【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置５は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部５０と、マイクロ波出力部５０から出力されたマイクロ波を処理容器２内へ導入するアンテナユニット６０と、アンテナユニット６０により導入されたマイクロ波を処理容器２内に放射するマイクロ波放射モジュール８０と、を有している。マイクロ波放射モジュール８０は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板８１と、導体部材としてのカバー部材８２とを有している。カバー部材８２は、マイクロ波透過板８１を介して処理容器２内に導入されるマイクロ波がウエハＷの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の形成のための方法が提供される。
【解決手段】 本方法は、プロセスチャンバ内の基板ホルダ上に基板を準備し、前記基板が、上部表面と側壁表面を持つ立ち上がり構造を含み；前記プロセスチャンバ内にプロセスガスを流し、前記プロセスガスが炭化水素ガス、酸素含有ガス、及び場合によりアルゴン又はヘリウムを含む。本方法はさらに、プロセスチャンバ内のプロセスガス圧力を少なくとも１トールに維持し、マイクロ波プラズマ源を用いてプロセスガスからプラズマを形成し、及び基板をプラズマに暴露して共形アモルファスカーボンフィルムを前記立ち上がり構造の表面上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】熱陰極ＰＩＧプラズマＣＶＤ法によって雄スプライン部にＤＬＣ被膜を形成する場合に、ＤＬＣ被膜の膜厚のばらつきを小さくすることができるスプラインシャフトのＤＬＣ被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空室６０内において、柱状のプラズマ７０ａの周囲に複数のスプラインシャフト１０を配置すると共に、柱延在方向に複数のスプラインシャフト１０を同軸状に並べて配置する。同軸状に並べて配置された複数のスプラインシャフト１０は、それぞれの雄スプライン部１６の間に軸方向隙間が形成されるように配置される。複数の雄スプライン部１６の軸方向隙間は、プラズマ７０ａの柱延在方向の中央部に位置するようにする。 （もっと読む）

【課題】例えば幅広ビーム源への使用に好適な、実用性に優れるラインプラズマ発生装置を提供する。
【解決手段】ラインプラズマ発生装置１０は、長手方向にマイクロ波を伝搬するための導波管１４と、長手方向に沿って配設され、導波管１４にプラズマを閉じ込めるための長手方向に交差する磁場を発生させるための磁石１６と、を備える。導波管１４は、側壁２４から管内に突き出して長手方向に延びるリッジ部２６を備え、リッジ部２６は側壁２４の外表面に長手方向に延びる凹部２８を形成してもよい。磁石１６は、凹部２８に配設されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】高い透明度を保持し、屈折率が高く、複屈折性が小さいという光学的な特性を有し、電気的絶縁性に優れ、各種基材に密着性良くコーティングでき、かつ低温での形成が可能な炭素膜を提供するプラズマＣＶＤ装置を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置は、結晶欠陥が、六方晶ダイヤモンド及び積層欠陥を備える積層体を製造するための表面波プラズマＣＶＤ装置であり、前記表面波プラズマＣＶＤ装置は、試料台と、試料台上の冷却ステージと、表面波プラズマ源とを備え、該表面波プラズマ源を制御して反応器内のガス圧力を５×１０^１から５×１０^２Ｐａに設定し、かつ試料台と冷却ステージと密着させ、前記基板と該表面波プラズマ源との距離を調節して基板温度を４５０℃以下に設定する。 （もっと読む）

【課題】寿命検出機構、接触検出機構を備えた工具の刃先として利用可能な、導電層を有する単結晶ダイヤモンド及び該単結晶ダイヤモンドを利用した工具の提供。
【解決手段】少なくとも一つ以上の層状の導電層が主面にほぼ平行に形成されており、該導電層は絶縁性の単結晶ダイヤモンドの内部に形成されており、該単結晶ダイヤモンドの側面まで前記導電層が貫通していることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンド。前記単結晶ダイヤモンドとそれを支える支持体とを具備し、単結晶ダイヤモンドと支持体とは導電性の接合材で接合されており、単結晶ダイヤモンドの内部に形成された導電層と支持体とは接触している接合材を介して電気的に接続されていることを特徴とする導電層付き単結晶ダイヤモンドを用いた工具。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材と硬化塗膜層、硬化塗膜層と無機物質層の双方の付着性に優れ、しかも耐候性、耐擦傷性に非常に優れた積層体及び積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材に、活性エネルギー線硬化型プライマー組成物による硬化塗膜層（Ｉ）、及び無機物質層（ＩＩ）が順次積層されてなる積層体であって、
該活性エネルギー線硬化型プライマー組成物が、
有機物変性シリカ粒子（Ａ）、
重合性不飽和化合物（Ｂ）、及び
光重合開始剤（Ｃ）、を含有するものであり、
該無機物質層（ＩＩ）が乾式成膜工法によって形成されたものであることを特徴とする積層体及び積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法において、結晶性が高く欠陥密度の低いシリコン膜を得ることができ、また成膜速度が高い成膜方法を提供する。
【解決手段】処理容器１の上面にコイル状のアンテナ５２を設け、このアンテナ５２に高周波電力を印加することにより、処理容器１内上部にプラズマ生成空間を形成する。そしてこのプラズマ生成空間に第１のガス供給部からヘリウムガスを供給することによりヘリウムの活性種を生成する。一方この第１のガス供給部よりも下方にて、第２のガス供給部４からモノシランガスを上方へ向けて吐出する。こうしてヘリウムの活性種とモノシランガスとが混合され、モノシランがプラズマ化される。このプラズマ化されたモノシランを含む混合ガスを基板Ｓに供給することにより成膜処理を行う。この成膜処理において水素ガスは用いない。 （もっと読む）

