波電力を発生させる高周波電源6と、高周波電源6から高周波電力が供給されてプラズマを生成させるためのプラズマ生成電極2と、高周波電源6とプラズマ生成電極2との間に介在し、伝送路9のインピーダンスと負荷のインピーダンスとを整合させる単一の整合器7と、整合器7とプラズマ生成電極2との間に介在し、これらの間のインピーダンスを調整するインピーダンス調整回路8とを具備し、整合器7は、プラズマとインピーダンス調整回路8とを一つの負荷としてインピーダンスの整合をとり、インピーダンス調整回路8によりインピーダンスを調整することにより、整合器の出力インピーダンスがプラズマのインピーダンスよりも高い所定の値に調整される。 (もっと読む)


【課題】基材上に非晶質炭素膜を成膜するプラズマCVD装置において、正極への炭素を含む物質の付着を抑制する。
【解決手段】プラズマCVD装置100は、反応室10と、反応室10内に配置された正極20および負極30と、炭素を含む第1のガスを、正極20と負極30との間に供給する第1のガス供給部(第1のガス供給配管40)と、第1のガスの供給中に、炭素を含まない第2のガスを、正極20と負極30との間に供給する第2のガス供給部(第2のガス供給配管42、ガス流路22、金属多孔体24)と、を備える。第2のガス供給部は、第2のガスを、正極20から負極30に向かう向きに供給するように設けられている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、電界分布及びプラズマ分布をより均一化させ、大面積の基板にも安定した製膜処理が行える真空処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】リッジ電極21a,21b及び非リッジ部22a,22bを有するリッジ導波管からなる放電室2と、リッジ部31a,31b及び非リッジ部32a,32bを有するリッジ導波管からなる変換器3A,3Bと、放電室2および変換器3A,3Bの内部の気体を排出させる排気手段9と、母ガスをリッジ電極間に供給する母ガス供給手段10とを有し、リッジ電極21a,21bの対向する面間の距離をd、放電室2及び変換器3A,3Bのリッジ導波管の横幅をa、放電室2のリッジ導波管の長さをl、及び供給される高周波電力の真空中波長をλ、と定義した場合に、それぞれ±2%の変動を許容する範囲で以下の式d=0.004λ、a=0.72λ、l=0.52λを満たす真空処理装置1。 (もっと読む)


【課題】基板とそれを載置する冶具との間の貼り付きを防止する成膜方法および成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜室であるチャンバ103内に配置された冶具であるサセプタ102上に基板101を載置し、サセプタ102を上部で支持する円筒部104aを備えた回転部104を回転させながら、ガス制御部140の制御によって、チャンバ103内へ原料ガス137を供給する。併せて、円筒部104aにパージガス151を供給し、パージガス151が基板101とサセプタ102の間から抜け出るようにすることによって、基板101の少なくとも一部がサセプタ102から浮いた状態で回転するようにし、基板101の上に所定の膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】ガイドローラと基材とを接触させずに巻き取り可能な基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する。
【解決手段】第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、第一前駆体及び第二前駆体を排出するために用いられるパージガスが導入される第三真空気室と、基材の幅方向の両端部を保持する保持部を有し、基材を、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室に搬送する搬送機構とを備え、搬送機構が、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室のいずれかの室内に、かつ自身の一部が他の室内に位置しないように配置された巻き取り成膜装置を用いて、基材を巻き取りながら基材上に成膜を行う巻き取り成膜方法は、搬送機構により、基材を第一真空気室及び第二真空気室を交互に複数回通過させて、基材の表面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体215が誘電体窓207の下のエンクロージャ200内に配置される。RF電力アプリケータ240が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にRF電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置230、235が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル270が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】サイド壁13の内壁面に、片側に吸収面51fを有しかつ基板Wを冷却する一対の冷却パネル47が垂直に配設され、サイド壁13の内壁面における一対の冷却パネル47の間に、両側に吸収面63fをそれぞれ有しかつ基板Wを冷却する複数の中間冷却パネル59が垂直に配設され、サイド壁13をチャンバー本体7の一側面側に対して着脱すると、各冷却パネル47が前端部側の基板エリアAとフロント壁9又は後端部側の基板エリアAとリア壁11との間に対して進退すると共に、各中間冷却パネル59が各隣接する基板エリアA間に対して進退するようになっていること。 (もっと読む)


【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法(PECVD法)により形成された、SiOxCy膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】膜厚分布が均一な薄膜を形成可能なCVD装置を提供する。
【解決手段】本発明のCVD装置2では、排気口31が排気空間72に設けられており、成膜空間71と排気空間72とを接続する排気流路41の流入口44は、成膜空間71の高さ方向中央位置で成膜空間71を取り囲んでいる。真空排気装置33によって、成膜空間71内のガスを排気空間72と排気流路41とを介して排気口46から真空排気しながらシャワープレート20から原料ガスを放出すると、成膜空間71内のガスは主たる流線の方向が基板表面に平行に保たれたまま流入口44に流入し、基板14表面に均一な薄膜が形成される。排気流路41のコンダクタンスは排気空間72のコンダクタンスよりも小さくされており、流入口44のどの位置からでも均一に真空排気される。 (もっと読む)


