【課題】 ダイヤモンド被膜の耐酸化性や潤滑性を向上させる。
【解決手段】 ボロンドープダイヤモンド被膜２０にはボロンがドーピングされているため、そのダイヤモンド被膜２０の表面には、酸化を受けた際にボロンの酸化物（例えばＢ₂ Ｏ₃ ）の層が形成され、その酸化物の層により被膜内部への酸化の進行が抑制されて、被膜２０の耐酸化性が向上するとともに、摩擦係数が小さくなって潤滑性が向上する。特に、本実施例のダイヤモンド被膜２０は、低ドーピング層２２と高ドーピング層２４とを交互に積層した多層構造を成しているとともに、最上層は高ドーピング層２４にて構成されているため、ダイヤモンド被膜の本来の特性である耐摩耗性等を維持しつつ、ボロンの酸化物による耐酸化性および潤滑性の向上効果を良好に得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、成長したダイヤモンド結晶を高温及び高圧で加熱することによって、ＩＩａ型ダイヤモンド結晶の結晶完全性を改良する方法に関する。本発明は、低窒素濃度で低い拡張欠陥密度を有する成長したダイヤモンド材料に及ぶ。
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【課題】 マイクロ波エネルギーの同軸共振器への結合時における損失を減少させ、かつ同軸共振器内に一様な強度のプラズマを発生させ、３次元中空容器の表面に均一な膜を成膜するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、マイクロ波エネルギーにより原料ガスをプラズマ化し、中空容器の表面に薄膜を成膜するものであり、天面及び下面が封止された円筒型容器と、天面から円筒軸に平行に設けられ、マイクロ波エネルギーを注入するアンテナと、前記下面から円筒軸に平行に設けられ、原料ガスを供給し、かつ前記アンテナとともに同軸導体を形成するガス供給管とを有し、円筒型容器全体が一体の同軸共振器として構成されている。 （もっと読む）

【課題】
従来から用いられているガラス、石英、ステンレス、アルミナなどのセラミックスでは、エッチングで表面性状が変化したり、腐食によってパーティクルが発生し、コンタミネーションの原因となっていた。
【解決手段】
ハロゲン系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物からなる焼結体または単結晶からなるか、もしくは前記ガスおよび／またはプラズマとの反応によって該耐食性部材の使用温度よりも高融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属或いはその化合物からなる焼結体または単結晶からなり、且つ前記腐食ガス及びプラズマとの反応によって前記使用温度よりも低融点の金属ハロゲン化物を形成し得る金属あるいはその化合物の含有量が金属換算で１重量％以下とする。 （もっと読む）

本発明のプラスチック容器の化学プラズマ処理方法は、プラズマ処理室内にプラズマ処理用ガス及びマイクロ波等のプラズマ化のためのエネルギーを供給してグロー放電を生じさせ、プラスチック容器に化学蒸着膜を形成する際に、該プラスチック容器を冷却することを特徴とする。この方法によれば、プラスチック容器の変形が有効に抑制され、長期間にわたって継続してプラスチック容器内面への化学蒸着膜を形成することでき、生産性を著しく高めることができる。
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【課題】 複数種類のガスを用いて表面処理を行う場合でも、最小の共通電力で被処理体に対して複数の表面処理を行うことが可能な表面処理装置、表面処理方法を提供すること。
【解決手段】 対向して配置された第１電極２０と第２電極との間に大気圧又は大気圧近傍の圧力下で導入した反応ガスをプラズマ放電により活性化することで、被処理体７０を処理する表面処理装置であって、第１電極２０と第２電極との間には、反応ガスを流すための複数の流路を有する誘電体４１，４２が設けられ、複数の流路９１，９２に、異なる種類の反応ガスが導入されるとともに、第１電極２０又は第２電極への電力供給によりプラズマ放電発生部が形成され、反応ガスの種類に対応して、第１電極２０と第２電極との間に延在する誘電体４１，４２の流路９１，９２の流路長を異ならせたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板の温度均一性や温度制御応答性が高く、かつ十分な温度制御性を得ることができる基板載置台を提供すること。
【解決手段】基板処理装置において基板を載置する基板載置台４であって、載置台本体を構成する静電チャック４２と、静電チャック４２の基準面６０に、ウエハＷが載置された際にウエハの周縁部に接触するように形成され、その際にウエハＷの下方部分に熱伝達用ガスが充填される密閉空間６２を形成する周縁環状凸部６１と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、ウエハＷが載置された際にウエハＷと接触するように設けられた複数の第１突起部６３と、基準面６０における周縁環状凸部６１の内側部分に、第１突起部６３と独立して、ウエハＷが載置された際にウエハＷに接触せずに近接して設けられた複数の第２突起部６４とを有する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマヘッドから噴射供給される処理ガスを被処理物に均質に供給することができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】 所定のガスを送気するガス流路と、大気圧又はその近傍の圧力下、前記ガス流路内で気体放電を発生させて前記ガスの励起活性種を生成する少なくとも１対の電極とを備え、前記ガス流路から前記励起活性種を含む処理ガスを前記被処理物１の表面に向けて噴出するプラズマヘッドを備えて構成される表面処理装置であって、前記ガス流路からの処理ガスの流れを整流して前記被処理物１の表面に供給する整流機構５を設ける。 （もっと読む）

