【課題】現状を超えて成膜基板を高速に回転しても、原料ガスの流れに乱流が発生することを抑制することが可能な回転式成膜装置を提供する。
【解決手段】回転式成膜装置１は、上面２０Ｔに、成膜基板Ｗが載置される基板載置部２１Ｗを含む、成膜基板Ｗよりも径の大きいサセプタ２１を有する回転体２０を備えた反応容器１０と、回転体２０に回転動力を供給する回転動力供給機構２３と、
サセプタ２１の上方からサセプタ２１に載置された成膜基板Ｗに対して原料ガスＧを供給する原料ガス供給機構とを備えている。サセプタ２１において基板載置部２１Ｗの外部領域の少なくとも一部はカバー部材３０で覆われている。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ方向におけるサセプタにかかる領域で、上流側での原料ガスの消費を抑え、エピ厚さのウェハ面内の均一性を向上させることができる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体結晶基板１１上に、化合物半導体結晶を気相エピタキシャル成長させる化合物半導体エピタキシャルウェハ製造装置１０において、反応炉１８内で原料ガス流路Ｇを形成する反応管１６内にスロープ２３を有する。 （もっと読む）

反応器内部の露出面上の望ましくない成長または核生成を防止するために、混合ＳＡＭの形成に関する方法および構造が記載される。混合ＳＡＭ（３２２）は、核生成が望ましくない表面（３０８）上に、第１の長さ（３３４）の分子を有する第１のＳＡＭ前駆体、および第１の長さより短い第２の長さ（３３８）の分子を有する第２のＳＡＭ前駆体を導入することによって形成されることができる。提供できる合成ＳＡＭ（３２２）に覆われる露出面の例は、反応器表面ならびに絶縁体および誘電体層などの集積回路構造（８００）の選択表面を含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤによって形成される窒化チタン障壁層を基板の端縁部を含む半導体表面の上に蒸着させ、その際に、基板の端縁部に蒸着された窒化チタン障壁層の部分の厚さを、蒸着された残りの窒化チタン障壁層の厚さに比較して増大させないようにする、プロセス及び装置を提供する。
【解決手段】基板２の端縁部６に蒸着される窒化チタンの量を抑制するが、そのような蒸着を完全には阻止しないようにする。１又はそれ以上の蒸着抑制ガス６４を、端縁部に向かうプロセスガスの流れ方向とは実質的に反対の方向に、端縁部に向けて流す。これにより、端縁部に蒸着される窒化チタンの量が減少される。蒸着抑制ガスは、基板の下の基板支持台４０に形成された複数の孔５２を通って流れる。これらの孔は、支持台の頂部付近で円周方向に隔置された開口５４を有している。蒸着抑制ガスは、開口を通って、基板の上面の下方の端縁部の付近から出る。 （もっと読む）

【課題】炉内で析出したシリコンの除去時間の短縮やエッチング頻度の低減が図れ、生産性が高まり、シリコン片による炉内汚れが抑制され、高歩留まりとなるエピタキシャル成長炉内のガスクリーニング方法を提供する。
【解決手段】反応容器１１への塩酸ガスの供給を、反応容器１１の幅方向の中央部より両側部の方の流量を小さくするか、中央部のみから供給する。よって、サセプタ１２で熱せられる中央部の塩酸ガスの流量比が従来より高まり、反応容器１１内で塩酸ガスの渦流が発生する。よって、炉内で析出したシリコンのエッチング時間の短縮、エッチング頻度の低下が図れ、生産性が高まり、炉内壁から剥離したシリコン片による炉内汚れが軽減する。 （もっと読む）

【課題】処理むらを防止して、良好な被膜を安定的に形成できるようにした表面処理装置および表面処理方法を提供する。
【解決手段】本発明の表面処理装置１は、被処理基板Ｗを配置する成膜室３と、成膜室３内を減圧するポンプ５と、シランカップリング剤Ｙ１を気化させる処理剤気化装置２１と、処理剤気化装置２１に対してキャリアガスを供給するガス供給装置２２と、成膜室３内の気体を循環させる第１循環系４０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】例えばエピタキシャルウエーハの品質や生産性の向上など、キャリアガスの流量の度合いによりもたらされる効果を得るとともに、膜厚形状を崩さずに、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層することができる枚葉式のエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、下凸の上壁を有する反応室内に単結晶基板を配置し、反応室内にガス導入口から原料ガスおよびキャリアガスを導入して、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層する枚葉式のエピタキシャル成長方法であって、ガス導入口から反応室内に導入するキャリアガスの流量に応じて、反応室の上壁の曲率半径および／またはガス導入口の上端と反応室の上壁の下端との高さ方向における差を調整してから、単結晶基板上にエピタキシャル層を積層するエピタキシャル成長方法。 （もっと読む）

