【課題】装置のフットプリントの増大を防止または抑制しつつ、排気系のコンダクタンスを増加させて低圧化を図れる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の基板２００を積載配置して収容する処理容器２０３と、処理容器２０３に基板２００を処理する処理ガスを供給する処理ガス供給手段２３２ａ、２３２ｂ、２４９ａ、２４９ｂと、処理容器２０３を排気する排気手段３００と、を有し、排気手段３００は、真空ポンプ２４６と、処理容器２０３と真空ポンプ２４６を接続する排気配管とを備え、排気配管の少なくとも一部がリブ構造３７０を有すると共に、排気方向と垂直な方向の断面が、長方形の配管３３１〜３３３で構成される。 （もっと読む）

【課題】低温領域において適正な特性を有するＳｉＣ系の膜を形成できる半導体装置の製造方法、基板処理方法，基板処理装置およびプログラムを提供する。
【解決手段】基板を処理室内に収容する工程と、加熱された処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して基板上にシリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程と、を有し、シリコンおよび炭素を含む膜を形成する工程は、処理室内へ有機シリコン系ガスを供給して、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込める工程と、有機シリコン系ガスを処理室内に封じ込めた状態を維持する工程と、処理室内を排気する工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ放電部を複数並べて任意の大きさの試料に対応できるように放電面積を拡大する場合であっても、単位あたりの電力コストを増加することなく、均一なプラズマ生成が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 高周波信号回路１３及び高周波電力回路１１を有する高周波電源と筐体２１と放電電極２とを備えたプラズマ処理装置において、筐体２１内に設置された放電電極２と高周波電力回路１１とでプラズマモジュールを構成し、複数個並列接続されたプラズマモジュールに高周波信号回路１３からの周波数信号を入力する。 （もっと読む）

【課題】精密かつ高速に圧力制御を行なうことができる圧力制御装置を提供すること。
【解決手段】実施形態の圧力制御装置は、バルブと、前記バルブに接続されている軸部と、ソレノイド部と、マイクロメータ部と、制御部と、を備えている。前記ソレノイド部は、前記軸部をソレノイド駆動によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整し、前記マイクロメータ部は、前記軸部に着脱自在に取り付けられるとともに、前記軸部に取り付けられた場合には前記軸部をねじ機構によって軸方向に移動させることにより、前記軸部を介して前記バルブのゲート開度を調整する。前記制御部は、前記マイクロメータ部を用いて前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部に取り付け、前記ガス圧力を制御する際には、前記マイクロメータ部を前記軸部から取り外す。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布が均一な薄膜を形成可能なＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のＣＶＤ装置２では、排気口３１が排気空間７２に設けられており、成膜空間７１と排気空間７２とを接続する排気流路４１の流入口４４は、成膜空間７１の高さ方向中央位置で成膜空間７１を取り囲んでいる。真空排気装置３３によって、成膜空間７１内のガスを排気空間７２と排気流路４１とを介して排気口４６から真空排気しながらシャワープレート２０から原料ガスを放出すると、成膜空間７１内のガスは主たる流線の方向が基板表面に平行に保たれたまま流入口４４に流入し、基板１４表面に均一な薄膜が形成される。排気流路４１のコンダクタンスは排気空間７２のコンダクタンスよりも小さくされており、流入口４４のどの位置からでも均一に真空排気される。 （もっと読む）

【課題】互いに反応する処理ガスを順番に供給して基板の表面に反応生成物を積層するにあたり、処理ガスが各々供給される処理領域同士の間に分離ガスを供給して処理ガス同士が処理雰囲気において互いに混合することを防止しながら、分離ガスの供給流量を抑える。
【解決手段】処理領域Ｐ１、Ｐ２の間に分離ガスノズル４１、４２を配置し、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスを各々供給して処理領域Ｐ１、Ｐ２同士を分離する。この時、分離ガスノズル４１、４２における回転テーブル２の回転方向下流側に、回転テーブル２の上面との間に狭隘な空間Ｓ１を形成するための第１の天井面４４を設ける。また、この第１の天井面４４における回転テーブル２の回転方向上流側に、第１の天井面４４よりも高い第２の天井面４５をこの第１の天井面４４に隣接するように設ける。 （もっと読む）

