【課題】処理空間内の圧力を高めることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】処理容器２内に、基板であるウエハＷの載置領域を備えた載置台３と、この載置台３と対向する天板部材４とを設け、載置台３を昇降機構５により天板部材４側へ上昇させて、載置台３と天板部材４との間で処理空間Ｓを形成する。載置台３における載置領域の外側領域と天板部材４との少なくとも一方には突起部４３が設けられ、前記処理空間Ｓの形成時にその先端が他方に接触することにより、前記外側領域と天板部材４との間の離間距離が規制され、前記載置領域を囲むように排気用の１ｍｍ未満の隙間４０が形成される。隙間４０が狭小であることから、処理空間Ｓ内に反応ガスを封じ込めることができ、処理空間内の圧力が高められる。 （もっと読む）

【課題】大気圧センサ４１が誤動作した場合にも処理室２０４外の大気が処理室２０４内に逆流することを抑制することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、前記処理室内の圧力を検出する圧力センサと、前記処理室内の圧力が前記処理室外の大気圧と同圧になると、大気圧検出信号を出力する大気圧センサと、前記処理室内を前記処理室外の大気と連通する大気排気管と、前記大気排気管に設けられた排気バルブと、前記大気圧センサが前記大気圧検出信号を出力し、かつ、前記圧力センサの検出値が所定値以上となった場合に、前記排気バルブを開けて前記処理室内を前記処理室外と連通させる制御部とから、基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、炭化珪素に含まれる炭素成分及び珪素成分を精度よく除去可能な炭化珪素除去装置、及び炭化珪素の除去方法を提供することを課題とする。
【解決手段】炭化珪素が付着した炭化珪素形成装置の部材を収容する処理チャンバー内に、プラズマ化させたフッ素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる珪素成分を除去する第１のステップと、処理チャンバー内に、プラズマ化させた酸素含有ガスを供給することで、炭化珪素に含まれる炭素成分を除去する第２のステップと、を含み、第１のステップと、第２のステップと、を交互に行なう。 （もっと読む）

【課題】
プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、プラズマ励起周波数のＶＨＦ化、プラズマ励起電力の増大化及び使用電源の複数化等に伴う問題として、インピーダンス整合の調整不適合及び電力電送線路の破損等が注目されている。これは製品の歩留まり及び生産設備の稼働率を左右する問題であり、早期の解決が求められている。
【解決手段】
インピーダンスの整合器と放電電極の給電点の間に３端子サーキュレータを配置し、この３端子サーキュレータを介して前記給電点に電力を供給するとともに、前記放電電極からの反射波を前記３端子サーキュレータに接続された無反射終端器で消費させるようにしたことを特徴とするプラズマ表面処理方法及びその装置。 （もっと読む）

【課題】反応律速領域で成膜反応を起こさせることによって，アスペクト比が大きなコンタクトホールであっても，より薄くてカバレッジの良好なチタン膜を成膜し，コンタクトホールの抵抗を低減する。
【解決手段】 基板Ｗを載置するサセプタ１１２と，処理ガスを処理室１１１内に供給するシャワーヘッド１２０と，プラズマを生成するための高周波を所定のパワーでシャワーヘッドに供給する高周波電源１４３と，処理室内を排気して所定の圧力に減圧する排気装置１５２と，チタン膜の成膜処理に適用しようとする成膜ガスの流量が，成膜処理の反応律速領域に入るように，還元ガスの流量，処理室内の圧力，高周波パワーのいずれかを変えることによって，前記反応律速領域を制御する制御部１９０とを設けた。 （もっと読む）

【課題】真空チャンバ内で複数枚の基板を同時に成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置において、基板配置部材上に配置される複数枚の基板について、基板品質を向上させる。
【解決手段】基板配置部材上に配置される複数枚の基板の２次元画像を取得し、この２次元画像を用いて、異なる波長の反射光強度によって各基板上の膜厚情報を取得し、この膜厚情報をフィードバックして成膜することによって、膜厚分布を均一化し、平均膜厚の再現性を良好なものとし、２次元画像の反射光強度の二次元分布によって基板上に付着するパーティクルによる基板上の配置位置情報を取得し、この配置位置情報をフィードバックして基板の配置位置を制御することによって、パーティクルによる不良基板の発生を低減する。 （もっと読む）

【課題】高い精度での位置出しが可能であり、チャンバーを大気開放する必要がなく、内部部材の位置調整時間を短縮でき、チャンバー内への汚染の持ち込みを抑制することが可能なエピタキシャル成長装置の内部部材の位置調整方法を提供する。
【解決手段】クランプリング１４の上面に光学センサ２９を取り付けたセンサ取付け用リング２８を設け、光学センサ２９によりベースプレート２７を基準高さとしてサセプタ１６とこのサセプタ１６の周囲に設けられたプレヒートリング１８の位置関係を検出し、、検出毎に光学センサの取付け位置を移動して複数回繰返す。検出した複数の位置関係からサセプタ１６の水平面に対する傾き度と、サセプタ１６のプレヒートリング１８に対する高さバラツキを算出する。算出結果に基づいて台座位置を調整してサセプタ１６の傾き度又は高さバラツキの少なくとも１つを上側ドーム１２をクランプリング１４に固定した状態で是正する。 （もっと読む）

