【課題】プラズマ処理システムで使用するプラズマ処理チャンバのプラズマチャンバ表面での副生成物堆積を減少させる方法を提供する。
【解決手段】本方法はプラズマ処理チャンバに堆積バリアを提供する工程を含んでおり、堆積バリアはプラズマ処理チャンバのプラズマ発生領域に設置されるように設計されており、プラズマがプラズマ処理チャンバ内で照射されたときに生成される副生成物の少なくとも一部を堆積バリアに付着させ、プラズマ処理チャンバ表面上での副生成堆積を減少させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電力の印加に伴って発生するノイズを低減することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハが搬入される処理室と、この処理室内にガスを供給するガス供給部と、処理室内を排気する排気部と、処理室内に高周波電力を印加する高周波印加部と、高周波印加部から発生するノイズを検出するノイズ検出部と、ノイズ検出部の検出結果に基づいて、前記高周波印加部から発生するノイズの逆位相の高周波を出力する逆位相出力部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】ヒータの低背化と昇温及び冷却の短時間化を図ることができる基板ヒータを提供する。
【解決手段】基板ヒータ１は、ウエハＷを載置するヒータプレート２と、ヒータプレート２の下面に設けられたヒータ電極３と、ヒータプレート２と等しい熱伝導率を有する緩衝プレート４と、冷却プレート５と、複数のピストン６とを備える。緩衝プレート４とヒータプレート２とは、その間に間隔ｄ１の第１の空間Ｓ１を画成している。また、冷却プレート５は、緩衝プレート４を支持する複数のシャフト４２に、昇降自在に組み付けられている。ピストンロッド６１は、冷却プレート５を緩衝プレート４の下方に位置させて、間隔ｄ２の第２の空間Ｓ２を緩衝プレート４と冷却プレート５との間に形成する。また、ピストン６は、冷却プレート５を上昇させて、緩衝プレート４に接触させる。 （もっと読む）

【課題】ピンホールによる流体の浸入が少ない耐久性に優れたダイヤモンド被覆電極を提供する。
【解決手段】１層のダイヤモンド層２４ａ・・の膜厚Ｔｃが３０〜４０ｎｍの超微結晶であるため、ピンホールそのものが小さくなるとともに表面の撥水効果が高くなって電解液等の流体の浸入が抑制される。また、核付け処理を繰り返して超微結晶ダイヤモンド多層コーティング処理を実施し、所定膜厚Ｔｄのダイヤモンド多層膜２２ａ・・を所定の積層数Ｎ（≧３）だけ形成するため、ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の密着性が向上し、単に種結晶生成処理および結晶成長処理を繰り返すだけで目的とする総膜厚Ｔｔとする場合に比較して被膜強度が高くなり、ピンホールによる流体の浸入が抑制されることと相まって剥離に対して優れた耐久性が得られるようになる。ダイヤモンド多層膜２２ａ・・の間にグラファイト層を設けることも、剥離に対する耐久性向上に有効である。 （もっと読む）

【課題】 トラップが豊富に存在し、不揮発性半導体メモリ装置の電荷蓄積層として有用な窒化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成して成膜を行うプラズマＣＶＤ装置においてシリコン原子と塩素原子からなる化合物のガスと窒素ガスを含む処理ガスを用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上８Ｐａ以下の範囲内に設定してプラズマＣＶＤを行うことにより、多くのトラップを含む窒化珪素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ、基板に成膜を行なう際に、ドラムに高いバイアス電位を印加する場合でも、高品質な膜を効率よく連続成膜することができ、かつ、製造装置の損傷を防止することができる機能膜の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】ドラムの端面に対面して設けられる、接地される導電性の板であるアース板と、ドラムの端面とアース板との間に配置される絶縁部材とを有することで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 高価な測定装置を用いることなく、小型で、簡便な方法によりプラズマの電子密度及び電子温度の測定が可能な測定プローブ及び測定装置を実現する。
【解決手段】 測定プローブ１０は、長さが異なる複数のスリット１３、１４を備え、絶縁膜１５、１６を設けることにより各スリットに対応して１つの測定プロープで複数の共振周波数を持つように構成されている。これにより、プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eの共振周波数依存性から当該プラズマの電子密度ｎ_e及び電子温度Ｔ_eを算出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】細長くて均一かつ安定なプラズマを形成することができる、ＥＣＲプラズマ源の提供。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ源は、細長い長方形状の誘電体窓(18)およびプラズマ引き出し用の開口(12a)を有し、誘電体窓(18)に平行な断面形状が長方形状であるプラズマ生成室(12)と、ＥＣＲ条件を満足するとともに開口(12a)からプラズマを引き出すための磁場を、プラズマ生成室(12)内に形成する磁気コイル(14)と、マイクロ波導入口からマイクロ波導出口にかけて幅寸法が大きくなるようなテーパ形状を有し、マイクロ波をほぼ等しい２つのマイクロ波に分岐するとともに、マイクロ波導出口を定在波の管内波長の長さ相当間隔で仕切る仕切り板(161a〜161c)を有するテーパ導波管(16)と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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【課題】炭化珪素などの硬質材料を効率良く加工することができるとともに、寿命が長いダイヤモンド砥石及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基材と、該基材の表面で成長したダイヤモンドと、を含み、基材上に、３μｍ以上、好ましくは４５μｍ以下の粒径を有するダイヤモンド粒子が、好ましくは１０％以上５０％以下の占有率で点在しているダイヤモンド砥石。表面粗さＲ（ａ）が０．０１μｍ以上１．０μｍ以下の平坦面を有する基材を用意し、好ましくはメタンを０．５％〜８％、水素を９１％〜９９％、及び酸素を０．１％〜１．８％含む原料ガスを用い、マイクロ波プラズマＣＶＤ法により基材の平坦面にダイヤモンド粒子を成長させる。 （もっと読む）