【目的】気相成長膜を成長させる成長速度の向上を図ることが可能な気相成長装置および方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様のエピタキシャル成長装置１００は、内部で基板が支持されるチャンバ１２０と、チャンバ１２０内に配置され、基板に向かって原料ガスを供給するシャワーヘッド１３０と、シャワーヘッド１３０と基板の表面との間の空間Ｓ１と、空間Ｓ１から排気されたガスが通過する空間Ｓ２とを接続し、空間Ｓ２から空間Ｓ１に向かって流れるガスを再生する流路１２６と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、成膜される膜の成長速度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 プラスチック製容器本体の内面の全面にプラズマを加速度を持って衝突させて、全面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法を提供する。
【解決手段】 外部電極と内部電極を備え、該外部電極は、プラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備え、また、該内部電極は、反応室内に配置され、かつ、内部電極は、複数の原料ガス吹き出し孔を備え、また、内部電極には原料ガス供給管が連設され、更に、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続され、内部電極には原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されている高周波ブラズマＣＶＤ装置を用いてプラスチック製容器本体の内面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器の製造法に関するものである。 （もっと読む）

基板上での薄膜の堆積を制御するためのシステム及び方法が開示される。一実施形態は、基板を提供するステップと、電磁放射を放出するように構成された複数のソースを提供するステップと、複数のソースのうちの第１ソースへ第１の量の電力を提供するステップと、複数のソースのうちの第２ソースへ第２の量の電力を提供するステップとを備え、基板上での膜の堆積を制御するように第１の量の電力と第２の量の電力が異なるものである。 （もっと読む）

【課題】 大面積の基板に均一な厚さの膜を安定して製膜することができる製膜装置を提供する。
【解決手段】 基板９に製膜される膜の原料ガスを吹き付けるノズル１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃを有するインジェクタ３と、吹き付けられた原料ガスを基板９とインジェクタ３との間から排気する流路であって、対向する一対の面１３、１５の間に形成された排気流路１７と、が設けられ、排気流路１７における原料ガスが流れる流れ方向に沿った長さをＬとし、一対の面１３，１５の間の間隔方向の長さをＷとすると、Ｌ／Ｗ^２に係る関数である排気流路１７の圧力損失の値が、所定の閾値以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】比較的安価な前駆体材料を使用して、フロートガラス製造過程中に大気圧化学気相堆積方法によって、酸化スズ膜を速い堆積速度で形成する方法を提供する。
【解決手段】本発明の方法は、基材上に酸化亜鉛コーティングを堆積させるための化学気相堆積方法であって、亜鉛含有化合物を含む第１の前駆体気体流と水を含む第２の前駆体気体流とを基材の表面に送達し、前記基材の表面上で前記第１及び第２の前駆体気体流を、酸化亜鉛コーティングが前記表面上に５ｎｍ／秒よりも速い堆積速度で形成されるための十分に短い時間で混合させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの流れ具合の最適化によつて、緻密で微細なワレやカケを生じにくい膜質を容易に実現でき、平滑な光学面を容易に創成できる成膜装置を提供する。
【解決手段】内筒９における原料ガスの流れ方向の断面が回転対称形状であるようにすることで、熱ＣＶＤ時に内筒９内の原料ガスの滞留を抑え、成膜速度を高めることで、成膜後における機械加工時に凸凹状の欠陥が生じることを抑制している。 （もっと読む）

