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Fターム[4K030FA01]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの励起、活性化 (9,777) | プラズマによるもの (4,475)

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【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器4の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室2と、減圧容器4の外部から、減圧容器4に設けられた真空窓15を介してプロセス室2に接続される変換器3A,3Bとを有する製膜装置1であって、真空窓15の両面に、プロセス室2の容器と変換器3A,3Bの容器を、真空窓15に対して定位置に位置決めするガイド板51,52を設けた。このガイド板51,52は、真空窓15の両面に、プロセス室2と真空窓15との間、および変換器3A,3Bと真空窓15との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 (もっと読む)


【課題】DLC膜の基材への密着性をより効果的に高めることにより、長寿命化を図ることができる摺動部材を提供すること。
【解決手段】第1シャフト2の雄スプライン部4の表面(第1シャフト2の基材2Aの表面)は、被膜14によって被覆されている。被膜14は、第1シャフト2の基材2Aの表面を被覆するDLC膜15と、基材2AとDLC膜15との間に介在する中間層16とを備えている。中間層16は、基材2A側から順に、第1Cr層17、CrN層18および第2Cr層19を積層した積層構造を有している。DLC膜15には、0〜50wt%の比率でSiが添加されている。 (もっと読む)


【課題】放電の均一性を上げて軸方向の電位ムラを改善し、濃度ムラのない高品位な画像が得られる電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】円筒状の中心電極の少なくとも一部を兼ねる円筒状基体102を、減圧かつ電気的に接地された反応容器101の内部に設置し、電源107から前記中心電極の一方の端部領域を経由して電力を供給することで前記中心電極と反応容器101との間に交番電圧を印加し、前記円筒状基体102の上に堆積膜を形成する電子写真感光体の製造方法において、前記中心電極の端部領域であって前記電源に接続されている端部領域とは反対側の端部領域の内側に、電気的に接地された円筒状可動部材108を誘電体を介して挿入することでコンデンサーを形成し、前記円筒状可動部材の侵入部分113の長さを変化させることによって前記コンデンサーの容量を堆積膜形成処理中に変化させる。 (もっと読む)


【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材1と、基材1に中間層2、3を介して接合されたDLCパターン層4bとで構成され、基材1が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層2、3が、基材1及びDLCパターン層4bとの接合性を提供し、かつ、DLCパターン層4bに比べ、エッチングレートが小さい層であり、DLCパターン層4bに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 (もっと読む)


【課題】
各処理室間のゲートバルブ等を設けずに長尺の基板を搬送し、且つ、各処理室を真空に保持し、連続的に成膜処理することである
【解決手段】
基板連続処理装置は、第1組の前処理室,成膜処理室,後処理室の連結可能な連続体からなり、またこの連続体と合体でき得る第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室の連結可能な連続体で構成される。また第2組の前処理密封室,成膜処理密封室,後処理密封室には、基板が通過でき得る溝が設けられ、前処理室密封,成膜処理密封室及び後処理密封室にはシールするために、1つ若しくは複数の密封材(Oリング等)を設置するための、密封材用取り付け溝を設置してなる構成により課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材1表面上に中間層2を介して形成されている硬質炭素膜3であって、前記中間層2は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか1層または2層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜3は1層または2層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径0.1μm〜0.5μmの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ2nm〜5nmの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】フロント壁9の内壁面及びリア壁11の内壁面に、片側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有しかつ基板を冷却する冷却パネル41が垂直にそれぞれ配設され、天井壁15の内壁面における隣接する各基板エリアA間に、両側に基板Wから輻射熱を吸収可能な吸収面63fをそれぞれ有しかつ基板Wを冷却する複数の中間冷却パネル63が垂直に吊設され、中間冷却パネル63がその上端側の水平な揺動軸心C周りに揺動可能になっていること。 (もっと読む)


【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばSbCl、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばSb(OEt)を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 (もっと読む)


【課題】受光部への光入射効率を悪化させることなく、金属コンタミネーション起因による白傷を低減する。
【解決手段】複数の受光部3の上方で、パターニングされた3層の導電層(ここでは金属層の第3配線7c)上の第4絶縁膜6d上に、装置側で設定するプラズマ発生エネルギーを示すRFパワーを、金属コンタミネーション起因による白傷を抑制するように700W〜1500Wに設定するプラズマCVD法によりパッシベーション膜8を成膜するパッシベーション膜成膜工程と、熱処理によりパッシベーション膜8から水素を脱離させるシンター処理を行うシンター処理工程とを有している。このパッシベーション膜8は、その膜厚が50〜100nmである。 (もっと読む)


【課題】極小径の貫通孔を有するプレートに1回のプラズマ成膜処理で薄膜を成膜するための成膜処理用治具を提供する。
【解決手段】本発明に係る成膜処理用治具は、貫通孔を有するアパーチャープレート107を挟むことにより前記貫通孔、前記アパーチャープレートの表面及び裏面を露出させた状態で前記アパーチャープレートを保持する保持部材39と、前記保持部材が取り付けられた電極部材と、を具備する成膜処理用治具8であって、前記電極部材は、プラズマCVD装置のプラズマ電力が印加される電極に電気的に接続されるものであることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板の位置決め精度が向上すると共に、プロセスへの影響が低減する基板の載置構造及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を内側に収容する複数の貫通孔と、貫通孔の内壁の3箇所に突設され、基板を上面に保持する保持部とを備える基板トレイと、貫通孔に対応して突設された複数の載置台11と、保持部に対応して、載置台11の外周部分の3箇所に形成され、保持部を収容する切欠部13とを備える載置板10とを有し、基板トレイを載置板10上に載置すると、貫通孔の内側に載置台11が配置されて、基板が載置台11の上面に各々載置される基板の載置構造において、載置台11の外径を基板の外径より大きくすると共に、大きくした載置台11の外周部分に基板の外縁を案内するガイド12を設けた。 (もっと読む)


