【課題】アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ装置は、真空状態に減圧可能な内部にガス供給源から材料ガスが供給される真空チャンバと、真空チャンバに設けられ高周波電源に電気的に接続された複数のコネクタと、これらコネクタそれぞれに接続可能な複数本の電極棒５１を有し、高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させるアレイアンテナユニットと、を備える。アンテナ搬送体７０は、真空チャンバ内を移動可能であって、アレイアンテナユニットを着脱自在に保持するアンテナ保持部材７３、および、このアンテナ保持部材７３に保持されたアレイアンテナユニットを昇降するエアシリンダ７６を有する。アンテナ保持部材７３には、アレイアンテナユニットを揺動可能に保持する荷重受け部７７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】装置が大型化することなく、また、コストを抑制しながらも、アレイアンテナユニットのメンテナンス作業を簡素化する。
【解決手段】真空チャンバ１の天井部２ａには高周波電源に電気的に接続された複数の天井側コネクタが設けられる。アレイアンテナユニット３０は、天井側コネクタに接続可能な複数本の電極棒を有し、電極棒が天井側コネクタに接続された状態で高周波電源から電力供給されることによりプラズマを発生させる。真空チャンバ１内には、基板を保持する基板搬送体６０の車輪６２をガイドするガイドレール１７が設けられる。アンテナ搬送体７０は、基板搬送体６０と共通のガイドレール１７にガイドされる車輪７２を備えており、アレイアンテナユニット３０を着脱自在に保持した状態で、真空チャンバ１内を移動可能となっている。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生装置を用いた成膜装置で基板に成膜を行う場合に、プラズマ発生開始時またはプラズマ発生停止時に発生するパーティクルの基板への付着を低減する手段を提供する。
【解決手段】真空容器１内において基板９に薄膜を成膜するプラズマを用いた成膜装置であって、真空容器内にプラズマを用いて基板に成膜を行う成膜領域と成膜を行わない待機領域とを持ち、真空容器内に、基板を戴置した基板トレイ１０が成膜領域と待機領域との間で移動可能とする基板トレイ移動手段１１と、プラズマの発生開始後に、基板トレイの待機領域から成膜領域への移動を可能とし、基板トレイの成膜領域から待機領域への移動後にプラズマの生成停止を可能とするインターロック手段とを更に備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体処理装置および方法の分野に関し、特に、エピタキシャル堆積用の基板としてウェハーなどに使用される、光学および電子部品の製作に適切な、第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料の持続的大量生産のための方法および装置を提供する。
【解決手段】これらの方法および装置は、第ＩＩＩ族−Ｎ（窒素）化合物半導体ウェハーを製造するために、特にＧａＮウェハーを製造するために最適化される。特に前駆体は、半導体材料の大量生産が促進されるよう、少なくとも４８時間にわたり、第ＩＩＩ族元素が少なくとも５０ｇ／時の質量流で提供される。気状第ＩＩＩ族前駆体の質量流は、所望の量が送達されるように制御することが有利である。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの有無と、ウエハのプロセス進捗状況とを対応させて表示し、装置が停止した場合にも、操作者にウエハの処理状況を正確に知らせて、良品を廃棄するのを防ぎ、歩留りを向上させることができる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウエハ毎に搬送レシピを指定した搬送テーブル２９と、搬送レシピ毎にウエハの位置情報を格納する位置管理テーブル２２ａ〜２２ｃと、ウエハＮｏ．毎に位置情報とプロセス状況を格納する状況テーブル２５´を設け、位置情報監視手段２１´が、個々のウエハについて位置及びプロセス状況を監視し、ウエハ毎に異なる搬送レシピを設定した場合にも、ウエハ毎のプロセス進捗状況を表示する半導体製造装置である。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段は、真空容器の径方向に伸び、基板の通過領域と対向するガスノズルにより構成する。 （もっと読む）

【課題】少数枚の基板を取り扱うのに好適でコストを低減することができる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】小バッチ式ＣＶＤ装置１は一度に処理するプロダクトウエハＷｂの枚数が一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収納される枚数以下に設定されており、一台のプロダクトウエハ用ポッド２６Ｂに収容されたプロダクトウエハＷｂをサイドダミーウエハ用ポッド２６Ａに収納されたサイドダミーウエハＷａと共にボート９に装填してプロセスチューブ４で一度に処理するように構成されている。一度にバッチ処理する枚数のプロダクトウエハが一台のポッドに収納されるため、ポッドを一時的に保管するための棚や、ポッドを保管棚とポッドステージとの間で搬送するためのポッド搬送装置等を省略でき、バッチ式ＣＶＤ装置のイニシャルコストやランニングコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】真空処理装置の真空処理室内部のメンテナンス性を改善する。
【解決手段】真空処理装置１は、被処理物１０７を収容して真空処理を施す第１の処理室１０１と、真空処理される前の被処理物と、真空処理された後の被処理物と、を収容する真空排気可能な第２の処理室１０２と、第１の処理室と第２の処理室との間に、第１の処理室と着脱可能に介装されるゲート部１０３と、ゲート部１０３を通じて、真空処理される前の被処理物を搬入部１０８から真空処理部１０４へと搬入し、真空処理された後の被処理物を真空処理部１０４から搬出部１１９へと搬送する搬出する搬送装置２０２と、第１の処理室と第２の処理室とを離間させる移動機構２００とを備える。 （もっと読む）