【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴを気相成長させる原料ガスを一定の流れで基板に供給できるメンテナンス性のよいリモートプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のリモートプラズマＣＶＤ装置Ｍは、処理すべき基板Ｓが載置される基板ステージ３を有する上方に開口したチャンバ本体１ａと、チャンバ本体の上面開口に着脱自在に装着される蓋体１ｂと、チャンバ本体内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段７と、基板ステージ上の基板がプラズマに曝されないように基板上方に設けられた複数の透孔を有する板状の遮蔽部材８ｃとを備える。蓋体の下面周縁部に周方向の間隔を存して垂設した複数本の支持部材８ａと、これら支持部材の下端部に連結される支持フレーム８ｂとを有し、遮蔽部材の周縁部を支持フレームに遮蔽部材の熱膨張または熱収縮が許容されるように載置される。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を低温下で成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の成膜方法は、被処理基板Ｗを保持する保持台３４の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗにシリコン酸化膜を形成する工程と、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗ上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】分解や組み立てをより容易に行うことができるプラズマ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】導波路の少なくとも一部を、同軸ケーブル１２およびこの同軸ケーブル１２の両端に設けられた同軸導波管変換器１１，１３とする。これにより、導波路に用いる導波管を少なくすることができるので、組み立てたり分解したりする際に、従来のように多数のボルトとナットの取り付けや取り外しが不要となり、結果として、より容易に組み立てや分解を行うことができる。また、同軸ケーブル１２がフレキシブルなので、従来のような歪みの問題を解消することができ、より容易に組み立てを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生に起因する被処理体へのダメージを抑制しつつ，好適なプラズマ処理を行う。
【解決手段】半導体ウエハＷにプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室１０１と，半導体ウエハＷを，プラズマ処理室１０１内に配置するための載置台１０２と，該プラズマ処理室１０１内にプラズマを発生させるためのマイクロ波発生装置１０８とを少なくとも含むプラズマ処理装置１００において，マイクロ波発生装置１０８に，断続的なエネルギー供給可能なもの使用している。 （もっと読む）

【課題】加工による透磁率の低下、焼鈍による強度低下および歪発生を抑制し磁性体としての特性向上を図ることのできるヨークを持つプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】静磁場発生装置１１５は、筒状の真空処理室の外側面に円周方向に巻回された第１の励磁コイル２０３と、真空処理室の上面に円周方向に巻回された第２の励磁コイル２０２と、第１の励磁コイル２０３の外周、第１および第２の励磁コイル２０３，２０２の上面、並びに第２の励磁コイル２０２の内周を覆うヨーク２０４を備え、第２の励磁コイル２０２の内周を覆うヨーク２０４ａは、第１の励磁コイル２０３の外周、第１および第２の励磁コイル２０３，２０２の上面を覆うヨーク２０４ｂに分割可能に接合されるとともに焼鈍処理が施されている。 （もっと読む）

【課題】スロット板及び誘電体窓が熱膨張しても、スロット板が摩耗したり、スロット板としての導電膜が誘電体板から剥離したりするのを防止できるマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】誘電体板２２にスロット板２３のスロット２３ａ内に突出する凸部２２ｃを設ける。そして、誘電体板２２の凸部２２ｃの表面を誘電体窓１２の表面から誘電体窓１２に向かって外方に突出させる。スロット板２３を誘電体窓１２に直接接触させると、スロット板２３及び誘電体窓１２の熱膨張係数の差による伸び量のずれが発生する。誘電体板２２の凸部２２ｃを誘電体窓１２に接触させ、スロット板２３を誘電体窓１２に接触させないことにより、スロット板２３及び誘電体窓１２が熱膨張してもスロット板２３が摩耗したり、スロット板２３としての導電膜が誘電体板２２から剥離するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７−１〜７−４、７’−１〜７’−４）設け、それぞれのアンテナの組の高周波誘導アンテナ素子７−１〜７−４、７’−１〜７’−４に供給する電流の位相を、対応する素子で同位相に制御して、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 （もっと読む）