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Fターム[4K030GA01]の内容

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【課題】基板保持部品の交換に掛かるコストの削減を実現できると共に半導体製造のスループットを向上させることができるサセプタ及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】基板の表面をその下方の反応ガス流路に臨ませて基板の表面に半導体膜を気相成長させるフェースダウン型の半導体製造装置に用いられるサセプタにおいて、基板を支えるツメ部品が着脱自在に設けられるものである。 (もっと読む)


【課題】ガイドローラと基材とを接触させずに巻き取り可能な基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する。
【解決手段】第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、第一前駆体及び第二前駆体を排出するために用いられるパージガスが導入される第三真空気室と、基材の幅方向の両端部を保持する保持部を有し、基材を、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室に搬送する搬送機構とを備え、搬送機構が、第一真空気室,第二真空気室,及び第三真空気室のいずれかの室内に、かつ自身の一部が他の室内に位置しないように配置された巻き取り成膜装置を用いて、基材を巻き取りながら基材上に成膜を行う巻き取り成膜方法は、搬送機構により、基材を第一真空気室及び第二真空気室を交互に複数回通過させて、基材の表面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板のゆがみや破損を防止する有機金属化学気相成長(MOCVD)法および装置を提供する。
【解決手段】有機金属化学気相成長(MOCVD)法は、第1表面に金属系材料層が配置された基板を提供することと、金属系材料層が基板とベースの間に介するように基板をチャンバー内のベースの上に配置することと、第1表面の反対側にある基板の第2表面にMOCVDプロセスを行うこととを含む。金属系材料層と基板の間の熱伝導率の差は、1W/m℃〜20W/m℃の範囲内であり、金属系材料層と基板の熱膨張係数は、同一等級である。 (もっと読む)


【課題】サセプタへのウェハ固着を防止する。
【解決手段】一つの実施形態によれば、半導体製造装置は、サセプタ、回転部、及び振動発生部が設けられる。サセプタは、チャンバ内に設けられ、ウェハを支持してウェハの成膜中に回転する。回転部は、サセプタに連結し、チャンバの内部及び外部に設けられ、サセプタを回転する。振動発生部は、成膜中にサセプタに振動を与える。 (もっと読む)


【課題】アレイアンテナ式のCVDプラズマ装置1の生産性を高いレベルまで向上させつつ、薄膜の品質を高めること。
【解決手段】予め設定した配設方向の一端部側の基板エリアAとフロント壁9の壁面との間及び前記配設方向の他端部側の基板エリアAとリア壁11の内壁面との間に、片側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面45fを有しかつ基板Wを冷却する冷却パネル41がそれぞれ配設され、隣接する基板エリアA間に、両側に基板Wからの輻射熱を吸収可能な吸収面57fを有しかつ基板Wを冷却する中間冷却パネル53が配設されたこと。 (もっと読む)


【課題】処理容器の上部にマイクロ波導入機構を設けることが必須とされず、装置設計における自由度が高いマイクロ波プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波導入装置5は、マイクロ波を生成すると共に、マイクロ波を複数の経路に分配して出力するマイクロ波出力部50と、マイクロ波出力部50から出力されたマイクロ波を処理容器2内へ導入するアンテナユニット60と、アンテナユニット60により導入されたマイクロ波を処理容器2内に放射するマイクロ波放射モジュール80と、を有している。マイクロ波放射モジュール80は、誘電体窓部材としてのマイクロ波透過板81と、導体部材としてのカバー部材82とを有している。カバー部材82は、マイクロ波透過板81を介して処理容器2内に導入されるマイクロ波がウエハWの方向へ向かうようにマイクロ波の方向を規制する。 (もっと読む)


【課題】気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】蒸着工程を効率的に進めることができ、蒸着膜特性を容易に向上させる、基板に薄膜を蒸着するための気相蒸着装置に係り、排気口を具備するチャンバ、チャンバ内に配置され、基板を装着するように装着面を具備するステージ、基板の薄膜が形成される平面方向と平行にガスを注入する少なくとも一つ以上の注入ホールを具備する注入部、及び基板と対向し、基板と離隔するように配置されるプラズマ発生部を含む気相蒸着装置、気相蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】減圧下の処理室内で比較的高温となる処理が行われるような場合でも伝熱の影響を受けずに、処理室内に配置される部品を精度よく移動でき、構成部品組付の作業性が良い移動装置を提供する。
【解決手段】移動装置SMは、Z軸方向に所定間隔を存して配置された固定プレート5と可動枠6とを備える。固定プレートの開口51に嵌着された真空フランジ52を介して、処理室11を画成する外壁面に固定プレートが着脱自在に装着される。可動枠にアクチュエータ7〜7が設けられ、各アクチュエータのZ軸方向にのびる連結ロッド77で固定プレートと可動枠とが連結され、各アクチュエータの作動によりX軸方向、Y軸方向及びθ方向の少なくとも一方向に、固定プレートに対して可動枠が相対移動自在である。可動プレートに立設された複数本の保持ロッド8が、上記外壁面の透孔15に設けたシール部品16を介して処理室内に突出してマスクMを保持する。 (もっと読む)