【課題】固体撮像装置の暗電流の低減に有利な技術を提供する。
【解決手段】光電変換部を有する固体撮像装置の製造方法は、原料ガスとしてヘキサクロロジシランを用いて、前記光電変換部の少なくとも一部を覆うように減圧CVD法によって窒化シリコン膜を形成する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】Ruの選択成長と非選択成長を適用した半導体デバイスの相互接続配線の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマ増強原子層堆積チャンバ内に基板を準備し、基板は、露出した第1材料を有する第1領域と、露出した第2材料を有する第2領域とを含み、第1材料は金属窒化物又は窒化可能な金属を含み、第2材料は窒化不可能な金属又はシリコン酸化物を含むようにし、(a)第1ステップとして貴金属前駆体をチャンバに供給して、貴金属前駆体をキャリアガスの存在下で基板に接触させ、続いて貴金属前駆体をパージするステップ、アンモニア及びキャリアガスをチャンバに供給しつつ基板をプラズマに曝露するステップを繰り返し実施することにより、第1領域でなく第2領域上で貴金属層を選択的に堆積させ、次に(b)基板をアンモニア及びキャリアガスプラズマに曝露するステップと、貴金属前駆体を基板に接触させるステップで非選択的に堆積させる。 (もっと読む)


【課題】強度及び熱伝導率に優れた耐プラズマ性部材を提供する。
【解決手段】 一態様の耐プラズマ性部材は、少なくとも2相以上のセラミックスであり、イットリウム、ジルコニウムと第3の元素の中から選ばれる1種以上の酸化物を含み、前記イットリウム、前記ジルコニウムと前記第3の元素は、それぞれ酸化物換算で40mol%以上60mol%以下、5mol%以上20mol%以下、35mol%以上50mol%以下であることを特徴とする。
(もっと読む)


【課題】導電性ダイヤモンド電極の製作コストを低減するとともに、導電性ダイヤモンド電極の検出感度を向上させる。
【解決手段】導電性ダイヤモンドパウダーと絶縁性バインダとを含有するBDDインク6をカーボンペースト5(集電体)上に堆積させて導電性ダイヤモンド電極1を作製する。導電性ダイヤモンドパウダーは、ダイヤモンド粒子の表面にホウ素をドープしたダイヤモンド層を形成することで構成される。BDDインク6に混合する導電性ダイヤモンドパウダーは、絶縁性バインダの体積に対する導電性ダイヤモンドパウダーの体積比が20%以上90%以下となるように混合する。 (もっと読む)


【課題】酸化膜と窒化膜との積層構造を有する絶縁膜の膜厚均一性を向上させ、生産性を向上させる。
【解決手段】処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、酸化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、酸化膜を形成する工程と、処理容器内の基板に対して、原料ガスを供給する工程と、窒化ガスを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことにより、窒化膜を形成する工程と、を交互に所定回数行うことにより、基板上に酸化膜と窒化膜とが積層されてなる積層膜を形成する工程を有し、酸化膜を形成する工程および窒化膜を形成する工程を、基板の温度を同様な温度に保持しつつ、連続的に行う。 (もっと読む)


【課題】欠陥が少なく、バリア性の高いバリア性積層体の提供。
【解決手段】少なくとも1層の有機層と、少なくとも1層の無機バリア層を有し、有機層の少なくとも1層は、重合成組成物を硬化してなる有機層(1)であって、前記重合性組成物を60重量%含むプロピレングリコール1−モノメチルエーテル2−アセタート液における粘度が1000mPa・s以上である、バリア性積層体。 (もっと読む)


【課題】本発明は、太陽電池のバックシート、食品や医薬品等の包装分野に用いられるガスバリアフィルムと製造方法に関するものであって、そのガスバリア層が、基材であるプラスチックフィルムとの密着力に優れるガスバリアフィルムと、その製造においては、インラインでの形成が可能で、高い生産能率を有する生産方法を提供することを課題とするものである。
【解決手段】基材となるプラスチックフィルムの片面、もしくは両面にプラズマ化学的気相成長法(PECVD法)により形成された、SiOxCy膜からなる密着層の膜の組成が、基材表面から膜表面に向けて傾斜的に変化していき、その上にガスバリア層をこの順に、減圧環境化のインライン成膜にて形成するガスバリアフィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高い移動度を実現でき、且つ、ストレス耐性(ストレス印加前後のしきい値電圧シフト量が少ないこと)にも優れた薄膜トランジスタ用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、Zn、Sn、およびInと;Si、Hf、Ga、Al、Ni、Ge、Ta、W、およびNbよりなるX群から選択される少なくとも一種の元素(X群元素)と、を含むものである。 (もっと読む)


【課題】装置全体を小型化すると共に、作業効率を向上させて生産性を向上させることができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】複数のガイドローラーユニット200は、フレキシブル基板107を適宜屈曲させ該フレキシブル基板107の内側に第1空間部201と、この第1空間部201に隣接する第2空間部203とが形成される。また、フレキシブル基板107と、チャンバー100の壁部とで第3空間部203、第4空間部204が形成される。第1空間部201に第1の前駆体ガスが供給される。第2空間部202に第1のパージガスが供給される。第3空間部203に第2の前駆体ガスが供給される。第4空間部204に第2のパージガスが供給される。 (もっと読む)


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