【課題】 水溶性溶剤との親水性に富み、耐摩擦性に優れ、塗料が短時間でロール表面に馴染じみ易く、塗りむらができにくく、塗り厚を均一にし易い親水性ＤＬＣ膜の成膜方法と親水性ＤＬＣ成膜基材を提供する。
【解決手段】 真空チャンバー内に基材をセットし、真空チャンバー内を常温かつ真空状態にし、基材の周辺にプラズマを発生させて、基材に負の高電圧パルスを印加することで基材表面をスパッタリングし、その後、ＤＬＣの原料ガスとＯ_２を真空チャンバー内に供給して基材に親水性ＤＬＣ膜を形成する。親水性ＤＬＣ膜の形成前にＯ_２含有層を形成したり、ＤＬＣ膜を形成したりしてもよい。ＤＬＣ膜の形成前にミキシング層を形成してもよい。基材の表面に親水性ＤＬＣ膜を設けた。基材と親水性ＤＬＣ膜との間に、Ｏ_２含有層やＤＬＣ膜を設けてもよい。基材とＤＬＣ膜の間にミキシング層を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】ボトル口部付近の熱変形や穿孔などを防止しつつ、安定したプラズマ発光状態を得ることができるプラズマ処理装置の提供する。
【解決手段】チャンバ内に設置された処理対象物（ボトル２０）の口部２１を保持する保持手段３０ａを備えたプラズマ処理装置であって、保持手段３０ａが、当該保持手段３０ａの中央部縦方向に穿設された貫通孔１４と、この貫通孔１４に嵌合するほぼ筒状の排気管部材３２ａとを有する。この排気管部材３２ａは、上部開口の外周端の一部がさらに上方へ延設した延設部３２ａ−２を有し、この延設部３２ａ−２は、上部開口の外周のうち、プラズマ処理装置１のマイクロ波導波管が取り付けられている側のみ延設されており、処理対象物（ボトル２０）の口部２１の長さとほぼ同じ長さだけ延設される。 （もっと読む）

【課題】クラック等の欠陥がなく表面の平坦性に優れ、成長速度が速く低コスト化が可能な単結晶ダイヤモンド基板の製造方法及びそれにより得られる厚膜ダイヤモンド基板の提供を目的とする。
【解決手段】２°以上のオフ角を有する結晶構造｛１１１｝の母ダイヤモンド基板の上に化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いてラテラル成長が発現する条件下でダイヤモンドを成長させて得ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することはなく、生産効率を格段に伸ばすことができる反応槽を提供することを目的としている。
更に、その製造法によれば、継続的に使用しても内壁面に反応生成物が実質的に付着することのない製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽を容易に提供できる製造プロセス用処理槽の構造体及びその構造体を用いた製造プロセス用処理槽の製造法を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明に係る反応槽は、槽本体の内表面にＰＦＡから成る膜を設けたものである。又、反応槽及びその構造体の製造法は、内壁面に溶融・再溶融してＰＦＡ膜を設けるものである。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンドが本来有する物性の高いダイヤモンド膜、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】熱抵抗が１．０×１０^−８（ｍ^２・Ｋ/Ｗ）以下のダイヤモンド膜であって、その製造方法は、（１）一次粒子径が１〜２０ｎｍのナノダイヤモンド粒子を準備する工程、（２）前記ナノダイヤモンド粒子を基材に付着させる工程、（３）前記ナノダイヤモンド粒子付着基材を熱処理又はプラズマ処理する工程、及び（４）前記処理したナノダイヤモンド粒子付着基材のナノダイヤモンド粒子をＣＶＤ法により成長させ、ダイヤモンド膜を形成する工程、とを含む。 （もっと読む）