【課題】サセプタの撓みによるエピタキシャル膜面内の抵抗のばらつきを抑制しつつ、パイロメーターによるサセプタ裏面の温度検出の精度も確保して、高品質のエピタキシャル膜を形成できるエピタキシャル成長装置用サセプタサポートシャフトを提供する。
【解決手段】本発明のサセプタサポートシャフト103は、エピタキシャル成長装置内でサセプタ102を下方から支持するサセプタサポートシャフト103であって、前記サセプタ102の中心とほぼ同軸上に位置する支柱107と、該支柱107から前記サセプタ102の周縁部下方へ放射状に延びる複数本のアーム108と、隣接する該アーム108の先端同士を接続するアーム接続部材109と、該アーム接続部材109から延び、前記サセプタ102を支持するn本(nは4以上の自然数)の支持ピン110と、を有し、前記アーム108が(n-1)本以下であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板をフェイスダウンに保持してMOVPEで半導体結晶を成長するに際し、半導体結晶の未成長領域を無くすと共に基板への原料供給の阻害を低減できる半導体エピウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】加熱した基板11上に原料ガスを供給し、基板11上に半導体結晶を成長させる半導体エピウェハの製造方法において、基板11は、半導体結晶が成長される成長面12側の周縁部14に面取部15を有しており、フェイスダウンで、かつ面取部15のみが保持され、半導体結晶は、基板11の成長面12を下方に向けて成長されるようにした。 (もっと読む)


【課題】製造されるエピタキシャルウェーハのパーティクルレベルの悪化を十分に抑制しながら、汚染レベルを低減し、低コストで安定して製造を行うことができるシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】リフトピン5を通過させるためのリフトピン貫通孔6を有するサセプタ3のウェーハ載置面上に、原料ガスを供給することによってポリシリコン膜を成長させる工程と、前記ウェーハ載置面上にポリシリコン膜が形成されたサセプタ上にウェーハWを載置し、原料ガスを供給しながら前記ウェーハW上にエピタキシャル層を気相成長させる工程と、を有するシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記ポリシリコン膜成長中に、少なくとも1回以上前記リフトピン5とサセプタ3を相対的に上下動させることを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。 (もっと読む)


【課題】小径で長尺な筒状の基材であっても、基材の内面を均一厚みのDLC膜で被覆することができる被覆部材の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマCVD装置1は、直流パルスプラズマCVD法により被覆部材を製造するためのものである。被覆部材の製造時には、円筒状の基材200は、処理室3内で宙吊りにされる。宙吊り状態の基材200は、その軸線Cが水平方向に延びるような姿勢にされている。プラズマ電源8をオンすることにより、隔壁2と基台5との間に直流パルス電圧を印加してプラズマを発生させる。このプラズマの発生により、処理室3内において原料ガスがプラズマ化し、基材200の内周面および外周面にDLC膜が堆積される。 (もっと読む)


【課題】事前に真空装置の異常を検出し、歩留りを向上させる真空装置の異常検出方法及び真空装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、ステージ上に基板を載置する前に、第1排気系を、予め定められた条件であり、基板吸着部の圧力が第1圧力となるべき条件に制御するとともに、第1圧力計により基板吸着部の圧力を検知する(S110)。次いで、第1圧力計が検知した基板吸着部の圧力に基づき、基板吸着部の圧力が第1圧力を含むように定められた第1規定範囲から外れている場合は(S120のNO)、異常が発生しているとして装置を停止させると判断する。一方、第1規定範囲内である場合は(S120のYES)、基板を搬送可能であると判断する。 (もっと読む)


【課題】基板を保持するキャリアのクリーニングを行わなわずとも、高品質な被膜を基板に対して成膜することが可能であり、かつ、効率的な成膜を可能とする成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Wがキャリア21からヒータ(アノードユニット)90に移載された後、キャリアは成膜室11から搬出される。基板をヒータに渡した後のキャリアは、成膜中は、仕込・取出室内で待機すればよい。この後、成膜室と仕込・取出室とを隔てるドアバルブを閉状態にする。 (もっと読む)


