【課題】本発明は、エピタキシャル構造体及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含む第一カーボンナノチューブ層を配置する第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に第一エピタキシャル層を成長させて、前記第一カーボンナノチューブ層を包ませる第三ステップと、前記第一エピタキシャル層の表面に複数の空隙を含む第二カーボンナノチューブ層を配置し、前記第二カーボンナノチューブ層が配置された表面は、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面である第四ステップと、前記第一エピタキシャル層のエピタキシャル成長面に第二エピタキシャル層を成長させて、前記第二カーボンナノチューブ層を包ませる第五ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】潤滑油環境下での摺動において、従来以上に摩擦係数が低減された摺動部材を提供することができるＤＬＣ被膜とその製造方法を提供する。
【解決手段】摺動部材の摺動側表面にコーティングされた、少なくとも１種類の金属が含有されたＤＬＣ被膜であって、炭素同士の結合の割合および金属と炭素の結合の割合の合計に対して、金属と炭素の結合の割合が２０％以下であるＤＬＣ被膜。プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＤＬＣ被膜を製造するＤＬＣ被膜の製造方法であって、炭化水素と不活性ガスの導入雰囲気中で、金属ターゲットをスパッタリングしつつ炭化水素を解離させて、基材上に、前記金属を含有するＤＬＣ被膜を成膜するＤＬＣ被膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】保護膜の膜厚を薄くしつつ、耐久性および耐食性を向上させると同時に潤滑膜に対する保護膜表面の結合力を増加させる。さらに、該保護膜を備えた良好な電磁変換特性を有する磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体のための保護膜であって、該保護膜がフッ素と窒素とを含んでいることを特徴とする保護膜である。磁気記録媒体のための保護膜を製造する方法であって、基体と該基体上に形成される金属膜層とを含む積層体の上に該保護膜を形成する工程と、フッ素含有ガスおよび窒素含有ガス中で該保護膜をプラズマ処理する工程とを含むことを特徴とする方法である。 （もっと読む）

【課題】ダイヤモンド半導体の不純物の新しい混入状態を実現する。
【解決手段】ダイヤモンド半導体は、ダイヤモンド１０とダイヤモンド１０内にドーピングされる不純物で構成される。不純物のドーピングにより、ダイヤモンド１０内に複数の高濃度ドープ領域２０が形成される。各高濃度ドープ領域２０は、ダイヤモンド１０内において空間的に局在化されており、そして、ダイヤモンド１０内において複数の高濃度ドープ領域２０が分散的に配置されている。不純物のドーピングによりキャリア生成のための活性化エネルギーを低下させつつ、各高濃度ドープ領域２０の局在化によりキャリア移動度の低下を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングは、ＣｒＮ層（１４）およびａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層（１６）が交互に重なり合った多重層を有するコーティングを備える。鋳鉄または鋼で作製されているのが好ましいスライド要素、とりわけピストンリングをコーティングするための方法では、複数のＣｒＮ層とａ−Ｃ：Ｈ：Ｍｅ層が交互に設けられる。 （もっと読む）

【課題】成長途中に生じる凹部を縮小させ、バルク状でかつ結晶性の高い窒化物半導体単結晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】気相成長法による窒化物半導体単結晶の製造方法であって、種基板１との界面の裏側に主面および凹部を有する第１の窒化物半導体単結晶部２を前記種基板１上に成長させる工程と、前記凹部内にマスク４を設ける工程と、前記マスク４を覆うように前記第１の窒化物半導体結晶部２上に第２の窒化物半導体結晶部を成長させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】種々の成膜法が利用可能な連続成膜装置を提供する。
【解決手段】真空中で搬送される基材Ｓの表面に成膜粒子を供給して皮膜を形成する連続成膜装置であって、真空チャンバ−１と、真空チャンバー１内に回転自在に支持され、基材Ｓを巻き掛けて搬送する成膜ロール４と、前記基材Ｓを成膜域に供給する巻出ロール５および成膜後の基材を巻き取る巻取ロール６と、前記成膜ロール４に対向して配置されたスパッタ蒸発源７１，７２，７３を備える。さらに前記成膜ロール４の下部に一対の回転円筒状電極１１，１２をそれぞれ成膜ロール４と平行に備える。前記一対の回転円筒状電極の少なくとも一方は円筒状ターゲット１３を備える。 （もっと読む）