【課題】バッチ式であっても、処理するウエハの枚数に応じた最小限の処理ガス量で処理を可能にした処理装置とする。
【解決手段】仕切板２１をチャンバ１の上下方向に移動させることで、処理するウエハ８の枚数に応じた一方側の領域４ａを設定し、３方弁１３により、一方側の領域４ａの処理室４に開口する供給配管１１から処理ガスを供給し、他方側の領域４ｂの処理室４に開口する供給配管１１からＮ_２ガスを供給し、処理する枚数のウエハ８に応じた量の処理ガスを使用して処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 簡単な配管構成で，しかも簡単な制御で圧力変動などの影響を受けることなく処理室内の複数部位からガスを供給し，所望の面内均一性を実現可能とする。
【解決手段】 本発明にかかるガス供給装置は，処理ガス供給手段２１０からの処理ガスを流す処理ガス供給配管２０２から分岐して，処理室内の異なる部位からガスを導入する第１，第２ガス導入部３３０，３４０にそれぞれ接続する第１，第２分岐流路２０４，２０６と，処理ガス供給流路から第１，第２分岐流路に分流される処理ガスの分流量を第１，第２分岐流路内の圧力に基づいて調整する分流量調整手段２３０と，所定の付加ガスを供給する付加ガス供給手段２２０からの付加ガスを流す付加ガス供給配管２０８とを備え，第１，第２ガス導入部のいずれか一方は，分岐流路を接続する処理ガス導入部と，付加ガス供給流路を接続する付加ガス導入部とに分けて構成した。 （もっと読む）

【課題】効率的なエネルギーを印加することのできるガス分離型シャワーヘッドを提供する。
【解決手段】本発明に係るガス分離型シャワーヘッドは、第１のガスと第２のガスとが分離されて供給されるガス供給モジュールと、前記供給された第１のガスと第２のガスとが分離分散されるガス分離モジュールと、複数のホールを備える中空電極(multi hollows cathode)であって、前記分離分散された第１のガスと第２のガスとが前記複数のホールでイオン化され、共通に噴射されるガス噴射モジュールと、を備える。 （もっと読む）

【課題】パーティクルなどを含むことなく良好な膜質を有する膜の形成に適したシャワーヘッドおよび成膜装置を提供する。
【解決手段】本発明にかかるシャワーヘッド２００は、強誘電体膜の成膜に用いられるシャワーヘッドにおいて、少なくとも前記強誘電体膜を構成する金属元素を含む第１ガスが流入される第１ガス室２１０と、少なくとも前記第１ガスと反応する第２ガス２２０が流入される第２ガス室と、前記第１ガス室と接続された第１ノズル２１６と、前記第２ガス室と接続された第２ノズル２２６と、を含み、前記第１ノズル２１６は、前記第１ガスを放出する第１放出口２１４を備え、前記第２ノズルは、前記第２ガスを放出する第２放出口２２４を備え、前記第１放出口は、前記第２放出口よりも突出している。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ_２Ｏ_３膜等を生成する際、副生成物であるノズル内のＡｌ膜等の成膜を抑えることができるようにする。
【解決手段】反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ_３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ_２Ｏ_３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。 （もっと読む）

【課題】
ＣＶＤ装置において、基板の表面に形成する膜の面内均一性を向上させる。
【解決手段】
ＣＶＤ装置は、複数の基板２を載置できるボート４と、ボート４の周囲を取り囲むように設けられた内管６と、内管６の外側を覆う外管８と、内管６及び外管８を保持するためのフランジ１０と、フランジ１０の側壁の２箇所に設けられ、外部から内管６の内側へガスを導入するためのガス導入ノズル１２ａ，１２ｂと、ガス導入ノズル１２ａ，１２ｂから導入されたガスを、混合してフランジ１０内側の側壁に沿ってフランジ１０の底面に略平行に流動させるために、フランジ１０内側のガス導入ノズル１２ａ，１２ｂの噴出口近傍に設けられたガイド部１４と、外管８内のガスを外管８の外部に排出するためのガス排出部１６を備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、安定して高いウェーハ面内膜厚均一性を得ることが可能な成膜装置と成膜方法を提供する。
【解決手段】 本発明の成膜装置は、ウェーハ１上に成膜を行なう反応室２と、反応室２内で複数のウェーハ１を載置するサセプタ３と、サセプタ３を介してウェーハ１を加熱する加熱手段６と、ウェーハ１上に成膜ガスを供給するガス供給ノズル５と、ガス供給ノズル５を昇降させる昇降機構９を備え、面内膜厚均一性の高い成膜を可能としたものである。 （もっと読む）