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Fターム[4K030FA01]の内容

CVD (106,390) | 原料ガスの励起、活性化 (9,777) | プラズマによるもの (4,475)

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【課題】基板上部で安定してプラズマを生成させることができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】基板に薄膜を形成する薄膜形成装置は、減圧状態で基板に薄膜を形成する成膜空間を備える成膜容器と、前記成膜容器の前記成膜空間内に、薄膜形成に用いるガスを導入するガス導入部と、前記成膜空間において、前記ガスを用いてプラズマを生成させるプラズマ電極部を有する。前記プラズマ電極部は、電流が一方の端面から他方の端面に流れ、主面が前記成膜空間に向く、矩形形状のプラズマ生成用電極板と、前記電極板の前記主面の中央部分に前記電流の流れる方向に沿って設けられる凹状の溝部を充填するように設けられ、前記成膜空間に向く端部が同じ極性を有する磁石と、を備える。 (もっと読む)


【課題】基板上において垂直に近い状態で配向し、かつ高密度なカーボンナノチューブを極力低い温度で形成する方法を提供する。
【解決手段】カーボンナノチューブの形成方法は、触媒金属層に温度Tで酸素プラズマを作用させ、表面が酸化された触媒金属微粒子を形成する工程(STEP1)と、触媒金属微粒子に温度Tより高い温度Tで水素プラズマを作用させ、触媒金属微粒子の表面を還元して活性化する工程(STEP2)と、活性化された触媒金属微粒子の上に温度TでプラズマCVD法によりカーボンナノチューブを成長させる工程(STEP3)と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板表面に堆積させた不純物のラジカルの厚さ(量)を比較的高精度に測定し、その結果に基づいて所望量の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入することができるプラズマドーピング装置及びプラズマドーピング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ生成室12と、プラズマ生成室12に連通して設けられて処理対象である基板Sを保持するステージ31が設けられた処理室13と、を備え、プラズマ生成室12で生成されたプラズマ中の不純物のラジカルに含まれる元素を基板に導入するプラズマドーピング装置10であって、ラジカルの生成量を測定する測定手段50を備える構成とする。 (もっと読む)


【課題】積層体の長手方向に、基材と保護フィルムとの密着力が変化した場合であっても、基材と保護フィルムとを適正に剥離させることができ、基材の搬送テンションが緩んで、ツレシワが発生したり、熱ダメージを受けて、基材が損傷することを防止する。
【解決手段】処理を行なう前の積層体の搬送中に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第1検出工程と、第1検出工程と成膜処理との間に、基材上の保護フィルムの有無を検出する第2検出工程と、第1検出工程と第2検出工程の検出結果に応じて、第1検出工程と第2検出工程との間で、保護フィルムが基材から剥離するように、剥離力を制御する制御工程とを有することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】アンテナ交換方法は、複数の真空チャンバ1と基材搬送チャンバ150の内部を真空状態に減圧し、アレイアンテナユニット30をアンテナ搬送チャンバ200に収容し、そのアンテナ搬送チャンバ200の内部を真空状態に減圧し、アンテナ搬送チャンバ200と真空チャンバ1との内部を真空状態に維持したまま当該両チャンバを連通し、真空状態を維持したまま連通された両チャンバ間で、アンテナ搬送チャンバ200から真空チャンバ1にアレイアンテナユニット30を搬入し、真空チャンバ1内に搬入されたアレイアンテナユニット30の電極棒それぞれが、高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタに接続されるようにアレイアンテナユニット30を真空チャンバ1内に掛け止めする。 (もっと読む)


【課題】メンテナンス作業による装置の稼働停止時間を短縮することにより、装置の稼働率を向上する。
【解決手段】真空チャンバ1には、高周波電源に電気的に接続可能な複数のコネクタと、これらコネクタに接続可能な複数本の電極棒を有するアレイアンテナユニット30と、が設けられている。この真空チャンバ1には、真空状態を維持したまま接続可能なアンテナ搬送チャンバ200がゲートバルブ201を介して接続可能となっている。アレイアンテナユニット30は、アンテナ搬送体70Aに保持されて真空チャンバ1からアンテナ搬送チャンバ200に搬出され、また、新たなアレイアンテナユニット30を保持したアンテナ搬送体70Bが、アンテナ搬送チャンバ200から真空チャンバ1内に搬入される。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素とシリコン酸化物の特性を兼ね備えた非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を均一且つ迅速に成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】対向配置された保持電極1と印加電極2を有する電極体10との間に原料ガスを含む混合ガスG0を供給し、大気圧雰囲気下において、必要に応じて電極体10と保持電極1との間に直流バイアス電圧を発生させながら、印加電極2に交流電圧を印加する。これにより、保持電極1に保持された被成膜体Wと電極体10との間でグロー放電プラズマを発生させ、被成膜体Wに非晶質炭素・シリコン酸化物混合膜を成膜する。原料ガスは、炭化水素系ガスと有機シラン系ガスと酸素源ガスとを含む。原料ガス中、有機シラン系ガス:酸素源ガス=99.9:0.1〜0.1:99.9であり、且つ、炭化水素系ガス:有機シラン系ガス+酸素源ガス=1:99〜99:1の混合比で構成されている。 (もっと読む)