本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方を提供する。本方法は、入口及び出口を有するチューブを用意する段階、チューブの入口において又はその近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、及び該粒子の流れの中の粒子との反応のために、チューブの入口から下流で少なくとも１の注入点を介してチューブの中へと自己停止する第一の反応物を注入する段階を含む。本方法は、原子層堆積及び分子層堆積に適切である。本方法を実施するための装置もまた開示されている。 （もっと読む）

一実施形態は、材料蒸着のための装置を提供する。装置は、反応チャンバと、一対のサセプタとを含む。各サセプタは、基材を載置する前側と背側とを有する。垂直に位置付けられるサセプタの前側は、相互に対面し、サセプタの垂直縁部は、相互と接触している。また、装置は、反応ガスを注入するためのいくつかのガスノズルも含む。チャンバの内部のガス流方向は、ガスノズルを制御することによって交互にすることができる。ガスノズルは、ガスノズルが反応ガスを注入していない時に、ＨＣｌ、ＳｉＣｌ_４、およびＨ_２のうちの少なくとも１つを含む少量のパージガスを注入するように構成される。装置は、反応チャンバの外部に位置するいくつかの加熱ユニットを含む。加熱ユニットは、それらが熱エネルギーをサセプタの背側に直接放射するように配設される。
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【課題】スループットを低下させることなく、基板の主面に形成されたパターンが倒れることを防止することができる気密モジュールを提供する。
【解決手段】基板処理システムのロード・ロックモジュール５は、移載アーム３１と、チャンバ３２と、ロード・ロックモジュール排気系３４とを有し、チャンバ３２内には、チャンバ３２内に搬入されたウエハＷの主面と対向するように板状部材３６が配置され、ウエハＷの主面の直上にはウエハＷ及び板状部材３６により、チャンバ３２の残部分から隔離された排気流路が画成され、該排気流路の断面積はチャンバ３２の残部分の断面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】メンテナンス性を向上させたＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置を用いて製造して生産性を向上させた半導体装置及び光電変換装置を提供する。
【解決手段】チャンバ本体２１は、底部本体２１Ａ、第一筒体２１Ｂ、第二筒体２１Ｃ、及び蓋体２１Ｄを有し、これらが取外し可能に積重ねられる。チャンバ本体２１は、その空間Ｓに、基板Ｂを載置するステージ２２と、基板Ｂに対向する複数の触媒体Ｗと、各触媒体Ｗに接続される複数の接続端子３２とを有し、また、その蓋体２１Ｄに、各接続端子３２に対応する複数の押圧端子Ｔを有する。そして、蓋体２１Ｄは、第二筒体２１Ｃに積重ねられる状態で、対応する接続端子３２を押圧する。 （もっと読む）

