【課題】成膜温度が１８０℃以下で形成される絶縁膜の絶縁性を高めることの可能な絶縁膜の形成方法及び該絶縁膜を形成する成膜装置を提供する。
【解決手段】
マスフローコントローラＭＦＣ１から原料タンクＴＫにＡｒガスを供給することによって押し出されたＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスと、マイクロ波プラズマ源ＰＬで励起することによって活性状態にされた酸素原子を含むガスとを、シャワープレート３６に設けられた複数の孔から別々に基板Ｓ表面の空間に供給する。この際、活性状態にされた酸素原子を含むガスの供給を連続的に行う間に、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４昇華ガスの供給を間欠的に複数回行ってもよい。これにより、ジルコニウムと、ホウ素と、酸素とを含む絶縁膜であるＺｒＢＯ膜を基板Ｓの表面及び該基板Ｓの有する貫通孔の内面に形成する。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】工程における複雑な制御等を要さず、絶縁膜の低誘電率かつ機械的強度を維持したままエッチングダメージを改良することができる多孔質絶縁膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（１）シロキサン構造を有する化合物を含む組成物から多孔質絶縁膜を形成する工程（２）該多孔質絶縁膜に充填材を塗布して多孔質部分を埋め戻し、かつ多孔質絶縁膜上層に充填材由来のポリマー被覆層を形成する工程（３）充填材由来のポリマー被覆層を除去し、埋め戻された空孔内の充填材を除去する工程を経る多孔質絶縁膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電圧印加手段から電圧が印加される給電部材の弾性の劣化やヘタリを評価することができる。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口と搬出口を有するチャンバ８５と、チャンバ内にガスを供給するガス供給手段１２と、ガスをプラズマにするためのプラズマ発生手段と、基板を保持する基板ホルダ２０と、搬入口から搬入され、搬出口へと基板ホルダを保持しながら搬送するキャリア２と、基板ホルダ２０に電圧を印加するための電圧印加手段１６と、給電部材１３を可動して、該給電部材を基板ホルダ２０に接触又は非接触させることにより、電圧印加手段１６からの電圧を供給するための駆動手段１８と、給電部材１３に流れる電流を測定する電流測定手段１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置及び方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの基板を支持するための長手方向軸を持つコンベヤと、少なくとも１つの基板上に反応生成物の層を堆積するためのそれぞれ少なくとも１つのプラズマトーチを持つ少なくとも２つのモジュールと、前記コンベヤと前記少なくとも２つのモジュールとを含むチャンバと、排気システムとを備え、前記少なくとも１つのプラズマトーチは、少なくとも１つの基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。他の実施形態では、基板を支持する手段と、反応物を供給する手段と、前記基板上に生成物を堆積するためのプラズマトーチと、前記基板に対して前記プラズマトーチを振動させる手段とを備え、前記プラズマトーチは、前記基板から離れて置かれている、太陽電池を製作するためのプラズマデポジション装置。 （もっと読む）

【課題】真空シール性能、耐プラズマ性、ならびに耐腐食ガス性などの性能を併せ持ち、また、長期にわたり真空シール性能が低下することなく、使用時に、高荷重下でも、金属パーティクルが発生することがない複合シール材を提供する。
【解決手段】シール溝に装着した際に、シール溝の一方の側壁側に位置する第１のシール部材と、シール溝に装着した際に、シール溝の他方の側壁側に位置する第２のシール部材とを備え、第１のシール部材が、弾性部材から構成され、第２のシール部材が、第１のシール部材よりも硬質の材料から構成された複合シール材であって、第２のシール部材が、第１のシール部材と連結する連結部と、シール溝の開口部側に位置し、第１のシール部材から離反する方向へ、連結部から延出する開口部側延出部とを備える。 （もっと読む）

【課題】 簡便な手法・構成で、有機亜鉛化合物の自己分解や微量の水分との反応によるパーティクルの発生を効果的に抑制することができる有機亜鉛化合物の処理装置を提供すること。
【解決手段】 液体材料供出部２に繋がる流通管２ａの先端部２ｂが、液体材料の液層内に配設されるとともに、抑制処理部３に近接するように配設され、処理槽１０内において液体材料と抑制処理部３が接液し、該液体材料中での分解生成物を含む不純物の発生を抑制することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ装置において、品質に優れたＣＶＤ皮膜を生産性良く成膜する。