【課題】予備のNFを用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法:
(a)目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程;
(b)上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程;
(c)上記堆積を周期的に中断する工程;
(d)上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程;及び
(e)上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。 (もっと読む)


【課題】大気圧状態でも被膜の形成等のプラスチックボトル内面の処理を短時間で均一に実施することができるプラスチックボトル内面の処理方法及びプラスチックボトル内面の処理装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るプラスチックボトル内面の処理装置1及び処理方法は、ガス供給間2を構成する、誘電体からなる供給管本体の内部に設けられた導電体の細棒部材が、プラスチックボトルBの内部を優れた共振系として、リング状共振器6からスリット61を介して360°方向から照射されたマイクロ波により表面波プラズマを形成する。よって、マイクロ波閉じ込め室Mには、極めて均一なプラズマ(表面波プラズマ)が生成され、大気圧状態でもボトルBの内部にプラズマを維持しやすくなり、供給された原料ガスを効率よくプラズマ化してボトル内面BIを均一に処理し、成膜等が効率よくかつ安定して行われることになる。 (もっと読む)


【課題】第III−V族含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、GaN、InNおよびAlN、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、(In, Ga)N、(Al, Ga)N、(In, Ga, Al)Nのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。前記方法および装置は、準単分子層薄膜蒸着の急速反復を可能にする多段階蒸着プロセスおよびシステムを含む。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のC:Si原子比は、8未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、C:Si原子比が8未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 (もっと読む)


【課題】CVD法により微結晶シリコン膜を形成する際に副生成物として形成されるポリシラン類を安全に処理する方法の提供。
【解決手段】プラズマCVD法により、基板上に微結晶シリコン膜又はアモルファスシリコン膜を堆積する際に、真空チャンバー内で副生成物として生成し、真空ポンプ内に堆積・付着するポリシラン類を処理する方法であって、真空ポンプ内へ潤滑油から選ばれた有機溶媒を注入・充填し、所定の時間放置し、次いで真空ポンプを分解し、ポリシラン分散有機溶媒が付着している分解された構成部品を洗浄油で洗浄することからなる。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の供給が停止した後もデータ保持可能な記憶素子を提供する。消費電力の低減可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】クロック信号に同期してデータを保持する記憶素子において、酸化物半導体層にチャネルが形成されるトランジスタ及び容量素子を用いることより、電源電圧の供給が停止した間もデータ保持ができる。ここで、電源電圧の供給を停止する前に、クロック信号のレベルを一定に保った状態で当該トランジスタをオフ状態とすることにより、データを正確に容量素子に保持させることができる。また、このような記憶素子を、CPU、メモリ、及び周辺制御装置のそれぞれに用いることによって、CPUを用いたシステム全体で、電源電圧の供給停止を可能とし、当該システム全体の消費電力を削減することができる。 (もっと読む)


【課題】非晶質炭素被膜が形成された摺動部材において、これまでに比べてより低い摩擦係数を確保することができる摺動部材およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材の摺動面に、珪素及び窒素を含有した非晶質炭素被膜が形成された摺動部材である。摺動部材の非晶質炭素被膜は、珪素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比が、0.1以上であり、窒素原子の含有量/炭素原子の含有量の原子比(N/C比)が、0.1〜0.25の範囲にある。 (もっと読む)


【課題】処理室の内側壁の温度を調節してスループットを向上させたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空容器内のプラズマが形成される処理室と、この処理室の下部に配置され試料が配置される試料台と、前記真空容器の上部に配置され前記処理室の上方を覆って内部を気密に区画する誘電体製の円板部材と、この円板部材の上方に配置されこの円板部材を透過して前記処理室内に供給される電界が導入される円筒形の空洞と、この空洞の中央部に連結された導波管であって内部を前記電界が伝播する導波管と前記空洞と、前記導波管との連結部の外周側に配置され前記空洞内部の外周から中央に向けて所定の高温のガスを供給する第一の供給口と、前記導波管に配置され低温のガスが供給される第二の供給口と、前記導波管に配置され前記第一及び第二の供給口から供給され内部を流れる前記ガスが排出される排出口とを備えた。 (もっと読む)


