【課題】回転磁場単独でプラズマを高効率で生成でき、且つ、小型である定常プラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】本発明による定常プラズマ生成装置は、放電管１０と、アンテナ部２０と、電流型インバータ回路３０とから主に構成される。放電管１０は、プラズマ生成ガスが提供される。アンテナ部２０は、放電管１０の軸を回転軸とする回転磁場を放電管１０に与えるものであり、複数の複数巻コイル２１と、複数の磁性体２２とを有する。複数の複数巻コイル２１は、それぞれ放電管１０の軸の垂直方向を軸とするものであり、複数の磁性体２２は、各複数巻コイル２１内にそれぞれ挿入される。電流型インバータ回路３０は、アンテナ部２０を含む並列共振回路を駆動する。 （もっと読む）

【課題】カートの温度低下に起因するカートからのパーティクルの発生を抑制できる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜処理された基板をカート１１から取り出し、成膜処理されていない基板をカート１１に搭載する移載機１２と、カート１１を加熱する加熱室１３と、カート１１に搭載された基板に成膜処理を行う成膜処理装置１４と、移載機１２と加熱室１３と成膜処理装置１４との間でカート１１を搬送させるカート搬送装置１５と、移載機１２にカート１１が格納されている基板移載時間Ｔｉを計測するタイマー１６と、成膜処理されていない基板がカート１１の基板搭載位置のすべてに搭載された場合、又は基板移載時間Ｔｉが一定時間を越えた場合のいずれかに、移載機１２から加熱室１３にカート１１を搬送するようにカート搬送装置１５を制御する制御装置１７とを備える。 （もっと読む）

【課題】ステンレス鋼板の表面に微細な粗面化テクスチャーを均一に形成させる技術であって、特に薄膜Ｓｉ太陽電池の基板に好適な技術を提供する。
【解決手段】フェライト系ステンレス鋼板を、ｐＨが１１.０以上の水溶液中で−０.５〜−２.２Ｖｖｓ.ＳＣＥの電位で陰極電解することにより、不動態皮膜の膜厚を４.０ｎｍ以下とする工程（陰極電解工程）、
前記陰極電解工程を終えた鋼板を、ＦｅＣｌ₃濃度２〜５０質量％、ＨＣｌ濃度０.１〜２０質量％の塩化第二鉄＋塩酸混合水溶液中に浸漬することにより表面にピットを発生させ、表面に占めるピット発生部分の投影面積の割合（ピット占有面積率）を４０％以上、かつ平均面粗さＳＰａを０.０５〜０.３０μｍ未満とする工程（エッチング工程）、
を有する微細粗面化ステンレス鋼板の製造法。 （もっと読む）

【課題】ロールツーロールによる成膜であっても、多層膜の形成を効率的に行うことができ、ＡＬＤによる成膜では単位時間当たりのサイクル数を増やすことができ、多層化や多サイクル化に伴う設備の大型化や占有面積の増大を抑制することのできる成膜方法を提供すること。
【解決手段】連続的または断続的に基板を搬送しながら、気相状態にある材料を用いて該基板上に薄膜の形成を行う成膜方法であって、回転ドラムの周囲に基板を配置する工程と、該回転ドラムを第一の速度で回転させる工程と、該回転ドラムに少なくとも２つの材料をそれぞれ供給する工程と、上記基板を第二の速度で搬送する工程と、を含み、上記第一の速度と該第二の速度とが異なることを特徴とする成膜方法。 （もっと読む）

【課題】堆積プロセスの効率が低下しない、真空コーティング装置の動作方法を提供する。
【解決手段】フェーズＩでは、コーティングチャンバ１１がフッ素を含むガスによって洗浄された後、残留物１３がチャンバ壁に付着している。フェーズＩＩでは、ＰＥＣＶＤ法を用いて基板なしで堆積ステップが行われ、コーティングチャンバ１１の内壁全体に拡散防止層１５が形成される。拡散防止層１５は、フェーズＩで残った残留物１３の全てを覆い、当該の残留物１３がチャンバ内へ拡散することを阻止する。フェーズＩＩＩでは、拡散防止層１５によって完全に覆われたコーティングチャンバ１１に、ソーラーセルを製造するための基板１７が配置され、従来のコーティングステップが開始される。Ｓｉを含む層を１回または複数回析出した後、再び、フッ素を含むガスによる洗浄ステップが行われ、その際に拡散防止層１５が除去され、初期の状態（フェーズＩ）が達成される。 （もっと読む）