【解決手段】本発明のプラズマＣＶＤ装置１は、真空チャンバ４と、この真空チャンバ４内に一対配備されると共にそれぞれが交流電源６のいずれかの極に接続された成膜ロール２とを備え、前記一対の成膜ロール２、２に巻き掛けられた基材Ｗの表面にプラズマを発生させて成膜を行うプラズマＣＶＤ装置１であって、一対の成膜ロール２、２の間に在する対向空間３に形成される第１成膜エリア１９と、対向空間３以外の成膜ロール２の表面に形成される第２成膜エリア２０と、の双方で成膜が行われることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】１台の表面波プラズマＣＤＶ装置を用いて、組成および厚さの異なる薄膜を基板に連続成膜し、高スループットで超構造膜を形成する。
【解決手段】本発明は、共通の真空室内において基板に複数の薄膜を成膜する表面波プラズマＣＶＤ装置であって、この基板に成膜を行う複数のプラズマ生成ユニットと、各々のプラズマ生成ユニットに設けられた、プラズマ生成ガスを放出するプラズマ生成ガス放出口と成膜ガスを放出する成膜ガス放出口と、これら複数のプラズマ生成ユニットで成膜を行う成膜領域を真空室内で互いに隔てる隔壁と、各々のプラズマ生成ユニットの成膜領域の間で基板を移動可能に戴置可能とする移動手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】 密着性の優れた硬質被膜を持つ切削工具の製造方法を提供すること。
【解決手段】 切削工具はアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。または、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層の表面にアルゴンを含有するＤＬＣ被膜を有する。
ＤＬＣ被膜および中間層が直流プラズマＣＶＤによって形成されたものである。処理容器内に切削工具からなる処理物を置き、処理容器を真空状態にし、直流プラズマＣＶＤ装置を用いて、アルゴンガスと原料ガスとの混合ガスを流入させながら、前記ガスをプラズマ化して処理物に作用させ、アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。または、アルゴンガスとシリコンガスとの混合ガスを流入させながら、アルゴンを含有するシリコンからなる中間層を処理物の表面に形成させた後に、前記アルゴンを含有するＤＬＣ被膜を処理物の表面に形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に好適なプラズマ源を提供すること。
【解決手段】基板を処理するための直線形状のプラズマ源であって、 内部にマグネトロンプラズマが生成される放電キャビティであるとともに、内面上に配置されたカソード電極（１６）上にマグネトロンプラズマが生成され、アノード電極が放電キャビティの外部に配置されている、放電キャビティと；放電キャビティの外部に配置された複数の磁石（１，２）であるとともに、放電キャビティ内に無磁界ポイントを形成する、複数の磁石と；を具備し、処理の一様性が、プラズマに対して基板を移動させることにより、あるいは、基板に対してプラズマを移動させることにより、得られている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層に酸化物半導体を用いたとき、薄膜トランジスタのスイッチング特性およびストレス耐性が良好な薄膜トランジスタの半導体層用酸化物を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタの半導体層用酸化物は、薄膜トランジスタの半導体層に用いられる酸化物であって、前記酸化物は、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも一種の元素と；Ａｌ、Ｓｉ、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、およびＷよりなるＸ群から選択される少なくとも一種の元素と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性が高く、屈曲後や経時保存後も高いガスバリア性を維持し、生産性が高く安価に製造可能なガスバリア性フィルムとその製造方法、及び該ガスバリア性フィルムを有する有機電子デバイスを提供することである。
【解決手段】金属酸化物を含むガスバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法において、該ガスバリア性フィルムを絶対湿度が０．００１〜３ｇ／ｍ^３の環境下において、水と反応する材料を該ガスバリア層表面に接触させることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】１つのアンテナ電極から大きなプラズマを発生させることができるプラズマ用アンテナ電極及びプラズマ発生装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、マイクロ波を受信してプラズマを発生させるプラズマ用アンテナ電極であって、マイクロ波を受信する主受信部２１と、主受信部２１の一端から延びる第一電極部２２と、主受信部２１の他端から延び、先端が第一電極部２２の先端と離間且つ近接している第二電極部２３と、を備える導体からなり、導体のうち主受信部がマイクロ波を受信して、定常波を発生させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、機械部品用コーティング（１）に関する。