【課題】半導体製造装置の排気中に含まれる温暖化ガスの濃度は装置の稼動状態によって変化するため、最大濃度を代表値として推算する過大評価排出量しか推算できない。更に最終段の排気管でのサンプリングにおいては、フーリエ変換型赤外分光計等を用いた測定を行なうのが一般的である。しかし、この排気管内における当該ガスの濃度は、一般に測定に適した濃度よりも低く、温暖化ガス排出のタイミングにあわせた測定を個別の装置に対して実行しないかぎり工場全体の温暖化ガス排出量の総量が算出できないという問題がある。
【解決手段】本願発明は、複数のＣＶＤ装置およびドライエッチング装置を用いて、多数の半導体装置形成基板に対して、成膜処理およびエッチング処理を実行する半導体装置の製造方法に於いて、これらの排ガスを定量サンプリングして、濃縮した後、含まれている温暖化ガスのガス種と濃度を測定するものである。 （もっと読む）

【課題】支持体と、無機膜とを有する機能性フィルムにおいて、支持体のダメージが少なく、かつ、無機膜の密着性が良好で、さらに、緻密な無機膜の圧縮応力に起因する剥離やクラックの発生を抑制した機能性フィルム、および、その製造方法を提供する。
【解決手段】機能性フィルムの無機膜が、領域Ｂと、領域Ｂよりも低密度／薄い領域Ａとを有し、領域Ｂ−領域Ａ−領域Ｂの積層構造を１以上有する機能性フィルム、および、複数のプラズマＣＶＤによって、成膜領域から外部へのガス流を制御しつつ無機膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 大きな直径を有する複数枚の基板（４インチ基板、６インチ基板）の表面に、１０００℃以上の温度で窒化ガリウムの気相成長を行なっても、基板が割れず高品質の結晶成長が可能な気相成長方法を提供する。
【解決手段】 原料ガス導入部の鉛直方向に仕切られた複数枚のガス仕切板の間隙から原料ガスを供給する方法において、基板に最も近接するガス仕切板の先端部の温度を３００〜７００℃に設定し、かつ基板に最も近接するガス噴出口から噴出する原料ガスのガス仕切板の位置における線速が、０．３〜３ｍ／ｓとなるように原料ガスの供給を調整して基板の表面に窒化ガリウム層の形成を行なう方法とする。 （もっと読む）

【課題】排気口の周辺に生成物が付着し難い成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置は、反応ガスが供給されて成膜処理が行われる反応室と、反応室を構成するベースプレート１０１と、ベースプレート１０１の上に設置されてベースプレート１０１の全面を被覆するベースプレートカバー１０３とを有する。ベースプレート１０１には、反応室から余剰の反応ガスを排出する排気口６が設けられており、ベースプレートカバー１０３には、排気口６に勘合する形状と大きさを備えた貫通孔１０７が設けられている。反応ガスの下流側における貫通孔１０７の端面１０９は、排気口６の端面１１０より突出している。ベースプレートカバー１０３は、ベースプレート１０１と対向する面に突起部１０８を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置５は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部５０と、マイクロ波出力部５０から出力されたマイクロ波を処理容器２内へ導入するアンテナユニット６０と、アンテナユニット６０により導入されたマイクロ波を処理容器２内に放射するマイクロ波放射モジュール８０と、を有している。マイクロ波放射モジュール８０は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板８１と、導体部材としてのカバー部材８２とを有している。カバー部材８２は、マイクロ波透過板８１を介して処理容器２内に導入されるマイクロ波がウエハＷの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 （もっと読む）

【課題】 基板であるウエハに対して面内均一性の高い成膜処理を行うこと。
【解決手段】真空容器１内において、ＢＴＢＡＳガスが供給される処理領域Ｐ１とＯ_３ガスが供給される処理領域Ｐ２を、水平面に沿って回転する回転テーブル２の周方向に沿って配置する。前記処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガスを分離ガスと共に排気するために、回転テーブル２の外側に設けられた排気口６１を設けると共に、この排気口６１を覆い、基板載置領域２４の外縁から内縁に亘って伸びる中空体よりなる排気ダクト７を設ける。この排気ダクト７には、基板載置領域２４の少なくとも内縁側の位置に第２の排気用開口部が設けられており、第１の処理ガスノズル３１から吐出されたＢＴＢＡＳガスは、この第２の排気用開口部に向けて流れるので、ウエハＷの径方向に高い均一性を持ってＢＴＢＡＳガスが供給され、面内均一性の高い成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】結晶膜を基板の上に成長させる化学気相成長（ＣＶＤ）の量産では、均一性を改良しながらバッチサイズを大きくする装置構造が課題である。装置の部品の洗浄交換周期を長くし、ＣＶＤガスの基板上での消費効率を上げて、排気系のポンプや排気配管への付着を減らしたい。さらに有機金属ガスをＣＶＤガスとして用いるとき、気相で重合反応を起こし粒子ゴミを発生させるので、加熱空間を横切る流路を短くしたい。これらの要求を満たす装置の構造が課題である。
【解決手段】表面に基板を載せる複数の加熱されるサセプタを立てて放射状に配置させ、当該放射状配置のサセプタを回転させながら外周から熱分解ＣＶＤガスを供給して当該基板の上にＣＶＤ膜を成長せしめ、当該放射状配置サセプタの配置中心に加熱可能な排気管が配置されてあり、当該ＣＶＤガスを当該排気管から排気することで、課題を解決する結晶膜の気相成長装置が可能である。 （もっと読む）