【課題】筐体内外に収納容器の搬入搬出を行うロードポートにおいて、収納容器の蓋体を装着したり外したりするのを可能とし、構造をシンプルにする。
【解決手段】基板処理装置は、複数の基板を収納し基板出し入れ口を蓋体によって塞がれた収納容器２と、収納容器を載置するロードポートと、該ロードポートで基板出し入れ口に対する蓋体の着脱を行う着脱装置と、ロードポートで収納容器を載置し着脱装置に対して対向方向に遠近動作を行う第一載置ユニット１８Ａと、第一載置ユニットとは別体として設けられロードポートで収納容器を載置し着脱装置に対して昇降を行う第二載置ユニット１８Ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スループットを向上させる。
【解決手段】筐体１１内をサブ筐体２４で保管領域３０と処理領域３１とに仕切る。保管領域３０には、ポッド搬入搬出口１２で出入りする搬入搬出口載置台１６、搬入搬出口載置台１６の上方に位置するサブ保管棚１７、サブ保管棚１７の後方に位置する回転式保管棚２０、サブ保管棚１７と回転式保管棚２０の間に位置するポッド搬送装置２３、回転式保管棚２０の下方に位置する着脱機構載置台２７、着脱機構載置台２７の真上に位置する固定式保管棚２９を設ける。処理領域３１にはポッド２からウエハ１を取り出すウエハ移載機構３３と処理炉３６を設ける。ダミーウエハやモニタウエハを収納したポッド２の搬入搬出口載置台１６への搬入時には固定式保管棚２９に搬送する。処理時にダミーウエハやモニタウエハを収納したポッド２の搬送時間を短縮できるので、スループットを向上できる。
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【課題】異なる運用方式が指定された場合でもスループットの低下を防止する。
【解決手段】複数のウエハを収納するキャリアと、ウエハに処理を施す複数の処理モジュールと、これら処理モジュールにウエハを搬送する搬送装置が設置された搬送室と、キャリアに収納されたそれぞれのウエハに指定された運用方式に基づき搬送装置および処理モジュール内の処理を実行させるコントローラとを備えており、コントローラはそれぞれのウエハに指定された運用方式のうち所定の運用方式を選択し、選択された運用方式が指定されているウエハから優先して実行させる。一枚のウエハ毎に処理条件を変更せずに済むので、連続処理装置のスループットを向上できる。
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【課題】試料が処理室内に搬入され、プラズマ処理され、処理室内から搬出されるまでの中で処理室内での圧力変動により生じる異物巻上げ等による異物を低減する。
【解決手段】試料を処理する複数のプラズマ処理室と、それぞれの処理室内に連結され試料を搬送するための搬送室を有し、両室内もしくは処理室内のみに搬送室に供給する搬送用ガスと同じガスを供給する供給システムを具備するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、処理室内へ搬送用ガスを導入した後処理室内に試料を搬入する工程（イ）、その後処理室内の前記搬送用ガス導入を維持した状態で処理室内の搬送用ガスを利用してプラズマ発生させる工程（ウ）、このプラズマを維持した状態で処理室内に連続してプロセスガスを供給して搬送用ガスからプロセスガスへ切り替える工程（エ）、試料にプラズマ処理を行う工程（オ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜装置の電極の汚染物除去を短時間で行い、電極表面を清浄な状態に保つことにより、成膜装置による成膜の歩留まり改善および装置稼働率の向上を図る。
【解決手段】反応容器114と、反応容器114内に互いに離間して対向配置された第１電極111および第２電極112と、被成膜基板を搬入して第２電極112上に設置しかつ成膜後に所望の膜が成膜された被成膜基板を反応容器114の外部へ搬出する基板搬送手段とを備えた成膜装置をクリーニングする際に、基板搬送手段にて第１電極111と第２電極112の間に搬送されるクリーニング装置であって、第１電極111の表面に接触可能な汚染物除去部102を備え、基板搬送手段にて第１電極111と第２電極112の間に搬送されることにより、汚染物除去部102が第１電極111の表面に摺接して第１電極111の表面に付着した汚染物Cを払い落として除去するように構成されたことを特徴とする成膜装置のクリーニング装置。 （もっと読む）

【課題】複数の排気管を接続する排気下流側接続部のメンテナンスを容易にする。
【解決手段】筐体を備えた基板処理装置であって、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記反応容器２０７の下端を閉塞する蓋体と、前記反応容器内にガスを供給するガス供給管２３０と、前記加熱装置と前記蓋体との間の前記反応容器２０７の側壁に一体成形され該反応容器２０７内を排気する複数の排気管２３１とを筐体内に有し、前記複数の排気管２３１の排気下流側接続部を、前記筐体一側面に面するメンテナンスエリア側に配置する。 （もっと読む）

【課題】装置高さを変えることなく、また反応容器サイズを変えることなく、反応容器のメンテナンスを行うことを可能にする。
【解決手段】基板処理装置、基板を処理する処理室２０１を内側に有する反応容器２０７と、該反応容器２０７の外周側から前記基板を加熱する加熱装置と、前記処理室２０１を閉塞する蓋体と、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記蓋体に載置される着脱治具４００と、前記反応容器２０７の内側壁に該反応容器２０７の下端より上方側に設けられ、前記反応容器２０７を前記加熱装置内から着脱する際に前記着脱治具４００の上面と突き当てられる支持部とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】形成された膜の位置及び膜の基準位置のずれの解消を容易に行うことができる膜位置調整方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの表面に膜を形成するプロセスチャンバ１２と、ウエハＷのセンタリングを行うオリエンタ１６とを備え、オリエンタ１６はウエハＷの中心位置のずれを測定するオリエンタセンサ４２とウエハＷの非成膜部の幅を測定する画像センサ４１とを有する基板処理システム１０において、ウエハＷの表面に膜が形成され、さらに、ウエハＷの中心位置のずれが測定され、ウエハＷのセンタリングが行われ且つウエハＷの非成膜部の幅が測定され、該測定された非成膜部の幅に基づいて膜位置ずれが算出され、該算出された膜位置ずれに基づいてプロセスチャンバ１２におけるリング及び載置台１３上のウエハＷの相対位置関係が調整される。 （もっと読む）