【課題】低抵抗率金属を堆積することができるビーム堆積方法を提供する。
【解決手段】ヘキサメチル二スズのようなメチル化又はエチル化金属などの低抵抗率の金属材料を堆積できる前駆体を試料表面に向けて導入し、ガリウム集束イオンビームを試料表面の所望の位置に照射して、その位置に４０μΩ・ｃｍと低い抵抗率のスズ膜を堆積する。 （もっと読む）

【課題】改良された付着プロセスを提供すること。
【解決手段】ビームを使用して、自発的反応の開始をサポートする条件を提供するように準備された表面の領域における前駆体ガスの自発的付着によって、材料を、所望のパターンに付着させる。いったん反応が開始されると、ビームが存在しなくなっても、反応が開始された表面の領域において反応は継続する。 （もっと読む）

【課題】ワークに連続的にバリア膜を形成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、ワークＨの両側に配置され、ワークＨに向かってマイクロ波が通過するスロット３１０Ｒを有するスロットアンテナ３１Ｌ、３１Ｒと、スロットアンテナ３１Ｌ、３１ＲのワークＨ側の表面を覆う誘電体３２Ｌ、３２Ｒと、誘電体３２Ｌ、３２Ｒ間に介装され、負圧条件下においてマイクロ波の電界によりプラズマ生成用ガスを電離させ荷電粒子ＰＬ、ＰＲを生成するプラズマ生成室３８４を、内部に区画するチャンバー３８と、プラズマ生成室３８４に配置され、ワークＨの処理対象面ＨＬ、ＨＲと誘電体３２Ｌ、３２Ｒとの間に介装され、互いに絶縁されるメッシュ３３Ｌ、３３Ｒと、メッシュ３３Ｌ、３３Ｒに互いに逆位相の高周波電圧を印加する電源３７と、電源３７とメッシュ３３Ｌ、３３Ｒとの間のインピーダンスを調節する整合器３６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ビーム誘起堆積を用いて、極低温で基板上に材料を堆積するように改善した方法を供することである。
【解決手段】 ビーム誘起堆積を用いることによって、極低温にて基板上に材料を堆積する方法。前駆体気体が、前記基板の極低温よりも低い融点を有する化合物の群から選ばれる。好適には、前記前駆体気体は、所望の極低温にて0.5〜0.8の付着係数を有する化合物の群から選ばれる。この結果、前記前駆体気体は、前記所望の極低温にて、前記基板表面に吸着する前駆体分子と前記基板表面から脱離する前駆体気体分子との間で平衡に到達する。適切な前駆体気体は、アルカン、アルケン、又はアルキンを有して良い。-50℃〜-85℃の極低温では、ヘキサンが材料を堆積する前駆体気体として用いられて良い。-50℃〜-180℃の極低温では、プロパンが前駆体気体として用いられて良い。 （もっと読む）

それぞれのガス源用のサイクリング弁によって、複数のガス源からビーム・システムの試料室内へのガス流が制御され、弁が開いている相対時間および弁の上流の圧力によって、試料室内のガス圧が決定される。真空室の内部に配置されたガス弁が、ガスを遮断する際の迅速な応答を可能にする。好ましいいくつかの実施形態では、使用中も真空システムの外部に置かれる容器内の固体または液体材料から前駆体ガスが供給され、この容器は、重大な漏れを生じることなく、ガス注入システムに容易に接続され、またはガス注入システムから容易に分離される。
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【課題】電子ビーム誘起付着、イオンビーム誘起付着およびレーザビーム誘起付着中に汚染物を除去する、または酸化可能な材料の付着またはエッチング中の酸化をリアルタイムで抑制する方法を提供する。
【解決手段】加工物にビームを照射すると同時に、付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスを、純化化合物およびキャリヤ・ガス（任意選択）とともに、または、予め混合してから、処理室内へ噴射する。ビームは、ビームを照射した領域にだけ膜を付着させ、または、ビームを照射した領域の膜だけをエッチングする。純化化合物は炭素などの不純物を、膜成長中に除去し、あるいは、エッチングされた材料の酸化を抑制する。付着前駆体ガスまたはエッチング前駆体ガスと膜純化化合物との同時注入または噴射前の予混合によって、成長／エッチング速度および達成可能な材料純度に関して、付着プロセスまたはエッチング・プロセスを最適化する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

