【課題】高い焼結作用を有する二酸化チタン粉末を提供する。
【解決手段】ＢＥＴ表面積３０〜６５ｍ²／ｇ及びルチル含有率５０〜７０％を有する凝集一次粒子の形の結晶二酸化チタン粉末。それは、四塩化チタン蒸気、及びそれとは別に、水素、空気、又は酸素で富化された空気を混合チャンバー中に導入し、四塩化チタン蒸気、水素及び一次空気の混合物をバーナーで点火し、そして火炎を反応チャンバー中で燃焼し、続いてガス状物質から固体を分離することによって製造され、その際使用される量は、式Ａ＝Ａ＝１０⁵｛［（ＴｉＣｌ₄×Ｈ₂）／（空気の量×合計ガス）］／ＢＥＴ｝、［式中、Ａ＝６〜１２に従う］であるように選択される。該二酸化チタン粉末は、セラミクス産業において使用されうる。 （もっと読む）

【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、０．３以上で０．８以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
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【課題】 本発明の目的は、ＣＶＤ法等で膜を堆積するにあたり、不純物の除去、更なる膜の改質、膜の安定化を図るものである。
【解決手段】第一の原料と基板に含まれたシリコン成分が結合しない温度で基板を支持するステップと、少なくとも第一の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記素子分離領域に、所望の厚みの堆積層を形成する第一の基板処理ステップとを有する第一処理と、第一の原料を含まず、第二の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記堆積層を反応、蒸発、もしくは改質する第二の基板処理ステップとを有する第二処理と、前記第一処理と前記第二処理を繰り返すよう処理する基板処理方法 （もっと読む）

【課題】基板のトポグラフィカルフィーチャの測定において有用な方法を提供する。
【解決手段】電子ビームを用いてガスが活性化される基板のコーティング方法が開示される。コーティングされた基板は次に、レジストフィーチャを断面方向で明らかにするために、イオンビームを用いてスライスされる。レジストのそれらのフィーチャは、走査電子顕微鏡を用いて測定され、基板のスライスを取って新たな断面を明らかにするために、焦点合わせされたイオンビームが用いられる。この新たな断面は次に、走査電子顕微鏡を用いて測定され、このようにしてフィーチャの３次元マップが作られ得る。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】内部蒸着プロセスによって光プリフォームを製造するための、エネルギー源および基材チューブを備える装置および方法を提供すること。
【解決手段】この基材チューブは、ガラス形成前駆体が基材チューブの内部に供給される供給側と、基材チューブの内部に堆積されなかった構成材料が排出される排出側とを備え、エネルギー源は、供給側の反転点と排出側の反転点との間で基材チューブの長手に沿って運動可能である。 （もっと読む）

【課題】基板載置台に基板を載置し、基板載置台を回転させて加熱しながら基板に処理を施す際、簡単に取付けることができ、且つ半導体基板処理装置の処理炉内に設置せずに基板の位置ズレを高精度に検出するための基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置
を提供する。
【解決手段】半導体基板処理装置が具備する基板載置台４に基板５を載置し、基板載置台４を回転させて加熱しながら基板５に処理を施す際、基板５の基板載置台４における位置ズレを検出する方法及びその装置１であって、基板載置台４の上方に設置してある熱放射量測定機２によって基板５又は基板載置台４の熱放射量を測定し、該測定値を演算機３により判定することにより基板５の位置ズレを検出することを特徴とする基板位置ズレ検出方法及び基板位置ズレ検出装置１。 （もっと読む）

【課題】 透明で可撓性にも優れたガスバリヤー性フィルムを低コストで提供する。
【解決手段】 本発明のガスバリヤーフィルムは、高分子フィルム上に炭素層が形成されたものである。前記炭素層が、燃焼または不完全燃焼により発生するスス（炭素）を高分子フィルムの上に付着させて形成されること、用いられる高分子フィルムは、透明性のあるものであること、が好ましい。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の透明部材上に、透明導電体として比抵抗がＩＴＯ膜と同等レベルにあるＦＴＯ膜を配してなる透明導電性基板を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性基板１０は、透明部材からなる被処理体１１の一方の面１１ａに、比抵抗が４．０×１０^−４Ωｃｍ以下であるフッ素添加酸化スズ膜からなる透明導電体１２を配したことを特徴とする。 （もっと読む）