【課題】基板上に効率よく三族窒化物半導体の膜を生成し、かつ生成膜の均一性を向上させる。
【解決手段】窒化物半導体結晶成長装置100は、窒素含有ガス供給口8と三族金属含有ガス供給口9と、窒素含有ガス6を分解して活性種を生成する触媒材料1と、を備えており、触媒材料1は、窒素含有ガス供給口8の内部等に設けられており、窒素含有ガス供給口8および三族金属含有ガス供給口9は、何れも基板面に正対している。 (もっと読む)


【課題】基板へのダスト付着を抑制または防止して、高歩留まりで高品質な化合物半導体デバイスを製造する。
【解決手段】グローブボックス室内部にリアクタ3が内蔵された開閉自在なチャンバ5が設けられ、チャンバ5内のリアクタ3で基板4の表面に所定の材料膜を成膜する気相成長装置1において、グローブボックス室上部よりパージガスを導入してグローブボックス室下部のダストトラップ部8を介してその下部よりパージガスが排気されるように構成されている。 (もっと読む)


【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層するにあたり、処理ガスが各々供給される処理領域同士の間に分離ガスを供給して処理ガス同士が処理雰囲気において互いに混合することを防止しながら、分離ガスの供給流量を抑える。
【解決手段】処理領域P1、P2の間に分離ガスノズル41、42を配置し、分離ガスノズル41、42から分離ガスを各々供給して処理領域P1、P2同士を分離する。この時、分離ガスノズル41、42における回転テーブル2の回転方向下流側に、回転テーブル2の上面との間に狭隘な空間S1を形成するための第1の天井面44を設ける。また、この第1の天井面44における回転テーブル2の回転方向上流側に、第1の天井面44よりも高い第2の天井面45をこの第1の天井面44に隣接するように設ける。 (もっと読む)


【課題】装置全体を小型化すると共に、作業効率を向上させて生産性を向上させることができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】複数のガイドローラーユニット200は、フレキシブル基板107を適宜屈曲させ該フレキシブル基板107の内側に第1空間部201と、この第1空間部201に隣接する第2空間部203とが形成される。また、フレキシブル基板107と、チャンバー100の壁部とで第3空間部203、第4空間部204が形成される。第1空間部201に第1の前駆体ガスが供給される。第2空間部202に第1のパージガスが供給される。第3空間部203に第2の前駆体ガスが供給される。第4空間部204に第2のパージガスが供給される。 (もっと読む)


【課題】絶縁性薄膜を成膜した場合であっても、アノードの機能を長時間維持できる圧力勾配型プラズマガンを提供する。
【解決手段】軸101に沿って順に配置された、カソード1と、第1および第2中間電極2,3と、アノード4とを有する。第1および第2中間電極2,3とアノード4はそれぞれ、プラズマを通過させるための所定の大きさの貫通孔2a、3a、4aを軸101を中心として備えている。アノード4には、第2中間電極3とは逆側の側面の少なくとも一部を覆うアノードカバー30が着脱可能に固定されている。アノードカバー30は、貫通孔4aの中心に向かって突出するつば部33を有する。 (もっと読む)


【課題】複数の種類のガスを用いる場合においても、所望の膜質を得られる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置10は、複数の基板900を円周方向に支持するサセプタ60と、サセプタを回転させる回転機構120と、サセプタの支持面62上の空間に設けられた複数の領域と、これらの複数の領域にガスを供給するガス供給部200と、を有し、ガス供給部200は、複数の領域における隣り合う領域で同じガスを供給するか、若しくは複数の領域における隣り合う領域で異なるガスを供給するかが選択可能な構成である。 (もっと読む)


【課題】3価のA元素と、4価のB元素と、酸素Oとを含有し、組成式がAx61.5X+12(ただし、6≦X≦30)で表される複合酸化物からなる膜のA/B組成比を所望の値に制御するとともに、該膜を薄膜として得る。
【解決手段】メインチャンバ32に、例えば、酸化剤、La(A元素)供給源、Si(B元素)供給源をそれぞれ収容した第1、第2及び第3原料ボトル34、36、38を接続する。メインチャンバ32の室内へのLa源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージ、Si源の供給、パージ、酸化剤の供給、パージを行うことにより、Si(100)等からなる基板12上に、La23膜、SiO2膜を順次積層する。La源とSi源の供給回数比を調節することにより、最終的に得られるLaxSi61.5X+12におけるLa/Si組成比を制御することができる。なお、La源、Si源及び酸化剤は、基板12の水平な上端面に対して平行に流通する。 (もっと読む)


【課題】処理領域の反応ガスの濃度及び分圧を高めることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理領域に設けられ、基板の載置領域の移動方向と交差するように伸びると共に、その長さ方向に沿って吐出口が形成された反応ガス供給用のガスノズルと、前記複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するための分離ガスが供給され、回転テーブルの回転方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域と、ガスノズルの周囲に反応ガスを滞留させるためのカバー部材と、を備え、さらに前記回転方向上流側の側壁部の下部から、回転方向上流側から流れる分離ガスを前記カバー部材の上方へガイドするガイド面を備えるように装置を構成する。そして、ガスノズルとカバー部材における回転方向上流側の側壁部との間隔を、ガスノズルから供給された反応ガスが回転方向上流側から前記ガイド面に回り込まないように設定する。 (もっと読む)


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