【課題】 ダイヤモンド被膜の耐酸化性や潤滑性を向上させる。
【解決手段】 ボロンドープダイヤモンド被膜２０にはボロンが０．５〜１．０原子％の割合でドーピングされているため、そのダイヤモンド被膜２０の表面には、酸化を受けた時にボロンの酸化物（例えばＢ₂ Ｏ₃ ）の層が形成され、その酸化物の層により被膜内部への酸化の進行が抑制されて、被膜２０の耐酸化性が向上するとともに、摩擦係数が小さくなって潤滑性が向上する。これにより、鉄系の材料を含む複合材料の切削加工や、切削点が高温になるチタン合金等の耐熱合金に対する切削加工などにおいても、酸化による被膜２０の早期摩耗や剥離が抑制されて優れた耐久性が得られるようになる。また、潤滑性が良くなることから、摩擦による発熱が抑制され、この点でも被膜２０の耐久性が向上するとともに、被削材の加工面品質が向上する。 （もっと読む）

気体を活性化し解離する方法及び装置であって、チャンバの中のプラズマを用いて活性化気体を発生するステップを含む。下流気体入力をチャンバの出力に対して配置することにより、気体入力によって導かれる下流気体の解離を容易化し、解離された下流気体がチャンバの内側表面と実質的に相互作用しないようにする。
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【課題】内面に、文字や記号及び／又は図柄を形成した半透明又は透明な容器、及びその処理装置を提供する。
【解決手段】半透明又は透明な容器において、該半透明又は透明な容器の内面の一部に、文字、記号及び／又は図柄をＤＬＣ膜で形成したことを特徴とする容器、及び該処理を施すためのプラズマ処理装置。
【効果】内面に、文字や記号及び／又は図柄を形成したＰＥＴ容器等の半透明又は透明な容器、及びその処理装置を提供することができる。 （もっと読む）

温度調節対象を循環する第１冷却水（１５）で冷却する第１の流路（１６）と第１の流路と別の第２の流路（１９）とを設け、第２の流路（１９）を流れる第２冷却水（１８）と第１冷却水（１５）とで熱の交換をする。第１冷却水（１５）を一定容量のタンク内に貯める必要が無く、チラー相当部分の第１の流路（１６）を流れる第１冷却水（１５）が略全体で第２冷却水（１８）から熱を吸収される。温度調節対象の負荷変動に対し応答が速くなり、温度制御の精度を向上させながらエネルギーの無駄を少なくできる。
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【課題】 プロセスガスの添加成分が雰囲気ガス成分と同じである場合、雰囲気ガスをプロセスガス流に混入することにより、設備の簡素化を図る。
【解決手段】 プラズマ処理装置Ａの一対の電極３１を保持部２１にて支持する。保持部２１のフレーム２２には、雰囲気導入路２５を形成する。雰囲気導入路２５は、保持部２１の外面から延び、電極間のプラズマ放電部２０ｂより上流側のプロセスガス通路２０ｅに斜めに連なっている。プロセスガス通路におけるプロセスガスの流れによって雰囲気ガスが雰囲気導入路２５を経てプロセスガス通路に引き込まれる。これによって、雰囲気ガスをプロセスガスに混入できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜を行う際、成膜条件の変化に伴う膜厚均一性と関係した計測量に着目した膜厚均一性改善手段を比較的簡便に得ることができ、ロットの作製時期によるピーク間電圧Ｖｐｐの絶対値及び分布の変化という特性変動に追随し、良好な特性均一性を得ることができ、製品の歩留まり向上に貢献することができるプラズマ制御方法等を提供する。
【解決手段】高周波電力供給源に接続された高周波電極２１０と、高周波電極２１０に対向し接地電位等に接続された接地電極２１１とを有する真空容器２０１内で、高周波電極２１０に印加された高周波電力により発生するプラズマ２０５の分布を制御する際、プラズマ発生時において、高周波電極２１０又は／及び接地電極２１１上に設置された複数のピーク間電圧計測部を用いて計測された電極各部のピーク間電圧Ｖｐｐに基づき、プラズマの分布を制御する。 （もっと読む）

