【課題】 高耐擦傷性ハードコート層などのような硬度の高い層であっても容易に積層可能であり、かつ高硬度、高耐擦傷性と柔軟性と、を同時に兼ね備えた高耐擦傷性ハードコートフィルムを提供する。
【解決手段】 基材フィルムに、紫外線硬化型樹脂よりなる第１ハードコート層と、有機無機ハイブリッド樹脂よりなるアンカーコート層と、化学蒸着実行時に有機珪素系又は有機アルミニウム系の反応ガスを用いて成膜して得られる高耐擦傷性を有する第２ハードコート層と、を備えた構成を有する高耐擦傷性ハードコートフィルムとした。 （もっと読む）

【課題】電極においてケイ素化合物を採用する固体電解質型二次電池に於いて、陽極に酸化ケイ素さらにゼオライトを含む固体電解質を、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュールを提供する。
【解決手段】正極を二酸化ケイ素とし、負極を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素又は金などとし、正極と負極との間に非水電解質を採用するシリコン二次電池を製造するために、電極リード金属２を基盤１にスパターリングした後、陽極に二酸化ケイ素、陰極に窒化ケイ素を、該基盤に、スパターリングで薄膜を作成し、シリコン化合物粉末にゼオライトを混合して、紫外線(ＵＶ)、又は約１３０℃に加熱し印刷するか、又は大気圧プラズマ化学蒸着法(ＰＥＣＶＤ)を使用して各電極４,６を製膜し、当該電極にゼオライトを混合した固体電解質５をコーティングし、両電極を接合して単位セルを作成する。 （もっと読む）

【課題】固体電解質型二次電池に於いて、高速で且つ安価に製膜するシリカ電極の二次電池モジュール、及び製造方法を提供する。
【解決手段】正極４を酸化ケイ素(シリカ)、負極６を窒化ケイ素、又はホウ化ケイ素などとし、電極にゼオライトを混合した固体電解質をコーティングした後、両電極を貼り合わせることにより、単位電池を迅速に組立製造できる。単位電池を直列に接続してから、シリコンゴム板とカバーを加圧可能なボルトで締めて密封する。 （もっと読む）

【課題】有害な界面層を形成する追加の酸化が生じない、高い誘電率の誘電体を備えたＭＩＭＣＡＰ構造を提供する。
【解決手段】電子デバイスが、第１電極と、チタン酸化物および第１ドーパントイオンを含む誘電体材料層とを含む。誘電体材料層は、第１電極の上に形成される。第１ドーパントイオンは、Ｔｉ^４＋イオンと比べて１０％またはそれ以下のサイズ不整合を有し、誘電体材料は、６５０℃未満の温度でルチル正方結晶構造を有する。電子デバイスは、誘電体材料層の上に形成された第２電極を備える。 （もっと読む）

【課題】加工時間が短く、工具としての寿命が長く、像形成品質が高いパターン形成型及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係るパターン成形型は、被加工材の表面に、凹凸を有するパターンを転写するパターン成形型であって、基材１と、基材１に中間層２、３を介して接合されたＤＬＣパターン層４ｂとで構成され、基材１が、剛性を有する金属、セラミックス、又はガラスであり、中間層２、３が、基材１及びＤＬＣパターン層４ｂとの接合性を提供し、かつ、ＤＬＣパターン層４ｂに比べ、エッチングレートが小さい層であり、ＤＬＣパターン層４ｂに、被加工材の表面に転写するパターンが形成されている。 （もっと読む）

【課題】硬質炭素膜、特に潤滑油中で使用された場合に低摩擦や耐摩耗性等が優れた摺動特性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】基材１表面上に中間層２を介して形成されている硬質炭素膜３であって、前記中間層２は金属層あるいは金属窒化物層、金属炭化物層のいずれか１層または２層以上からなり、かつ前記硬質炭素膜３は１層または２層以上からなり、前記中間層表面が粒平均直径０．１μｍ〜０．５μｍの粒状の凹凸からなり、かつ平均凹凸高さ２ｎｍ〜５ｎｍの微細な凹凸を有する硬質炭素膜。 （もっと読む）

