【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】処理前に基板温度を計測する基板の温度計測装置及び方法、基板温度が所定の温度範囲内にない場合に再加熱、冷却を行う基板の温度調整装置及び方法を提供する。
【解決手段】搬送ロボットで搬送された基板が停止する成膜室の入口の手前の位置であり、当該位置の基板の裏面側に、加熱した基板の裏面の温度を計測する温度計測装置を設け、当該温度計測装置により、加熱した基板の裏面の温度を計測し（Ｓ５）、計測した基板の裏面の温度が所定の温度範囲内にない場合（Ｓ６）、所定の温度範囲より大きい場合には、搬送ロボットで保持した状態で基板を冷却し（Ｓ７→Ｓ８）、所定の温度範囲より小さい場合には、搬送ロボットで再び加熱室へ搬送し、加熱室で加熱する（Ｓ７→Ｓ２）。 （もっと読む）

【課題】安価な構成であり、被処理基板におけるプラズマ処理の面内均一性を良好にすることができる被処理基板支持構造を提供する。
【解決手段】被処理基板支持構造３１は、円板状の部材であって、その上に被処理基板Ｗを載置するようにして支持する支持台３３と、円筒状の部材であって、支持台３３の下方側に一方端部が取り付けられるシャフト部３２と、支持台３３内に設けられるヒータ３６とを備える。支持台３３は、第一の熱伝導率である部材から構成されている。シャフト部３２は、第一の熱伝導率以上の第二の熱伝導率である部材から構成されている。支持台３３の内部であって、シャフト部３２の一方端部が支持台３３に取り付けられる連結部４０に対して距離を開けて連結部４０の上側に位置する部分には、第一の熱伝導率よりも低い第三の熱伝導率である断熱部４１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】キャパシタとコンタクトパッド間のコンタクト抵抗の上昇を防ぎ、書き込み・読み出し不良を低減する、装置特性が優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】タングステン膜８ｂを形成する工程と、タングステン膜８ｂ上に窒化チタン膜からなる下部電極１３を形成する工程と、酸化雰囲気下で窒化チタン膜に熱処理を行うことにより窒化チタン膜を酸化する工程と、下部電極１３上に容量絶縁膜１４を形成する工程と、容量絶縁膜１４上に上部電極１５を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】アーキングへの感度が増加されないが積載量の調和（ｌｏａｄ ｍａｔｃｈｉｎｇ）が改善されているところの、プレアンブルに従う装置を提供する。
【解決手段】主に円筒状である共鳴体２を備えているプラズマ化学蒸着法を行うための装置であって、該共鳴体は、円筒軸Ｃに関して実質的に回転対称な形状を有する共鳴空洞５を取り囲む、外側円筒状壁４を備えており、該共鳴体は向き合う円筒軸方向において共鳴空洞の境界を定める複数の側壁部分をさらに備えている該装置において、該装置は、該外側円筒状壁を通って共鳴空洞へと延在している端を有するマイクロ波のガイド３をさらに備えており、かつ円筒方向における共鳴空洞の長さは円筒軸までの半径方向の距離の関数として変化する。 （もっと読む）

【課題】 搬送容器内を真空排気する際にリング状部材の表面に残留したダストが円筒状基体の端面と円筒状補助基体の端面との接触部分の微小な隙間から飛散することを抑えることができる真空処理方法、および、該真空処理方法を用いた電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 リング状部材および円筒状基体を設置するための基体ホルダーの筒状部に貫通孔を設け、リング状部材の貫通孔の少なくとも一部と基体ホルダーの貫通孔の少なくとも一部とが重なる状態で搬送容器内を真空排気する。 （もっと読む）

【課題】 高耐擦傷性ハードコート層などのような硬度の高い層であっても容易に積層可能であり、かつ高硬度、高耐擦傷性と柔軟性と、を同時に兼ね備えた高耐擦傷性ハードコートフィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムに、紫外線硬化型樹脂よりなる第１ハードコート層と、有機無機ハイブリッド樹脂よりなるアンカーコート層と、化学蒸着実行時に有機珪素系又は有機アルミニウム系の反応ガスを用いて成膜して得られる高耐擦傷性を有する第２ハードコート層と、を備えた構成を有する高耐擦傷性ハードコートフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】 堆積膜の軸方向の特性のムラが抑制された電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】 （ｉ）円筒状基体を含む柱状電極が内部に設置され、柱状電極に離間して対向する対向電極を内部に含む減圧可能な反応容器の内部に、堆積膜形成用の原料ガスを導入する工程と、（ｉｉ）電源から柱状電極に電力を供給することで、周波数３ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下の矩形波の交播電圧を対向電極と柱状電極の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する工程と、を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、工程（ｉｉ）において、柱状電極の一方の端部領域を経由する電力の供給と他方の端部領域を経由する電力の供給との切り替えを少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】電流密度の低下をより確実に抑制できる技術を提供すること。
【解決手段】炭素電極１０は炭素基材２０と、ダイヤモンド層３０とを含んでいる。ダイヤモンド層３０は、ダイヤモンド種結晶３１と、このダイヤモンド種結晶３１から成長するとともに炭素基材２０表面を被覆する成長層３２とを含んで構成される。成長層３２は、ダイヤモンド種結晶３１の下方に、ダイヤモンド種結晶３１から成長し、炭素基材２０と接する成長領域３２１を含む。 （もっと読む）