本発明は、源から、コーティングされる物品へ、アルミニウムと反応成分とを共転送および共堆積する処理の制御が改善された気相コーティング技術である。一つの方法は、反応成分源を供給する工程を含んでおり、反応成分源の少なくとも一部が反応成分の非ハロゲン化合物を含んでおり、また、アルミニウム源を供給する工程と、ハロゲン化合物活性化剤を供給する工程と、アルミニウムと反応成分とを含んでいる種が、上記金属性表面上に共堆積されてコーティングを形成する効果的な条件で、金属性表面を持つ物品と、反応成分源と、アルミニウム源と、ハロゲン化合物活性化剤とを加熱する工程とを含んでいる。
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【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

プラズを用いた化学反応によって、基板上に層を析出する方法および装置である。
本発明は、真空チャンバ（１１）内の化学反応を用いて、プラズマを用いて基板（１２）上に層を析出する方法に関する。ここで、化学反応の少なくとも１つの基礎材料は、入口（１３）を通じて真空チャンバ（１１）内に供給され、入口（１３）は、少なくとも入口開口部（１８）の領域において、ガス放電の電極として接続されている。
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【課題】本発明は、電子写真装置の印刷品質の低下を防止させ得る電子写真装置用帯電ローラならびに優れた印刷品質を長期間維持させ得る電子写真装置を提供することを課題としている。
【解決手段】電子写真感光体の表面を帯電させるべく、外周面を前記電子写真感光体に接触させて用いられる電子写真装置用帯電ローラであって、エピクロルヒドリン−エチレンオキサイド−アリルグリシジルエーテル共重合体をベースポリマーとして含有するポリマー組成物によりＪＩＳ Ａ 硬度で４０度以上５８度以下の硬さに形成された弾性体層が導電性軸心の外側に設けられており、該弾性体層のさらに外側には、前記電子写真感光体に接触される表面層が設けられており、該表面層が内側にイオン注入層をともなうダイヤモンドライクカーボン被膜で形成されており、該ダイヤモンドライクカーボン被膜の厚みが２０ｎｍ以上１μｍ以下であることを特徴とする電子写真装置用帯電ローラなどを提供する。 （もっと読む）

【課題】薄膜中に均一に配置された微粒子を含む薄膜を形成することができる薄膜形成装置を得ること。
【解決手段】基板５を載置して加熱しながら保持する基板ホルダ６と、ガス供給部４７から基板５付近まで原料ガスを導くガス供給管４１ａ，４１ｂと、ガス供給管４１ａ，４１ｂから吹出されるガスからプラズマ４８ａ，４８ｂを生成するプラズマ源４６ａ，４６ｂとを有し、基板５に対してプラズマ処理するプラズマ処理室４ａ，４ｂと、微粒子供給部３４からの微粒子含有媒体を基板５表面に噴出する噴出口３１とを有し、基板５表面に微粒子を配置する微粒子噴出室３と、プラズマ処理室４ａ，４ｂからの原料ガスと、微粒子噴出室３からの微粒子含有媒体と、を収集する排気部８ａ，８ｂと、を備え、基板ホルダ６とプラズマ処理室４ａ，４ｂと微粒子噴出室３とを同一の容器２内に配置する。 （もっと読む）