【課題】炭素膜のもつ基材への高い密着性、硬度、および表面平坦性を利用し、ダイヤモンド砥粒やアルカリスラリーなどを用いることなく、ダイヤモンド、サファイヤ、硬質炭素膜などの硬度の高い材料表面を高速かつ簡便に、高い平坦性および精度で研磨、研削が可能な積層体を形成する方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程と、ダイヤモンド微粒子を粉砕して前記基材上に該ダイヤモンド微粒子を設ける工程と、内部にSiO2材又はAl23材の供給源及び前記工程で得られた基材を設置したマイクロ波プラズマCVD反応炉内に、反応ガスを導入し、該反応炉内に表面波プラズマを発生させて、該基材上にSiO2材又はAl23材と炭素粒子とからなる膜を、該SiO2材又はAl23の量が前記基材側の下部層から上部層に向かって減少するように堆積させる工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】良好な品質を有し光電変換効率の高いシリコン系薄膜光電変換装置を簡易な製造装置を用いて低コストでかつ高効率で製造する方法を提供する。
【解決手段】本シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、第1のp型半導体層11、i型非晶質シリコン系光電変換層12、および第1のn型半導体層13を含む非晶質pin構造積層体10を備え、非晶質pin構造積層体10が第1のp型半導体層11または第1のn型半導体層13に結晶質シリコン系半導体を含む積層型シリコン系薄膜光電変換装置100の非晶質pin構造積層体を、同一のプラズマCVD成膜室内で、プラズマCVD成膜室のカソードとアノードの距離が3mm以上20mm以下、成膜圧力が200Pa以上3000Pa以下および電極単位面積当たりの電力密度が0.01W/cm2以上0.3W/cm2以下の条件で形成する。 (もっと読む)


【課題】低い誘電率及び改良された機械的性質、熱的安定性及び化学的耐性を有する多孔質有機シリカガラス膜を提供する。
【解決手段】式Si(ここで、v+w+x+y+z=100%、vは10〜35原子%、wは10〜65原子%、xは5〜30原子%、yは10〜50原子%、及びzは0〜15原子%)で表わされる多孔質有機シリカガラス膜を製造する。オルガノシラン及びオルガノシロキサンからなる群より選ばれる前駆体並びにポロゲンを含むガス状試薬を真空チャンバに導入し、ガス状試薬にエネルギーを加え、ガス状試薬の反応を生じさせて基体上に予備的な膜を堆積させる。その予備的な膜は細孔を持ち、誘電率が2.6未満である多孔質膜を得るために、実質的にすべてのポロゲンを除去される。 (もっと読む)


【課題】バッチ式の縦型炉を用いてプラズマアシストALD法により窒化膜を形成する際、炉底部付近でのローディング効果を抑制する。
【解決手段】反応容器102内に複数段にウエハを載置可能なボート101と、前記反応容器の側面に沿ってRF電極106で挟まれたプラズマ空間105と、該プラズマ空間から前記反応容器内の前記各段のウエハに略均等にガスを供給可能な供給口F1,F2と、を備えたバッチ式の縦型炉100を用いて、窒化すべきガスの導入、吸着、パージ、プラズマ励起された窒化ガスの導入による前記窒化すべき吸着ガスの窒化およびパージ、を1サイクルとして所定の膜厚までサイクルを繰り返すプラズマアシストALD法において、前記窒化すべきガス導入時のキャリアガス量よりも前記窒化ガス導入時のキャリアガス流量を少なくし、特に窒化ガスとしてのNH3とキャリアガスとしてのN2の流量比をNH3の50に対してN2を3以下とする。 (もっと読む)


【課題】熱遮蔽コーティング構造を形成するための時間及び費用を低減することを可能にし、それによって全体的熱遮蔽コーティングシステムの熱サイクル耐性を損なうことなしに基材表面上に熱遮蔽コーティング構造を形成する方法を利用可能にする。
【解決手段】該熱遮蔽コーティング構造は、異なる方法で作り出される少なくとも2つの熱遮蔽コーティング2.1、2.2を含む。一方の熱遮蔽コーティング2.1を形成するには、コーティング材料を、大気圧でのプラズマ溶射(大気プラズマ溶射又は略してAPS)によって粉末ジェットの形態で基材表面上に溶射し、もう一方の熱遮蔽コーティング2.2を形成するには、コーティング材料を、異方性ミクロ構造を形成し且つ基材表面に対して本質的に垂直に整列される長く伸びた微粒子を有する層が基材表面上に発現するようにプラズマ溶射−物理蒸着又は略してPS−PVDによって基材表面に塗布する。 (もっと読む)


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