【解決手段】本発明のコーティングは、機械部品（２）と接触するように意図された水素含有アモルファス炭化ケイ素の第一層（３）、積層構造（４）、および水素含有アモルファスカーボンの外側層（５）を含んでなる。上記の積重構造（４）は、水素含有アモルファスカーボンと水素含有アモルファス炭化ケイ素との交互層（４ａ、４ｂ）を含んでなる。被覆の総厚は、好ましくは１０〜２０マイクロメートルである。 （もっと読む）

【課題】凹部のない大面積で高品質なＣＶＤダイヤモンド単結晶及びこれを実現する製造方法の提供。
【解決手段】主面が｛１００｝であるダイヤモンド単結晶基板の｛１００｝側面同士を近接させて４枚以上配置し、該配置した単結晶基板の主面にダイヤモンドを気相合成により成長させた後、該単結晶基板を除去して１枚の大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法であって、前記ダイヤモンド単結晶基板の配置が、近接する任意の４枚の単結晶基板の、隣接する２枚の単結晶基板Ａ１とＡ２とからなる単位Ａと、他の２枚の単結晶基板Ｂ１とＢ２とからなる単位Ｂとにおいて、Ａ及びＢが対向する側の面がそれぞれ同一平面上にあり、かつＡ１とＡ２が対向する側面間の間隔の真中の面と、Ｂ１とＢ２が対向する側面間の間隔の真中の面とが、単位Ａと単位Ｂが対向する面の方向にずれている配置であることを特徴とする大面積ＣＶＤダイヤモンド単結晶を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】太陽電池に用いられる薄膜シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ装置から排出される排ガスを処理する装置を小型化する技術を提供する。
【解決手段】半導体製造装置２０から排出された混合ガスをポンプ１２を用いてフィルタ部３０に送出し、フィルタ部３０で高次シランを除去した後、深冷分離を利用した分離部４０を用いて混合ガスを水素とモノシランとに分離する。分離されたモノシランは、シランガス除害部５０により除害される。また、分離された水素は、水素ガス排気部６０により大気に放出される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理の面内均一性を向上させることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１１は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置４１と、処理容器１２と、処理容器１２の上部開口を閉鎖するように配置される誘電体窓１６と、誘電体窓１６の上方に配置されるスロットアンテナ板１７と、スロットアンテナ板１７の上方側に配置される誘電体部材１８と、スロットアンテナ板１７にマイクロ波を導入する導波部３２とを備える。ここで、マイクロ波発生装置４１は、搬送波を変調することによって所定の周波数帯域幅を有するマイクロ波を生成する変調装置６１を有する。 （もっと読む）

【課題】単一種のフルオロカーボンを含む二酸化前駆体のみを使用して、大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を沈積でき、低誘電材料の耐熱性と耐水性を向上できる、低誘電材料及びその薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】まず基板をプラズマ生成反応システムに入れ、その後フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を運ぶキャリアガスをプラズマ生成反応システム中に導入し、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を基板上に形成させ、さらに加熱方式でフルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体を低誘電材料薄膜に転化させ、同時に低誘電材料薄膜の応力を除去し、より緊密な構造とする工程によって、各種異なる雰囲気下でも、フルオロカーボンを含む二酸化ケイ素前駆体が大量のフルオロカーボンを含有する二酸化ケイ素の低誘電材料薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマＣＶＤで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。
【解決手段】 基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用いると共に、この電極ローラ対にプラズマ励起電力を供給する電源装置として、キャパシタンスおよびインダクタンスが可変であるＬＣ共振回路を用いることにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）