【課題】密着層とガスバリア層とをインライン成膜で形成することで、従来よりも密着性に優れたガスバリアフィルムを高い生産効率で提供する。
【解決手段】基材であるプラスチックフィルム１上にプラズマ化学的気相成長法により形成された酸化珪素からなる密着層２とガスバリア層３とを形成する際、基材１が走行する金属ロール電極と、対向電極として、面内に、Ｓ・Ｎ極一対以上の磁石を設置した円弧状の接地電極とを備え、前記電極間に、例えばヘキサメチルジシロキサンおよび酸素を導入して、処理空間内の圧力を０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下として、１０ｋＨｚ以上３０ＭＨｚ以下の高周波を印加し、基材１表面に、密着層２を形成し、さらにその上に酸化珪素ガスバリア層３を形成する。 （もっと読む）

【課題】効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台３４と、支持台３４の上方側を覆って支持台３４との間に小容積領域Ｓを形成可能な第一の位置および第一の位置と異なる第二の位置に移動可能であって、成膜ガスを供給する第一のガス供給孔６８が一方面側に開口するように設けられている板状のヘッド部６２を有し、成膜ガス等の供給を行うガス供給機構６１と、支持台３４上に支持された被処理基板Ｗの外方側に設けられたガス排気孔７０を有し、ガスの排気を行うガス排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】マイクロ波を用いたプラズマ処理装置において、プラズマ処理の均一性を向上する。
【解決手段】リング状空洞共振器２０４を用いたプラズマ処理装置において、処理室の中心軸と同心に設置されたプラズマ発生用電磁波導入経路を有し、電磁波を複数の出力ポートに分配する分岐回路の出力ポートに接続され、プラズマ発生用電磁波の導入経路と同心に設置されたリング状空洞共振器２０４を備え、プラズマ発生用電磁波導入経路が円形導波管２０１により構成され、分岐回路が、該処理室の中心軸に対して均等な角度で配置された複数の導波路で構成され、円形導波管２０１に円偏波の発生機構６０２を備えて、共振器内部に進行波を励振する。 （もっと読む）

【課題】基板の温度が１００℃以下の低温環境下において、基板上にシリコン窒化膜を適切に成膜し、当該シリコン窒化膜の膜特性を向上させる。
【解決手段】ガラス基板Ｇ上にアノード層２０、発光層２１、カソード層２２、シリコン窒化膜２３を順次成膜して、有機ＥＬデバイスＡを製造する。シリコン窒化膜２３は、プラズマ成膜装置の処理容器内にシランガス、窒素ガス及び水素ガスを含む処理ガスを供給し、処理容器内の基板の温度を１００℃以下に維持し、且つ処理容器内の圧力を２０Ｐａ〜６０Ｐａに維持した状態で、処理ガスを励起させてプラズマを生成し、当該プラズマによるプラズマ処理を行って成膜される。 （もっと読む）

【課題】セグメント形態の保護膜のさらに高速な形成が容易であり、保護膜の品質管理をさらに向上させ、さらに自由度の高い（複雑な）セグメント形態を可能とし、二次元形状のみならず三次元形状にも適用可能な、ＤＬＣ膜などの保護膜、およびそれを成膜する方法を提供すること。
【解決手段】セグメントに分割して形成されるように膜を堆積してなるセグメント形態の保護膜を基材上に形成させる際に、所定の形態のセグメントを得られるようにレーザーを用いて基材に溝加工をした後に、保護膜を堆積してセグメント間の間隔を形成することを特徴とする保護膜およびその製造方法。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて品質特性がより高いＳi薄膜をより低コストで形成する薄膜形成装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスと希釈ガスとクリプトンガスの流量を調整することにより得られる第１のガスを成膜空間に供給する工程と、前記第１のガスが供給された前記成膜空間において、電極板に高周波電力を供給してプラズマを生成するとともに、前記載置台にバイアス電圧を印加することにより、前記基板に処理を施す工程と、前記原料ガスと前記希釈ガスの流量を調整することにより得られる第２のガスを前記成膜空間に供給する工程と、前記第２のガスが供給された前記成膜空間において、前記電極板に高周波電力を供給してプラズマを生成することにより、前記基板に薄膜を形成する工程と、を行う。前記第１のガスにおける前記原料ガスと前記希釈ガスの合計流量に対する前記原料ガスの流量の比は、前記第２のガスの前記比に比べて小さい。 （もっと読む）