【課題】各ガス供給口から供給される反応ガスの流れを略均一化して、各基板をばらつくこと無く成膜する。
【解決手段】各ガス供給ノズル60,70に、各ガス供給口68,72からの反応ガスの供給方向に延在し、かつ各ガス供給口68,72の第1ガス排気口90側に各整流板69,73を設けた。これにより、各ガス供給口68,72から噴射(供給)された反応ガスが、第1ガス排気口90に向けて直接流れてしまうことを抑制でき、ひいては反応ガスの流れを各ウェーハ14に向けて略均一化して、各ウェーハ14をばらつくこと無く成膜することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】可撓性基板の幅方向及び長手方向の皺の発生を防止して、大面積の可撓性基板でも、全面に亘って平坦性が向上し、均一な膜厚分布の安定化した薄膜が得られる薄膜光電変換素子の製造方法及び製造装置、並びに成膜装置を提供することにある。
【解決手段】成膜装置100を用いた薄膜光電変換素子の製造方法において、可撓性基板1の幅方向に張力を与えながら搬送を停止し、加熱ヒータ8を内蔵した接地電極4を可撓性基板1の裏面の非成膜面に接触させて加熱し、第1保持及び引張機構部12Aにより可撓性基板1の上端部近傍を挟持し、第1保持及び引張機構部12Aと対向した第3保持及び引張機構部12Bにより可撓性基板1の上端部近傍を挟持し、第2保持及び引張機構部12Cと第4保持及び引張機構部12Dにより可撓性基板1の下端部近傍を挟持し、互いの対向間の距離を広げる方向に移動させて可撓性基板1を引っ張り、引っ張りながら可撓性基板1を押さえ込んで成膜を行っている。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れ、かつ接触抵抗が低くい金属基板を用いた固体高分子型燃料電池用セパレータの提供、及び生産性に優れたプラズマ処理技術及プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】金属製セパレータ基板表面に接触抵抗10mΩcm2以下、撥水角80°以上のシリコン含有炭素系被膜を被着する。プラズマ処理容器内に、一対の基板支持具2にそれぞれ複数枚の金属基板3をほぼ平行、且つ等間隔に係止した第1の基板電極群2aと第2の基板電極群2bとをほぼ等間隔に相互に噛み合わせて配置し、該一対の基板電極群にコンデンサー7を介して高周波電力を給電し、且つローパスフィルタ12を介して負の脈流電圧又はパルス電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程を有し、破損等することなく確実にウエハを処理できるウエハの処理方法を提供する。
【解決手段】接着剤成分と、刺激により気体を発生する気体発生剤とを含有する接着剤組成物を介してウエハを支持板に固定する支持板固定工程と、前記支持板に固定されたウエハの表面に薬液処理、加熱処理又は発熱を伴う処理を施すウエハ処理工程と、前記処理後のウエハに刺激を与えて前記気体発生剤から気体を発生させて、支持板をウエハから剥離する支持板剥離工程とを有するウエハの処理方法。 (もっと読む)


【課題】基板表面に生成する膜を全面でより均一にできるCVD装置を提供する。
【解決手段】熱化学気相成長法により基板Kの表面にカーボンナノチューブを生成する加熱室13を有するカーボンナノチューブ形成用の熱CVD装置であって、加熱室13内を所定方向に移動される所定幅の基板Kを側面視が円弧形状となるように保持し得るガイド板23を具備するとともに、このガイド板23により保持される基板Kの円弧中心位置に原料ガスGの放出口5を基板Kの幅方向に沿って配置したものである。 (もっと読む)


基板表面上への層堆積の方法。当該方法は、基板に接触させるための前駆体供給部から堆積空洞の中への気体前駆体の注入と、注入された気体前駆体の一部の堆積空洞からの排出と、基板表面に沿った、堆積空洞および基板の互いに相対的な位置付けとを含む。当該方法は、さらに、第1の電極および第2の電極の提供と、第1の電極および第2の電極の互いに対応する位置付けと、第1の電極および第2の電極の間に生じる高電圧差による基板に接触するための基板近くでのプラズマ放電の発生とを含む。当該方法は、プラズマによる表面のパターニングのため、選択的なプラズマ放電の発生を含む。気体前駆体に接触した基板の部分が、プラズマに接触した基板の部分に、選択的に重複する。 (もっと読む)


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