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Fターム[4K030GA04]の内容

CVD (106,390) | 基体の支持、搬送 (3,879) | 基体の支持 (2,688) | 基体の移動支持 (1,600)

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【課題】成膜対象となる基板の劣化を防止ないしは抑制する。
【解決手段】原料ガスに光を照射することで種を生成し、種を基板2に堆積させることにより膜を成長させる光CVD装置(成膜装置)1であって、光源13と基板2を保持する試料台(基板保持部)14の間に遮光板(遮光部材)20を配置する。遮光板20は、基板2の成膜面2aと対向する裏面20a、裏面20aの反対側に位置する表面20b、裏面20aおよび表面20bのうちの一方から他方までを貫通する複数の貫通孔21を有している。また、遮光板20の裏面20aと基板2の成膜面2aの距離C1は、原料ガスの気体分子の平均自由行程以下である。 (もっと読む)


【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 (もっと読む)


【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板200が収容される処理室201と、気化空間271を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料270を気化して気化ガスを生成する液体原料容器260と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン240aと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置263と、気化空間内の圧力を測定する圧力計261と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部266と、を有する。 (もっと読む)


【課題】消費エネルギーを抑制しつつ成膜性能を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ2を処理室20へ搬入する搬入工程(S1)と、処理室20を排気する排気工程と、処理室20を所定の圧力まで降下する降圧工程(S2)と、複数の処理ガスを供給してウエハ2に膜を形成する成膜工程(S4)と、処理室20を所定の圧力まで上昇する昇圧工程(S7)と、ウエハ2を処理室20から搬出する搬出工程(S8)と、成膜工程(S4)における排気量が、降圧工程(S2)及び昇圧工程(S7)における排気量よりも大きくなるように調整する調整工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】LEDまたはSiCデバイスのコスト低減のために、GaN、AlNまたはSiCバファー膜を大量に堆積できる装置、及び、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスの低減法、基板形成方法を提供する。
【解決手段】縦型ホットウォールタイプのクリーニング用プラズマ手段つき、減圧CVDおよびリモートプラズマCVD装置によりデバイスのコストを低減する。基板のデバイス形成領域の周辺に深い溝を形成することで、GaNまたはSiCエピタキシャル層のストレスを低減する。さらに基板表面を異方性、等方性パターンをエッチングにより形成する基板形成する。LEDデバイス基板に関しては、その表面にSiO2パターンを形成し、マイクロチャネルエピタキシーによって良好なエピタキシャル膜を形成し、欠陥の少ない良好な膜を得るようにする。 (もっと読む)


【課題】比較的低温でも埋め込み特性が良好で且つ表面ラフネスの精度も向上するアモルファス状態の不純物含有のシリコン膜のような薄膜を形成することが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】真空排気が可能になされた処理容器内で被処理体Wの表面にシード膜88と不純物含有のシリコン膜90を形成する薄膜の形成方法において、処理容器内へアミノシラン系ガスと高次シランの内の少なくともいずれか一方のガスよりなるシード膜用原料ガスを供給してシード膜を形成する第1ステップと、処理容器内へシラン系ガスと不純物含有ガスとを供給してアモルファス状態の前記不純物含有のシリコン膜を形成する第2ステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】クリーニングガスによる腐食反応を低減する。
【解決手段】CVD装置の処理炉10におけるマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31とに第一加熱源61と第二加熱源62と第三加熱源63と第四加熱源64とを敷設し、加熱源61〜64は温度制御部60に接続する。温度制御部60はマニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31との温度をクリーニングガスが多層吸着しない程度の温度となるように制御する。クリーニングガスによる腐食反応を低減できるので、マニホールド17と排気管20とクリーニングガス導入ノズル51と原料ガス導入ノズル31の定期的交換の頻度を減少でき、CVD装置のメンテナンス性能を向上できる。 (もっと読む)


【課題】耐酸化性に優れ、導電性や仕事関数の劣化を防止または抑制できる電極を備えた半導体装置の製造方法、半導体装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室に、表面にゲート絶縁膜302またはキャパシタ絶縁膜が形成された基板を搬入する基板搬入工程と、基板上に、導電性酸化膜を含む電極であって、導電性酸化膜の仕事関数を変調する添加剤が添加された電極を形成する電極形成工程と、電極が形成された基板を処理室から搬出する基板搬出工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の一面と他面にそれぞれ機能膜を効率よく成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア35はフレーム41を備えている。フレーム41は、支持した基板Wの一面Wa側、および他面Wb側をそれぞれ露出させる開口(開口部)41a,41bがそれぞれ形成されている。フレーム41の一端には、キャリア35をアノードとして機能させるためのアノード接点43が設けられている。キャリア35は、第一成膜室(プロセス室)や第二成膜室(プロセス室)において、アノード接点43を介して接地側に電気的に接続され、アノードして機能する。 (もっと読む)


