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Fターム[4K030FA01]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの励起、活性化 (9,777) | プラズマによるもの (4,475)

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【課題】低透過性の高いガスバリアフィルムを成膜することが可能な成膜装置、成膜方法を提供すること、および低透過性の高いガスバリアフィルムを提供することを目的とする。
【解決手段】成膜装置1は、基材81の成膜面810にガスバリアフィルム82を成膜する。成膜装置1は、基材81が配置されるプラズマ生成室20と、プラズマ生成室20に露出する誘電体21と、を有する減圧容器2と、プラズマ生成室20に原料ガスを供給する原料ガス供給部50と、プラズマ生成室20にキャリアガスを供給するキャリアガス供給部51と、マイクロ波MWをプラズマ生成室20に導入するスロットアンテナ3と、誘電体21と基材81との間に配置され負のバイアス電圧が周期的に印加される加速部材4と、ガスバリアフィルム82を成膜する際に基材81を冷却する冷却部材4と、を備える。 (もっと読む)


【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置10によれば、真空槽10と被処理物としての各基板18,18,…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Wpが供給される。このとき、各基板18,18,…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽10を陽極とし、各基板18,18,…を陰極として、これらに直流電力Waが供給される。これによって、各基板18,18,…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】高温強度、プロセスガスに対する耐食性および耐プラズマ反応性を備えた皮膜形成処理装置用部材を提供すること。
【解決手段】基材の表面にNi−Al合金層を形成した皮膜形成処理装置用部材であって、前記基材の材質が純ニッケルまたはNi−Cr−Fe合金であり、前記Ni−Al合金層が厚さ:10〜200μmであり、組成:Al;10〜60重量%で、残部:Niと不可避不純物であることを特徴とする皮膜形成処理装置用部材により、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】ワーク搭載用のトレイに載置された基板に処理を行う際、昇降装置により支承されたトレイの平面度を向上する。
【解決手段】基板カートKの複数のトレイTは、基板搬送装置70の搬送用ローラRにより、一対の側縁の下面を支承されている。基板カートKの下方には、複数の昇降装置50が配列されており、各昇降装置50の先端側の保持部52は、受け板53を介して、トレイTの下面を支承している。各昇降装置50の保持部52によるトレイTの下面の支承面と、複数の搬送用ローラRによるトレイTの下面の支承面とを、トレイTの下面を面一にする高さ位置に設定した状態で、トレイTに搭載された基板Wに薄膜が成膜される。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置において、シングルアーム型の搬送装置を採用しつつ高スループットを実現する。
【解決手段】ドライエッチング装置1の搬送装置15は、処理前のトレイ3をストック部13のカセット62の主棚部67b,68bから回転ステージ33に搬送し、回転ステージ33でのアラインメント処理後のトレイ3をカセット62の仮置き棚部67c,68cを経てプラズマ処理部11へ搬送する。また、搬送装置15は、処理後のトレイ3をプラズマ処理部11からストック部13のカセット62の主棚部67b,68bに搬送する。 (もっと読む)


【課題】イットリア材料のフッ化を抑制できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】処理室7と、処理室7にガスを供給する手段10と、処理室7を減圧する排気手段12と、プラズマ生成のための高周波電力20,21と、被処理体4に入射するイオンを加速するための高周波バイアス電力22,23と、表面がイットリア17で覆われている内壁材を処理室側壁に有するプラズマ処理装置において、処理室内のイットリアのフッ化度合いを検知可能なフッ化検知センサー30を設置し、また、密度の高いプラズマに曝される側壁部分に石英製の円筒状の部品41を設置し、また、処理室側面の下方に導電率の高い材料をアース52として設置し、エッチング処理間のクリーニングにおいて、イットリア材料17,37のフッ化の緩和を基準にクリーニング時間を調整できるようにした。 (もっと読む)


【課題】 冷媒や水素燃料が透過しにくい樹脂ホース、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂ホース8は、ポリアミド樹脂からなる円筒状の内層80と、内層80の径方向外側に積層されポリアミド樹脂からなる円筒状の外層82と、内層80と外層82との間に積層されSiNからなる中間層81と、を有する。樹脂ホースの製造方法は、モノシランおよび窒素を反応ガスとして内層80の外周面800をマイクロ波プラズマ処理することにより、外周面800に中間層81を形成する中間層形成工程と、中間層81の外周面に、ポリアミド樹脂を溶融押出成形することにより外層82を形成する外層形成工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】真空中で成膜用フィルム上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、成膜用フィルムを搬送して巻き取ることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、成膜用フィルムロール40から繰り出された成膜用フィルム4上に真空中で成膜を行い、かつ、成膜された成膜用フィルム4をロール状に巻き取る巻取式成膜装置1である。成膜用フィルム4をフィルム支持ローラ7に巻き付けた状態で成膜用フィルム4上に成膜を行う第1〜第4の成膜領域31〜34と、成膜された成膜用フィルム4の成膜されていない面4bを支持して搬送するフィルム搬送機構とを有する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理装置の小型化ないし設置面積の低減を図る。
【解決手段】ドライエッチング装置1は基板2を収容した搬送可能なトレイ3を収納したカセット62を含むストック部13を備える。トレイ3の搬送機構15を収容した搬送部12内に、回転ステージ33が設けられている。ドライエッチング前のトレイ3を載置した回転ステージ33を回転させ、ノッチ検出センサー44によりノッチ3cを検出することでトレイ3の回転角度位置調整を行う。 (もっと読む)