【課題】アンチモン反応物質および酸素ソースを使用して酸化アンチモン薄膜を原子層堆積によって堆積させるプロセスを提供する。
【解決手段】アンチモン反応物質は、ハロゲン化アンチモン、例えばＳｂＣｌ_３、アンチモンアルキルアミン、およびアンチモンアルコキシド、例えばＳｂ（ＯＥｔ）_３を含んでもよい。酸素ソースは、例えばオゾンであってもよい。いくつかの実施形態では、この酸化アンチモン薄膜は、バッチ反応器の中で堆積される。この酸化アンチモン薄膜は、例えば、エッチング停止層または犠牲層としての役割を果たしてもよい。 （もっと読む）

【課題】金属層と、金属層上に形成された窒化金属層とからなるバリアメタル層を形成する際に、金属層の抵抗値が高められることを抑えつつ、窒化金属層を形成することのできるバリメタル層の形成方法、及びバリアメタル層の形成装置を提供する。
【解決手段】マルチチャンバ装置１０は、Ｔｉ層を形成する金属層形成チャンバ１３と、Ｔｉ層上に、該Ｔｉ層を構成するＴｉＣｌ_４と、ＮＨ^＊とを用いてＴｉＮ層を形成する窒化金属層形成チャンバ１４とを備えている。窒化金属層形成チャンバ１４では、ＴｉＮ層が形成される前に、Ｔｉ層の表面が窒化される。 （もっと読む）