【課題】縦型の熱処理炉内に混入するパーティクルを低減し、基板（ウエハ）へのパーティクル付着を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】ウエハボート３を縦型の熱処理炉２内に、当該熱処理炉の下方側に形成された炉口２０から搬入し、熱処理を行う装置において、前記ウエハボート３が前記熱処理炉２の下方側に位置しているときに、前記炉口２０を塞ぐ蓋体６１を設ける。この蓋体６１は前記炉口２０を塞ぐ位置と開く位置との間で移動自在に設けられており、蓋体６１が前記炉口２０を塞ぐ位置から外れているときに、当該蓋体６１の上面のパーティクルをクリーニングノズル７により吸引して除去する。このため、次に蓋体６１が炉口２０を塞いだ時に、熱処理炉２内に持ち込まれるパーティクル量を低減できるので、ウエハへのパーティクル付着を抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】真空ポンプの電力消費を抑えるとともに、安定した圧力調整が可能な気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】気相成長装置において、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するためのガス供給部と、ウェーハを載置する支持部と、ウェーハを回転させるための回転駆動部と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、反応室と接続され、排気ガスの流量を制御するバルブと、バルブの下流側に設けられ、排気ガスを排出するポンプと、反応室の圧力である第１の圧力を検出する第１の圧力計と、バルブとポンプ間の圧力である第２の圧力を検出する第２の圧力計と、第１の圧力に基づき、バルブを制御する第１の圧力制御部と、第１の圧力と前記第２の圧力に基づき、ポンプの稼働量を制御する第２の圧力制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】排気口の位置を変更することなく、複数の処理領域の雰囲気を互いに混合させずに夫々対応する排気口へ排気させること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に、互いに離れて設けられ、反応ガス供給手段を備える複数の処理領域と、複数の処理領域の雰囲気を互いに分離するために前記回転方向においてこれら処理領域の間に位置し、分離ガスを供給する分離ガス供給手段が設けられた分離領域と、前記複数の処理領域の雰囲気を夫々排気するために処理容器に設けられた複数の排気口と、前記複数の処理領域に各々開口する開口部と、各開口部から対応する排気口に処理領域の雰囲気を案内する排気路とを、排気される各処理領域の雰囲気同士が混合しないように処理領域毎に独立して形成する排気路形成部材と、を備え、前記回転方向における前記開口部の位置が、排気路形成部材により変更できるように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜される膜の膜厚の均一性を向上する。
【解決手段】基板２００を搬送経路に沿って搬送する搬送コンベアと、搬送経路中に位置する成膜室１００と、搬送経路に沿ってトンネル状に位置し、成膜室１００を通過する基板２００を取り囲んで加熱する加熱炉１２０とを備える。成膜室１００は、筐体１５０と、この筐体１５０内に成膜材料を微粒子化した成膜ガスを噴霧する噴霧機構と、筐体１５０の１つの側壁に位置して成膜ガスを排気するための排気口とを有する。筐体１５０は、成膜室１００を通過する基板２００と対向する開放部を加熱炉１２０内に有する。成膜ガスは、成膜室１００において、噴霧機構から開放部を通過して排気口に向けて流動する。開放部は、対向して通過する基板２００の搬送方向と直交する方向において、基板２００の幅に対して１．１５倍以上１．４倍以下の幅を有する。 （もっと読む）

【課題】気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着工程を効率的に進めることができ、蒸着膜特性を容易に向上させる、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置に係り、排気口を具備するチャンバ、チャンバ内に配置され、基板を装着するように装着面を具備するステージ、基板の薄膜が形成される平面方向と平行にガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部、及び基板と対向し、基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部を含む気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 （もっと読む）