【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。 (もっと読む)


【課題】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法を提供する。
【解決手段】基材上に金属酸化物膜を形成するための循環堆積法であって、金属ケトイミネートを堆積チャンバーに導入し、該金属ケトイミネートを加熱基材上に堆積させる工程、該堆積チャンバーをパージして未反応の金属ケトイミネートと任意の副生成物を除去する工程、酸素含有源を該加熱基材に導入する工程、該堆積チャンバーをパージして任意の未反応の化学物質と副生成物を除去する工程、及び所望の膜厚が確立されるまで循環堆積法を繰り返す工程を含む循環堆積法が提供される。 (もっと読む)


【課題】ガスバリア膜において、可視光の透過性と被覆性及び可撓性との良好なバランスを実現することができる技術の提供。
【解決手段】珪素化合物を含有するバッファ層2と、バッファ層2に積層され、珪素酸化物及び/または珪素窒化物を含有するバリア層3と、を含むガスバリア膜1において、バッファ層2についてのフーリエ変換赤外吸収スペクトルにおいて、波数900cm−1での赤外吸光度A1と波数1260cm−1での赤外吸光度A2との比A(A=A1/A2)と、前記ガスバリア膜に含まれるバッファ層の厚みの合計t(nm)とが、A<3未満かつ式(1)を満たすか、又はA≧3かつ式(2)を満たす、t≦15656/A3.313(1)t≦837/A0.648(2)ガスバリア膜。 (もっと読む)


【課題】本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。
【解決手段】この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン(MCS)及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 (もっと読む)


【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマCVD装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール6と、プラズマ発生電極7とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも1枚ずつの側壁8を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列9を1列以上備えるプラズマCVD装置。 (もっと読む)


【課題】プラズマCVD及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器1と、高周波電源20と、インピーダンス整合器32と、3端子サーキュレータ50と、該3端子サーキュレータ50に接続された無反射終端器52及び反射波検知器54とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ2からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ61を有する導波管を用いることも特徴とする。 (もっと読む)


【課題】金属および金属化合物のターゲットを主原料とすることで、有機金属ガス等の有害なガスを使用する必要がなくなり、大気圧プラズマを反応場として利用すると共に、熱源としても利用することで高融点材であるシリコンやセラミックス等の基板上へ密着性の良好な金属またはその酸化物若しくは窒化物等の金属化合物薄膜の形成方法及びその形成装置を提供する。
【解決手段】マイクロプラズマ法による薄膜作製方法において、全体に亘って内径が均一である細管1内に薄膜形成用の原料ワイヤー3を設置し、細管1に不活性ガスを導入すると共に高周波電圧を印加して細管1内部に高周波プラズマを発生させ、1又は複数の細管1内部のプラズマガスの流速及びプラズマガス温度を高温に維持しながら原料を加熱・蒸発させ、蒸発した材料を細管1から噴出させて基板上に照射し、プラズマガスにより基板を加熱すると共に、照射した材料を大気圧下で基板上に堆積させる。 (もっと読む)


【課題】ハードマスクとして好適に用いられるアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。また、半導体装置における保護膜や封止膜に適したアモルファスカーボン膜の製造法を提供する。
【解決手段】プラズマ雰囲気形成領域を内部に有するチャンバーを備えるCVD装置を用意し、チャンバー内圧を6.66Pa以下、バイアス印加手段を介して成膜用の基体を設置するステージに印加するバイアスを100〜1500W、基体の成膜時の基体温度を200℃以下、成膜用の原料ガスの流量を100〜300cc/min.(0℃、大気圧)、プラズマ雰囲気を形成するための希ガスの流量を50〜400cc/min.(0℃、大気圧)とし、基体をプラズマ雰囲気に対面させ、基体上にアモルファスカーボン膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管2にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管2に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管2にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置1が洗浄される。 (もっと読む)


【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのDLC膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、直流パルスプラズマCVD法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材200は、処理室3内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材200は、その軸線Cが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源8をオンすることにより、隔壁2と基台5との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスがプラズマ化し、基材200の内周面および外周面にDLC膜が堆積される。 (もっと読む)


【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Si太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、pHが11.0以上の水溶液中で−0.5〜−2.2Vvs.SCEの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を4.0nm以下とする工程(陰極電解工程)、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、FeCl3濃度2〜50質量%、HCl濃度0.1〜20質量%の塩化第二鉄+塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合(ピット占有面積率)を40%以上、かつ平均面粗さSPaを0.05〜0.30μm未満とする工程(エッチング工程)、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 (もっと読む)


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