【課題】 基材上に高い密着性をもって炭素膜が形成された炭素膜被覆部材及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 炭素膜被覆部材１が、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３が並んで形成され、基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４が形成されている。また、この炭素膜被覆部材の製造方法は、超硬合金の基材２の表面に直径５０μｍ以下の複数の微細穴３を並べて形成する穴形成工程と、該穴形成工程後に基材２の表面に微細穴３を埋めて炭素膜４を形成する炭素膜形成工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】安価な支持体を用いて、低コストかつ高い生産性で、高いガスバリア性能を有するガスバリアフィルムなど、高性能な機能性フィルムを提供する。
【解決手段】塗布による有機層と、気相堆積法による無機層とを積層してなる機能性フィルムにおいて、有機層のガラス転移温度が１００℃以上、厚さが０．０５〜３μｍであり、かつ、この有機層を、塗料を５ｃｃ／ｍ²以上の塗布量で塗布して、減率乾燥状態での粘度が２０ｃＰ以上、表面張力が３４ｄｙｎ／ｃｍ以下となるようにして形成し、この有機層の表面に、プラズマの生成を伴う気相成膜法によって無機層を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】樹脂基材と硬化塗膜層、硬化塗膜層と無機物質層の双方の付着性に優れ、しかも耐候性、耐擦傷性に非常に優れた積層体及び積層体の製造方法を提供すること。
【解決手段】樹脂基材に、活性エネルギー線硬化型プライマー組成物による硬化塗膜層（Ｉ）、及び無機物質層（ＩＩ）が順次積層されてなる積層体であって、
該活性エネルギー線硬化型プライマー組成物が、
有機物変性シリカ粒子（Ａ）、
重合性不飽和化合物（Ｂ）、及び
光重合開始剤（Ｃ）、を含有するものであり、
該無機物質層（ＩＩ）が乾式成膜工法によって形成されたものであることを特徴とする積層体及び積層体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】概ね１２５０℃未満が成長温度の限界である一般に市販されているＭＯＣＶＤ装置を用いて、低コストで品質の高い優れたＡｌＮ層を製造する。
【解決手段】ＡｌＮ層の製造方法において、ｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板をＡｌＮ成長に先んじてＡｌＮ成長を行う１０００℃以上１２００℃以下の成長温度にまで昇温する第１ステップと、第１ステップにより１０００℃以上１２００℃以下で加熱されているｃ面Ａｌ_２Ｏ_３基板上に、１０００℃以上１２００℃以下の成長温度でＡｌＮ層を成長する第２ステップと、第２ステップで形成したＡｌＮ層を、Ｈ_２またはＮ_２またはそれらが混入されたキャリアガス中、または該キャリアガスにＮＨ_３が混入されたプロセスガス中で１０００℃以上１２５０℃未満の温度でアニールする第３ステップと、第３ステップでアニールされたＡｌＮ層上に１０００℃以上１２５０℃未満の成長温度でＡｌＮ層を成長する第４ステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】原料コストを抑制しつつ、磁場中の臨界電流特性をさらに向上する。
【解決手段】１層あたりの熱容量が０．４Ｊ／ｈ以上２．０Ｊ／ｈ以下となるように、長尺状の基材１１を加熱する加熱工程と、ＣＶＤ法を用いて加熱状態の基材１１上に酸化物超電導体を成膜する成膜工程と、基材１１を冷却する冷却工程とを順に繰り返して、多層膜の超電導層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又は湿式溶液プロセスを用いた金属カルコゲニドの合成を開示する。
【解決手段】オルガノシリルテルル又はオルガノシリルセレンの、求核性置換基を有する一連の金属化合物とのリガンド交換反応により、金属カルコゲニドが生成される。この化学的性質を用いて、相変化メモリデバイス及び光電池デバイスのためのゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧｅＳｂＴｅ）膜及びゲルマニウム−アンチモン−セレン（ＧｅＳｂＳｅ）膜又はその他のテルル及びセレンをベースとする化合物を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】構造が簡素でかつ低コストの白色発光素子を提供する。
【解決手段】基板はＳｉ（１００）もしくはＧａＡｓ（１００）面を使用し、その上に水素化窒化炭素薄膜をスパッタ装置およびプラズマＣＶＤ装置によって２層もしくは多層成長し、膜厚増加方向に窒素含有量が増加するように成長させる。窒素含有量が増加するとバンドギャップが広がるので、バンドギャップの狭い下部の水素化窒化炭素からも吸収することなく白色発光を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いて低真空下での良好な非晶質炭素膜の成膜を可能とする成膜方法、および、該成膜方法で得られる非晶質炭素膜を提供する。
【解決手段】バイポーラ型のＰＢＩＩ装置用電源を用いた低真空下（１０００〜３００００Ｐａ程度）での非晶質炭素膜の成膜方法であって、チャンバー１内に、ＰＢＩＩ装置用電源６に接続される電源側電極３と、電極３と対向するアース側電極４とを設け、電源側電極３およびアース側電極４のいずれか一方に基材２を配置し、基材２と、基材２を配置しない電極との間において、希ガスと炭化水素系ガスのプラズマを発生させて、基材２の表面に非晶質炭素膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、真空槽１０と被処理物としての各基板１８，１８，…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Ｗｐが供給される。このとき、各基板１８，１８，…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽１０を陽極とし、各基板１８，１８，…を陰極として、これらに直流電力Ｗａが供給される。これによって、各基板１８，１８，…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Ｖａは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブの形成方法及び熱拡散装置に関し、カーボンナノチューブの直径の制御性を高め且つ成長密度を高める。
【解決手段】 基板表面に平均周期が２０ｎｍ〜１００ｎｍの微細な凹凸を有する凹凸形成層を形成し、前記凹凸形成層の表面上に前記凹凸の形状に沿った形状を有する酸素含有皮膜を形成し、前記酸素含有皮膜上に触媒金属層を形成したのち、熱処理を行うことによって前記触媒金属層を溶融して孤立した複数の触媒微粒子にし、炭素含有ガスを利用した化学気相成長法により、前記触媒微粒子上にカーボンナノチューブを成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）