本発明は、１つの前面（６）及び１つの後面（７）を備えたグラファイト基板（５）と、基板（５）の前面（６）上に設けられた少なくとも１つの第１のスタックとを有する半導体支持体（１）に関する。第１のスタックは、単結晶ダイヤモンド層（８ａ）、電気的絶縁性酸化物層（９ａ）及び半導体層（２ａ）を連続配置状態で有する。支持体は、基板（５）の後面（７）上に設けられた第２のスタックを有するのがよく、この第２のスタックは、第１のスタックと同一の連続した層を有し又はポリマー材料層を有する。第１及び（又は）第２のスタックを貫通すると共にグラファイト基板（５）を支持体（１）の外面に接続する熱的結合部（１１）が、熱を放出できる。本方法は、酸化物層（９）上への矩形シリコンストリップの分子結合によって半導体層（２）の作製を含むのがよい。
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【課題】活性化手段から印加されたエネルギーによる基板表面の損傷を抑制でき且つ速い速度で薄膜を形成することのできるＣＶＤ方法及び装置を提供する。
【解決手段】薄膜の形成対象とする基板Ｋを反応室２内の基板保持手段６に保持する基板保持ステップと、反応室を真空圧力まで減圧する減圧ステップと、目的とする薄膜の構成原子を含む原料ガスを反応室に導入するガス導入ステップと、活性化手段により原料ガスにエネルギーを印加して基板Ｋに薄膜を形成する膜形成ステップとを備えるＣＶＤ方法において、膜形成ステップは、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが基板の表面に損傷を与えない第１エネルギーとなるようにして第１層目の薄膜を形成する第１膜形成ステップと、活性化手段から基板に印加されるエネルギーが第１エネルギーよりも強い第２エネルギーとなるようにして第２層目の薄膜を形成する第２膜形成ステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３次元中空容器のマイクロ波プラズを用いた内面成膜において、マイクロ波の導入手段を備えた３次元中空容器の薄膜成膜装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波エネルギーを封じ込める円筒型金属製容器と、該円筒型金属製容器内に成膜対象物である中空容器を収納する非金属製の真空チャンバーとを備え、前記中空容器内に原料ガスを注入する原料ガス導入管が配置され、該中空容器内に原料ガスを導入して、該中空容器内面にプラズマＣＶＤ法により薄膜を成膜する３次元中空容器の薄膜成膜装置において、前記非金属製真空チャンバーを覆い被せるように円筒型金属体が配置され、該円筒型金属体の側面には内側にある前記真空チャンバー部へマイクロ波エネルギーを侵入させるための少なくとも一つ以上の開口部を有する円筒型金属体を配置したことを特徴とする３次元中空容器の薄膜成膜装置である。 （もっと読む）

プラズマ小室（１２）に自己支持する壁部材となる誘電体窓（４００）を備えたプラズマ小室（１２）を含んで成る誘導結合プラズマ加工装置を提供する。誘電体窓（４００）にはプラズマ小室（１２）に対して外側面と内側面が設けられる。電磁界源（１４０）は、プラズマ小室（１２）内に電磁界を発生させる誘電体窓（４００）の外側面の前に配置される。電磁界源は少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）から構成される。この少なくとも１個の磁心（３０１、３０２、３０３）は、該少なくとも１個の磁心によって誘電体窓（４００）が作動中にプラズマ小室内の負圧によって生ずる崩壊力に耐えることが補助されるように、誘電体窓（４００）の外側面へ取り付けられる。
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【課題】 構造を単純化するとともに、プラズマ領域を容易に可変できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
また、同一の駆動装置を用いて、プラズマ領域を小さな体積または大きな体積に限定することで、構成を単純化できるプラズマ限定装置を備えた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 反応室１３内のプラズマ領域を限定するプラズマ限定装置３０を備えた半導体製造装置であって、プラズマ限定装置３０は、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１に限定する第１限定装置３１と、反応室１３内のプラズマ領域を第１プラズマ領域Ｐ１より大きい第２プラズマ領域Ｐ２に限定する第２限定装置３５と、プラズマ領域を可変するために第１限定装置３１及び第２限定装置３５を一緒に移動する駆動装置３９とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供する。
【解決手段】ある態様では、本発明は、半導体処理装置に供給される電力の変動を管理する方法を提供し、その方法は、半導体処理活動中の電力変動事象の発生を検出するために半導体処理装置に供給される電力を監視する過程を含む。電力変動事象を検出すると、半導体処理は、中断されてよい。電力変動事象の終了の後に、半導体処理装置の少なくとも一つの動作パラメーター、例えば、排気された処理チャンバ内の真空レベル、が測定されてよく、半導体処理は、測定された動作パラメーターが受容可能な範囲内にある場合には、再開されてよい。測定された動作パラメーターは、好ましくは、電力変動事象によって悪影響を及ぼされた場合に他の動作パラメーターよりもゆっくりと回復する動作パラメーターを含んでいてよい。 （もっと読む）