【課題】異常放電が少なく、長時間安定的に放電可能なプラズマ処理用マグネトロン電極、及び異常放電に伴うダスト発生を抑制した成膜方法を提供する。
【解決手段】カソードケース１０１の開口部にバッキングプレート１０３を設け、その上にターゲット１０２が設けられ、カソードケースの中央部に主磁石１０５がターゲット側がＳ極の向きで設けられ、主磁石を取り囲むように補助磁石１０６がＮ極向きで設けられる。第二電極１０４を、第一電極１０１，１０２，１０３の外側磁極１１１の内側端部よりも外側か、または磁束密度の低い部分にのみ設ける。 （もっと読む）

【課題】凸凹が大きい立体的形状を含むような基材も含め、大気圧状態でも短時間で均一に被膜を形成することができる被膜形成装置及び被膜形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る被膜形成装置１及び被膜形成方法は、希釈ガス供給管２の内部に設けられた導電体の細棒部材が希釈ガス供給管２の内部を優れた共振系とするため、リング状共振器６からスリット６１を介して３６０°方向から照射されたマイクロ波により希釈ガス供給管２の内部に表面波プラズマを形成し、プラズマ化された希釈ガスが混合器７に導入され、原料ガスと混合されることにより、大気圧状態であっても原料ガスのプラズマ化が効率よく行われる。そして、プラズマ化された原料ガスを基材Ｓに噴射することにより、基材Ｓを均一に処理することができ、被膜形成が効率よくかつ安定して行われることになる。 （もっと読む）

【課題】非晶質炭素膜の強度を高めることができるとともに、小型化を図ることができるようにする。
【解決手段】本発明は、連続して搬送される被成膜基材Ｐに非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜形成部Ｅを有するロールコーター装置において、その非晶質炭素膜形成部Ｅに至る上記搬送経路αの上流側に、上記被成膜基材Ｐを加熱するための加熱機能部Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｇ，Ｈを配設したものである。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内でプロセス処理の結果判定や障害調査を確実に且つ迅速に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波発生機構と、ガス供給機構とを備えるプロセスモジュールと、ウェハ搬送機構を備えるフロントエンドモジュールとで構成された基板処理装置において、コントローラ１００は、基板を処理する際において発生される温度、ガス流量、圧力、周波数、ＲＦパワーを少なくとも一つ含む情報を収集する収集手段１０４と、収集した情報を演算する演算手段１０４と、収集した情報及び演算した結果の少なくとも一方を蓄積する蓄積手段１１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】均一な表面波プラズマを形成することが可能な表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】 マイクロ波出力部から、外側導体と内側導体とからなる同軸状の導波路を介して伝送されたマイクロ波をチャンバ内に放射して、チャンバ内に表面波プラズマを発生させるための、表面波プラズマ発生用アンテナであって、平面状をなすとともに複数のスロットが円周状に形成され、かつ、円周方向に隣接するスロットとスロットとの継ぎ目部分において、これらスロットが径方向に重なっており、その継ぎ目部分がスロットに覆われた状態となっている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】膜厚の均一な炭素膜を、３次元形状の処理物に成膜する成膜装置，炭素膜の成膜方法及び炭素膜を提供すること。
【解決手段】本発明の炭素膜の成膜装置１は、プラズマＣＶＤ法によってワークＷの表面に炭素膜を形成する炭素膜の成膜装置１であって、真空槽１０と、ワークを保持する第一の電極２と、第一の電極２と間隔を隔てた位置にもうけられ、かつ第一の電極２の外周に立設してもうけられた立設部３１を備えた原料ガスをイオン化する第二の電極３と、第一の電極２，第二の電極３のそれぞれに独立して電力を供給する電源装置２５，３５と、原料ガスを供給するノズル４２と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Ｔ_１で酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程（ＳＴＥＰ１）と、触媒金属微粒子に温度Ｔ_１より高い温度Ｔ_２で水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程（ＳＴＥＰ２）と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度Ｔ_３でプラズマＣＶＤ法によりカーボンナノチューブを成長させる工程（ＳＴＥＰ３）と、を備えている。 （もっと読む）