本発明は、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜、その製造方法、及びその用途に関し、シリコン含有ダイヤモンド状炭素薄膜は、内部及び表面にシリコンを含有するダイヤモンド状炭素薄膜の表面に、その薄膜の表面に存在する炭素及びシリコン原子とその薄膜の表面に親水性を付与する原子（Ａ）間の化学結合を有することを特徴とする。
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【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、試料表面上にAu含有層を供するシステム及び方法を供することである。
【解決手段】 本発明は、試料表面上にAu含有層を供する方法を供する。当該方法は、Au(CO)Clを有する堆積流体を供する手順、前記試料表面の少なくとも一部の上に前記流体を堆積させる手順、及び、前記流体の少なくとも一部が上に堆積された前記試料表面に荷電粒子ビームを案内することで、前記試料表面上に前記Au含有層を生成する手順、を有する。
AU(CO)Clを荷電粒子誘起堆積用の前駆体として用いることによって、当技術分野において知られた方法と比較して、非常に高純度の金(Au)層を堆積することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は微細構造の作製方法に関する。
【解決手段】 先駆体流体が存在する中で基板全体にわたって集束粒子ビームを走査することによって、パターニングされたシード層が形成される。ここで前記シード層を原子層堆積法又は化学気相成長法によって成長させることによって、高品質の層を成長させることができる。当該方法の利点は、非常に薄い層しか堆積しなくて良いため、前記シード層を形成するのに要する時間が相対的に短くなることである。 （もっと読む）

【課題】真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ法による基板処理工程を実施する際に、基板表面に供給される活性種やイオンの密度の面内均一性を向上させ、基板表面に供給される活性種やイオンの量を増加させる。
【解決手段】多段に積載された複数の基板を収納する処理室と、処理室内と連通するプラズマ発生室と、処理室内に第１の処理ガスを供給する第１処理ガス供給ラインと、処理室内に第２の処理ガスを供給する第２処理ガス供給ラインと、プラズマ発生室内に第３の処理ガスを供給する第３処理ガス供給ラインと、第３の処理ガスが供給された前記プラズマ発生室内に電子源プラズマを発生させるプラズマ発生装置と、プラズマ発生室内にて発生させた電子源プラズマから電子を抽出して処理室内の基板間の領域に照射する電子線供給装置と、処理室内を排気する排気ラインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】陰極配線抵抗を低減せしめた有機ＥＬディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板２上に、ストライプ状に形成された第一電極６と、有機ＥＬ層１０と、有機ＥＬ層１０上に第一電極６と交叉するようにストライプ状に配置された第二電極１２と、第一電極６および有機ＥＬ層１０上の面のうち、第一電極６と第二電極１２とが交叉する部分以外を被覆した画素分離膜８と、第二電極間を分離するために画素分離膜８上に第二電極１２と平行に配設され、該第二電極１２の長手方向に対して垂直な断面が逆テーパーとなっている、少なくとも構造の一部が導電性の第二電極分離隔壁２２とを備えた有機ＥＬディスプレイであって、各第二電極１２と各第二電極を両側から挟む第二電極分離隔壁２２との間に形成された２つの間隙の一方少なくとも２箇所以上に金属２６が堆積され、第二電極と第二電極分離隔壁とが点接触されている有機ＥＬディスプレイ。 （もっと読む）