【課題】軸方向において基本的に均一の厚さ並びに基本的に均一の屈折率およびアルファ値の蒸着ガラス層を有するガラス基材チューブを提供する。
【解決手段】本発明は、一つまたは複数のドープまたはアンドープガラス層がガラス基材チューブの内部にコーティングされるＰＣＶＤ堆積プロセスを実施する装置に関する。この装置は、内壁および外壁を有するアプリケータと、アプリケータに開口するマイクロ波ガイドとを備える。アプリケータは、円柱軸の周りに延びており、内壁の近傍に通路を備え、該通路を通ってマイクロ波ガイドを介して供給されたマイクロ波は出ることができ、基材チューブは、円柱軸にわたって位置づけ可能である。一方で、アプリケータは、円柱軸にわたって延びる加熱炉により完全に覆われる。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】固体電解質型二次電池に於いて、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。
【解決手段】正極４を酸化ケイ素(シリカ)、負極６を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素などとし、電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を貼り合わせることにより、単位電池を迅速に組立製造できる。単位電池を直列に接続してから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封する。 （もっと読む）

【課題】電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュールを提供する。
【解決手段】正極を二酸化ケイ素とし、負極を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素又は金などとし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、電極リード金属２を基盤１にスパターリングした後、陽極に二酸化ケイ素、陰極に窒化ケイ素を、該基盤に、スパターリングで薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線(ＵＶ)、又は約１３０℃に加熱し印刷するか、又は大気圧プラズマ化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)を使用して各電極４,６を製膜し、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質５をコーティングし、両電極を接合して単位セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】堆積膜の均一性と特性の向上及び画像欠陥の抑制を同時に達成可能な電子写真感光体の製造方法を提供する。
【解決手段】減圧可能な反応容器の内部への円筒状基体設置工程と、反応容器の内部への堆積膜形成用原料ガス導入工程と、反応容器の内部にあって円筒状基体とは離間して配置された電極、および円筒状基体の、一方の電位に対する他方の電位が交互に正と負になるように、正弦波の交番電圧を電極と円筒状基体の間に印加して、原料ガスを分解し、円筒状基体の表面に堆積膜を形成する堆積膜形成工程と、を有するプラズマＣＶＤ法によって電子写真感光体を製造する方法において、交番電圧の周波数が１０ｋＨｚ以上３００ｋＨｚ以下で、電極と円筒状基体の一方の電位に対する他方の電位が、正であるときの電位差の絶対値の最大値、および負であるときの電位差の絶対値の最大値は、一方が放電維持電圧未満の値であって、他方が放電開始電圧以上の値である。 （もっと読む）

【課題】反応管内の異物汚染を抑制可能な半導体装置の製造方法、クリーニング方法、基板処理装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】処理室内で基板に対し膜を形成する工程と、該膜形成後の処理室内の少なくとも一部に堆積した堆積物を除去する工程とを有し、前記除去工程では、前記堆積物をエッチングする第一ガスを前記処理室内に供給する第１工程と、少なくとも前記第一ガスよりも前記処理室を構成する部材に対するエッチング力が弱いか、若しくは前記部材に対するエッチング力のない第二ガスを前記処理室内に供給し、前記処理室内の圧力を上昇させる第２工程と、を含むサイクルを所定回数行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理装置内の堆積物を減少させることができるクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、アンテナのスロット板に、軸線に対して周方向に配列されたスロットが形成されている。アンテナからは誘電体窓を介してマイクロ波が処理空間に導入される。誘電体窓には、軸線に沿って貫通孔が形成されている。このプラズマ処理装置におけるプラズマ処理方法は、（ａ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第１のクリーニングを行なう工程と、（ｂ）アンテナからマイクロ波を放射させ、クリーニングガス供給系からクリーニングガスを供給して、第２のクリーニングを行なう工程と、を含む。第１のクリーニングを行なう工程における処理空間の第１の圧力は、第２のクリーニングを行なう工程における処理空間の第２の圧力よりも低い。 （もっと読む）

【課題】簡素かつ安価な構成により、放電室と変換器との相互の位置決めを容易かつ正確に行うとともに、放電室の熱膨張による悪影響を排除し、高品質な真空処理を効率良く行う。
【解決手段】減圧容器４の内部に収容されたリッジ導波管からなるプロセス室２と、減圧容器４の外部から、減圧容器４に設けられた真空窓１５を介してプロセス室２に接続される変換器３Ａ，３Ｂとを有する製膜装置１であって、真空窓１５の両面に、プロセス室２の容器と変換器３Ａ，３Ｂの容器を、真空窓１５に対して定位置に位置決めするガイド板５１，５２を設けた。このガイド板５１，５２は、真空窓１５の両面に、プロセス室２と真空窓１５との間、および変換器３Ａ，３Ｂと真空窓１５との間におけるインピーダンスの急変を緩和させる、導電性のある反射波低減部材としても共用されている。 （もっと読む）