【課題】実用性の高い大気圧プラズマ処理システムを提供することを課題とする。
【解決手段】大気圧下でプラズマ処理を行うシステムにおいて、(a)一列に並んで配置された複数のチャンバー３４と、(b)隣り合う２つのチャンバーを連通する１以上の連通路４２，４４と、(c)連通路を介しつつ、チャンバー内を通って基板５４を搬送する搬送装置５０と、(d)各チャンバー内で大気圧下においてプラズマを発生可能な複数のプラズマヘッド３８と、(e)各連通路を遮るようにガスを吹出し、その吹出されたガスの流れによって隣り合うチャンバー間を仕切る１以上の仕切装置６２，６４とを備え、搬送装置によって搬送される被処理物に複数のチャンバー内で順次プラズマ処理を施すように構成する。このような構成により、複数のプラズマ処理に要する時間を短縮するとともに、吹出されるガスの流れによって、各チャンバーで使用される反応ガスの混合を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】内部圧縮圧力を増強した炭窒化シリコン及び炭窒化シリコン薄膜のプラズマCVD法を提供すること。
【解決手段】本発明は、プラズマ化学気相成長（PECVD）窒化シリコン（SiN）及び炭窒化シリコン（SiCN）薄膜における内部圧縮応力の増強方法であって、アミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体からの膜を堆積するステップを含んでなる前記方法である。より詳しく述べると、本発明は、以下の式：
［RR¹N］_xSiR³_y（R²）_z
｛式中、x＋y＋z＝4、x＝1〜3、y＝0〜2、及びz＝1〜3であり；R、R¹、及びR³が、水素、C₁〜C₁₀アルカン、アルケン、C₄〜C₁₂芳香族であり得；各R²が、ビニル、アリル、又はビニル含有官能基である。｝から選択されるアミノ・ビニルシラン・ベースの前駆体を使用する。 （もっと読む）

【課題】多数の基材に対して一度に成膜を行う、絶縁膜の堆積に伴う動作の不安定をきたさず、長時間に亘って使用しても安定した成膜を行うプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ２内を真空排気する真空排気手段３と、成膜対象である基材を自転状態で保持する複数の自転保持部４と、複数の自転保持部４を自転保持部４の回転軸と軸心平行な公転軸Ｑ回りに公転させる公転機構と、真空チャンバ２内に原料ガスを供給するガス供給部９と、真空チャンバ２内にプラズマを発生させるプラズマ発生電源１０とを備え、複数の自転保持部４の各々は、プラズマ発生電源１０の一方極に接続された第１の群１８と、プラズマ発生電源１０の他方極に接続される第２の群１９とに分けられ、互いに異なる極性とされた第１の群１８の基材と、第２の群１９の基材との間にプラズマが発生可能とされている。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の温度で原子層蒸着法により蒸着が可能な前駆体を用いて高密度を有する非晶質の高誘電絶縁膜形成を通じてキャパシタンス等価厚及び漏洩電流特性を向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上にＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＣＨ_３）_２、Ｚｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_３）］_２（ＯＣＨ_３）ＣＨ_３及びＺｒ［Ｃ_５Ｈ_４（ＣＨ_２ＣＨ_３）］［Ｎ（ＣＨ_３）（ＣＨ_２ＣＨ_３）］_３の何れか一つの前駆体を用いて４００℃〜５００℃の温度で形成されたジルコニウム酸化膜（ＺｒＯ_２）１４０を含む高誘電絶縁膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プロセス条件で与えられるストレス以上に大きなストレスを薄膜に与えることが可能なプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理基板Ｗが載置される基板載置台３と、処理容器１内に、ガスを供給するガス導入部２７と、を具備し、基板載置台３の、被処理基板Ｗが載置される基板載置面３ａが窪み３ｂを有し、窪み３ｂの直径を２００ｍｍとしたとき、最深部の深さを１ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波放電に用いたマイクロ波のＲＦ給電ラインへの漏洩をライン途中で効果的に遮断してマイクロ波漏洩障害を確実に防止する。
【解決手段】このマイクロ波プラズマ処理装置において、サセプタ１２にＲＦバイアス用の高周波を印加するための給電棒３４は、その上端がサセプタ１２の下面中心部に接続され、その下端がマッチングユニット３２内の整合器の高周波出力端子に接続されている。また、チャンバ１０の底面とマッチングユニット３２との間には、同軸線路３６を形成するために、給電棒３４を内部導体としてその周りを囲む円筒状の外部導体３８が設けられている。同軸線路３６には、チャンバ１０内のプラズマ生成空間から線路内に入ってきた不所望なマイクロ波の空間伝播を遮断するためのチョーク機構４０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）