【課題】基板表面に安定的に膜を形成する。
【解決手段】複数の基板を配置する反応室と、前記反応室内に設けられた被加熱体と、前記被加熱体と前記複数の基板との間に設けられ、前記反応室内にシリコン原子含有ガス、炭素原子含有ガス、および水素ガスを供給するガス供給ノズル61,62と、を備えている。ここで、ガス供給ノズル61、62は、カーボングラファイトから成る基材層63、基材層63の表面を覆う炭化珪素から成るコート層64、およびコート層64の表面を覆う炭素から成るコート層65を備えている。これによりクリーニング処理を行ってもコート層64が取り除かれることを防止ないしは抑制できるので、成膜処理時に水素ガスがガス供給ノズル61、62を透過することを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】形成した絶縁膜のリーク電流を抑制することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理室にそれ単独で固体となる第1の元素を含む第1の処理ガスをCVD反応が生じる温度条件下で供給することで、前記基板上に前記第1の元素を含む第1の層を形成する工程と、前記処理室にそれ単独では固体とならない第2の元素を含む第2の処理ガスを供給することで、前記第2の処理ガスと前記第1の層を反応させ前記第1の元素および前記第2の元素を含む第2の層を形成する工程と、を1回ずつ含むサイクルを1サイクルとして、このサイクルを1回以上行うことで、所定膜厚の前記第1の元素および前記第2の元素を含む薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に反応物質を供給することにより基板を処理する工程を有し、反応物質は液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒と液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流す。 (もっと読む)


【課題】基板に対する誘導電流の影響を排除して均一に熱処理を行うことができる、誘導加熱を利用した熱処理装置を提供すること。
【解決手段】熱処理が施される複数の基板Sを収容する処理容器2と、処理容器2内で複数の基板を保持する基板保持部材3と、処理容器2内に誘導磁界を形成して誘導加熱するための誘導加熱コイル15と、誘導加熱コイル15に高周波電力を印加する高周波電源16と処理容器2内に処理ガスを供給するガス供給手段8,9,10と、処理容器2内を排気する排気手段11,12,14と、処理容器2内で基板保持部材3を囲うように誘導加熱コイル15と基板保持部材3との間に設けられ、誘導磁界によって形成された誘導電流により加熱され、その輻射熱で基板保持部材3に保持された基板Sを加熱する誘導発熱体7とを具備し、誘導発熱体7により、基板Sへ誘導電流が流れることが阻止される。 (もっと読む)


【課題】真空容器内にてテーブルの周方向に沿って複数の半導体ウェハを配置し、2種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜するALDにおいて面内均一性高く成膜処理を行うこと。
【解決手段】ALDを行う成膜装置101と、アニール処理を行う熱処理装置102と、を真空搬送室103に気密に接続すると共に、真空搬送室103内に自転機構である回転ステージ132を設ける。そして、ウェハに対してBTBASガスを供給してこのガスを吸着させ、次いでBTBASガスと反応して流動性を持つシロキサン重合体を生成するエタノールガス及びこのシロキサン重合体を酸化するO3ガスをこの順番で供給して成膜処理を行うと共に、この成膜処理の途中で成膜装置101からウェハを取り出して、基板を回転させてその向きを変更し、またアニール処理を行って反応生成物を緻密化する。 (もっと読む)


【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器2内に、基板であるウエハWの載置領域を備えた載置台3と、この載置台3と対向する天板部材4とを設け、載置台3を昇降機構5により天板部材4側へ上昇させて、載置台3と天板部材4との間で処理空間Sを形成する。載置台3における載置領域の外側領域と天板部材4との少なくとも一方には突起部43が設けられ、前記処理空間Sの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材4との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の1mm未満の隙間40が形成される。隙間40が狭小であることから、処理空間S内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 (もっと読む)


【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットTにおいて、全体としてコイルをなす銅棒3が、石英ブロック4に接合された石英管12内に配置され、石英ブロック4は、石英管12及び石英管15内を流れる水によって冷却される。誘導結合型プラズマトーチユニットTの最下部にプラズマ噴出口8が設けられる。長尺チャンバのチャンバ内部空間7にガスを供給しつつ、銅棒3に高周波電力を供給して、長尺チャンバのチャンバ内部空間7にプラズマを発生させ、基材2に照射する。 (もっと読む)


【課題】基板上にZnO透明導電膜を高効率で製造するZnO透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ZnO透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、一方向(A)及びその逆方向(B)に移動可能であるようにチャンバー(100)内に配置されたノズル(130)と、を備え、ノズル(130)から基板(50)に対してDEZnの気体と水蒸気とが噴霧される。 (もっと読む)


【課題】被処理体が大型化した場合であっても、同時に処理すべき被処理体の枚数を抑える必要がない。
【解決手段】熱処理装置1はクリーンルーム1A内に設置される。この熱処理装置1は被処理体Wを収容して熱処理するための処理容器3と、処理容器3の周囲を覆う断熱材16と、断熱材16内周面に設けられたヒータ5とを有する熱処理炉2と、処理容器3の上方の炉口3aを閉塞する蓋体10と、蓋体10に保温筒11を介して吊設され被処理体Wを多段に保持する保持具12とを備えている。熱処理装置1の熱処理炉2のうち、高さ方向長さの大部分は、クリーンルーム1Aの床面F下方に位置している。 (もっと読む)


【課題】基板上にZnOからなる透明導電膜を高効率で製造するZnO透明導電膜製造装置を提供する。
【解決手段】ZnO透明導電膜製造装置(100)は、真空状態に維持されたチャンバー(110)と、チャンバー(110)内を通過するように基板(50)を一方向(A)に搬送するとともに、任意の箇所において停止可能な基板搬送手段(120)と、チャンバー(100)内に配置されたシャワーヘッド(130)と、を備える。シャワーヘッド(130) は、第一の流路と、第一の流路の周囲に形成された第二の流路と、第一の流路及び前記第二の流路を加熱する加熱手段と、を備え、第一の流路及び第二の流路の一方からはDEZnの気体が、他方からは水蒸気が基板に対して噴霧される。 (もっと読む)


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