【課題】非配向結晶粒の成長を抑制し、配向度を高めることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に複数の凹凸を有する下地ダイヤモンド層を基板上に形成し、下地ダイヤモンド層上に金属膜３（又はセラミックス膜）を形成し、下地ダイヤモンド層及び中間層を加熱して、下地ダイヤモンド層の凹部２ｂを金属膜４で覆い、下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部を金属膜４から露出させる。そして、金属膜４の表面から下地ダイヤモンド層の凸部２ａの一部が露出した状態で、その上に高配向ダイヤモンド層５を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高品質で、しかも均質なＣＶＤダイヤモンド膜を効率よく、経済速度で製造する方法を提供する。
【解決手段】一桁ナノダイヤモンド粒子凝膠体を、ビーズミリングを行なって水性コロイドを作成し、水を除いてフレーク状とした後、非水系分散媒に再分散させて一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを製造し、前記一桁ナノダイヤモンド粒子の非水系分散媒中コロイドを、インクジェットプリント原理を利用したパターニング装置を用いて、一桁ナノダイヤモンド粒子が一平方糎当たり２×１０１１以上の密度となるように基板上に種付けしたあと、真空加熱乾燥法又はマイクロ波照射により、非水系分散媒を除去し、続いて、一桁ナノダイヤモンド粒子を種として、ＣＶＤ法により基板上にダイヤモンド膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】搬送室内に配設されたクライオパネルを有する気体溜め込み式真空排気系においてクライオパネルから不純物を除去する再生を行う際に，クライオパネルから放出された不純物が搬送室の内壁に付着することを防止できる気体溜め込み式真空排気系の再生方法及びこれを用いた基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】共通搬送室３００内に不活性ガスを導入しながら排気することで，共通搬送室内の圧力を高めつつ不活性ガスの流れを形成する。この状態でクライオパネル３４２を加熱してクライオパネル３４２から不純物を放出させることにより，その不純物を不活性ガスの粘性流に乗って共通搬送室の外部に排出させる。 （もっと読む）

【課題】高温であっても耐摩耗性を発揮することができる耐摩耗性皮膜およびこれを備えた工具、並びに、高温での耐摩耗性に優れた皮膜を製造するための装置を提供する。
【解決手段】基材上に形成され、金属窒化物とされた表層を備えた耐摩耗性皮膜であって、前記表層上に該表層を皮膜する最表層が設けられ、該最表層が、炭素が固溶された少なくともＬｉとＡｌとを含む複合酸化物であることを特徴とする耐摩耗性皮膜。 （もっと読む）

【課題】Ｎｉ基又はＣｏ基超合金タービン部品の耐酸化性を改良する。
【解決手段】タービン部品の表面に、白金アルミナイドの第１内側層１４と、第１内側層上に設けられたＭＣｒＡｌＸ合金（式中、ＭはＦｅ、Ｎｉ及びＣｏから選択され、Ｘはイットリウム又は他の希土類元素から選択される。）を含む第２外側耐酸化性層１６とを堆積することによって、タービン部品表面に二層保護皮膜１２を成膜する。 （もっと読む）

【課題】搬送室内の汚染を軽減し、メンテナンス頻度の減少を図ることが可能な基板処理システムを提供すること。
【解決手段】被処理基板に対して処理を行う処理チャンバ２２及び２３と、処理チャンバ２２及び２３に接続され、内部が処理チャンバ２２及び２３の処理圧力と適合した圧力に調整可能な搬送室２１と、搬送室２１内に設けられ、被処理基板を処理チャンバ２２及び２３に対して搬入出する搬送機構２６と、搬送室２１内を、この搬送室２１内に処理チャンバ２２及び２３からの放出物が付着しない温度に加熱する加熱機構７１と、搬送室２１内を排気する排気機構５４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を選択的に成長させることにより、ＩＩＩ族窒化物半導体微細柱状結晶の位置および形状を制御する。
【解決手段】微細柱状結晶の製造方法が、基板表面の所定領域に、金属窒化物または金属酸化物からなる表面を有する膜を形成する工程と、前記膜および前記基板表面の境界近傍であって、前記膜の周縁部と前記基板表面とが接する部分を含む領域を成長促進領域として、前記基板表面に成長原料を導き、少なくとも前記成長促進領域上に、ＩＩＩ族窒化物半導体からなる微細柱状結晶を成長させる工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】サファイア基板６１上に第一のＧａＮ層６２を成長させ、つづいて金属Ｔｉ膜６３を形成した後、窒化処理して、微細孔を有するＴｉＮ膜６４を形成する。その後、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６を成長する。金属Ｔｉ膜６３およびＴｉＮ膜６４の作用により、ＨＶＰＥ−ＧａＮ層６６中には空隙部６５が形成される。この空隙部６５の箇所からサファイア基板６１を剥離除去する。 （もっと読む）