【課題】前駆体用化学薬品の高純度を維持することが可能で、かつ、装置中での前駆体用化学薬品の使用量を増大させることも可能で、それに応じて化学薬品の無駄を低減する、清浄化が容易な二点部品からなる気相または液相試薬送出装置を提供する。
【解決手段】複数ポートのうちの１つと、対応する弁との間にガスケットと管から成るアダプタを挿入することによって、管付きではない標準２ポート容器が、管（すなわち、ガス供給用気泡管または液体供給用浸漬管）を必要とする用途に使用できる容器に転用できる。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程における基板の加熱処理とイオン処理を、同じ位置において連続的に実施することができるイオン照射処理装置及びイオン処理方法を提供する。
【解決手段】 基板７とイオン源用金属板３の間に配置された筒状のアースシールド５と、アースシールド５の基板側端部近傍に移動可能に設けられ、表面が黒色化処理された遮蔽板６（６ａ、６ｂ）とを備えている。イオン処理を行わない時には、遮蔽板６がアースシールド５の開口部を覆ってイオン源用金属板３と基板７の間を遮蔽するので、イオン照射により加熱された遮蔽板６で基板７を加熱処理することができる。また、イオン処理時には、遮蔽板６ａ、６ｂが移動してアースシールド５の開口部を開くため、加熱処理後でも基板を移動させることなくイオン源用金属板３と対向した基板７上にイオン処理をすることができる。 （もっと読む）

【課題】 異常放電を抑制し、安定してプラズマ発振が可能なイオンビーム処理装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ生成空間を規定するプラズマ室１０と、プラズマ生成空間にプラズマを生成するための誘導電磁界を誘起するアンテナコイル１２と、アンテナコイル１２とプラズマ生成空間との間に、プラズマ室と大気との圧力隔壁として設けられた誘電体窓２２と、誘電体窓２２とプラズマ生成空間の間に配置される誘電体板２４と、プラズマ生成空間を挟んでアンテナコイル１２に対向する位置に配置され、プラズマ中のイオンを加速するための２枚以上の多孔引出電極３０とを含むイオンビーム源を備える。また、誘電体窓２２と誘電体板２４の間に配置され、互いに孤立した複数の第１導電配線と複数の第１導電配線の全てと一箇所で接続された第２導電配線を有するシールド電極２０を有する。 （もっと読む）

【課題】基板の透明性を制御でき、低温成膜が可能で、ＰＥＴ等の基板に適し、緻密性、基板との付着力に優れ、密着性が向上するＳｉＯ_２コーティング技術を提供すること
【解決手段】エンドホール型イオン源で発生したアルゴンプラズマと、このプラズマを発生させるに用いる電子の一部をヘキサメチルジシロキサンガス又はヘキサメチルシロキサンと酸素の混合ガスに作用させると同時に、イオン源から発生された低エネルギーアルゴンイオンを基板上に照射することを特徴とするＳｉＯ_ｘ膜を形成する方法。上記において、電子をアルゴンガスに照射してアルゴンガスプラズマを生成させると共に、基板上に一部の電子を照射して帯電を防止することが好ましい。装置としては、少なくとも排気機構と、アルゴンガス導入機構と、ヘキサメチルジシロキサンガス導入機構と、好ましくは酸素ガス導入機構と、エンドホール型イオン源と、基板のホルダーを具備する装置 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の製膜時において、基板表面へのＨラジカルの供給量を減らさずに、プラズマから基板表面へ入射する不要なイオンの量及びエネルギーを低減する。
【解決手段】（ａ）基板（３４）が設置された第１電極（３３）と前記第１電極（３３）から離れて設置された第２電極（３２）との間に、シラン系ガスと水素ガスと酸素ガスとを含む製膜ガス（５１）を供給するステップと、（ｂ）前記第１電極（３３）と前記第２電極（３２）との間に交流電力を印加し、所定の範囲の割合で負イオンを含むプラズマを発生させながら、前記基板（３４）上にシリコン系の膜を製膜するステップと、前記製膜の途中で、前記製膜ガスのうち前記酸素ガスの供給を停止するステップとを具備するシリコン膜の製造方法。 （もっと読む）