【課題】炉本体と処理容器との間の空間内の圧力を検知する圧力検知センサを簡単な構造で設置する。
【解決手段】縦型熱処理装置１は、ヒータエレメント１８を有する炉本体５と、炉本体５内に配置され、被処理体ｗを収容して熱処理するための処理容器３を備えている。炉本体５に空気供給ライン５２と空気排気ライン６２とが接続され、空気供給ライン５２に空気供給ブロア５３および空気供給ライン側弁機構５４Ａが配置され、空気排気ライン６２に空気排気ブロア６３および空気排気ライン側弁機構６４Ａが配置されている。炉本体５を貫通して温度センサ信号ライン８３が収納された保護管５０ａが設けられ、保護管５０ａに圧力検知孔８５が形成されている。この圧力検知孔８５に圧力検知センサ８０が接続されている。 （もっと読む）

【課題】測定機器の基準値の補正量を外部で確認することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部１２０の出力部１２２は、ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２にＯＮ／ＯＦＦ信号を出力する。ＭＦＣ８４及び圧力センサ１１２は、例えば、出力部１２２からＯＮ信号を入力した場合に、それぞれが備える基準値補正機能による基準値補正を実行し、出力部１２２からＯＦＦ信号を入力した場合に、基準値補正機能による基準値補正を解除する。制御部１２０の算出部１２８は基準値補正前後の出力電圧から補正量を算出し、制御部１２０はこの補正量を表示部１３２に表示させる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】少なくともウエハを処理するためにプラズマを生成するプラズマ処理システムが開示されている。プラズマ処理システムは、プラズマの少なくとも一部を維持するための電流を伝導するコイルを備える。プラズマ処理システムは、さらに、位相角を測定することなく供給電流の量を測定して供給電流の電流量測定値を提供するためにコイルに接続されたセンサを備える。供給電流は、上記の電流、または、（例えば、上記の電流を含む）複数の電流を提供するために用いられる全電流である。プラズマ処理システムは、さらに、位相角測定値に関連する情報を用いることなく、電流量測定値および／または電流量測定値を用いて得られた情報を用いてコマンドを生成し、供給電流の量および／または全電流の量を制御するためのコマンドを提供するために、センサに接続された制御器を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、温度状態の管理をより正確に行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器と、前記処理容器の内部を所定の圧力まで減圧する減圧部と、前記処理容器の内部に設けられた被処理物を載置する載置部と、内部にプラズマを発生させる領域を有し、前記処理容器から離隔された位置に設けられた放電管と、マイクロ波発生部から放射されたマイクロ波を伝播させて、前記プラズマを発生させる領域にマイクロ波を導入する導入導波管と、前記プラズマを発生させる領域にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記放電管と、前記処理容器と、を連通させる輸送管と、前記放電管の温度を検出する第１の温度検出部と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の不純物による汚染を防止するために基板の搬送環境を整える。
【解決手段】基板を予備室１から搬送室３を介して処理室２に搬送する工程と、処理室内で基板を処理する工程と、処理済基板を処理室２から搬送室３を介して予備室１に搬送する工程とを有し、基板を搬送する各工程では、基板の存在する室に連通する室の全てに対して、不活性ガスを供給しつつそれぞれの室に接続された排気系の全てより真空ポンプを用いて排気する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、成膜炉内のパーティクル数を抑制できる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜炉内に基板を配置し該基板上に成膜を行う成膜装置であって、該成膜炉と、該成膜炉に接続されたパージガス導入管と、該成膜炉に接続されたパージガス排気管と、該成膜炉内のパーティクル数を測定する測定手段と、該測定手段により測定されたパーティクル数が多いほど、該成膜前に該パージガス導入管から該成膜炉へ導入するパージガスの量を増加させる手段とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマの消費電力の経時変化を小さくし、プラズマ処理を安定化する。
【解決手段】プラズマ源の電源系６１は測定装置２２と制御装置２３と交流電源２４を有している。測定装置２２はアンテナ１２の電圧を測定し、測定結果を測定値として出力する。制御装置２３には、交流電源２４の出力電力の値と、アンテナ１２の電圧であるアンテナ電圧の値とから、プラズマの消費電力の変動量を求め、変動量が小さくなるような出力電力の修正値を求め、その修正値を交流電源２４から出力させる。アンテナ１２の電圧測定と、修正値の算出を繰り返しおこなうと、プラズマの消費電力が一定値になる。 （もっと読む）

【課題】 真空成膜装置によりコーティング膜上に無機膜を成膜する際に、無機膜の割れ／抜け等の欠陥を引き起こすコーティング膜の平滑性悪化を防止し、生産性の高い機能性フィルムの製造方法、及び製造装置を提供する。
【解決手段】
フィルムロール４０から連続的に支持体Ｂを送り出し、支持体Ｂ上にコーティング膜を成膜し、支持体Ｂをフィルムロール４２に巻き取る。次いで、フィルムロール４２を真空成膜装置２２の供給室５０にセットし、常圧から１００Ｐａまでの減圧時間が７分以上となる減圧速度で減圧し、さらに所定の真空度まで減圧する。フィルムロール４２から支持体Ｂを、供給室５０の減圧速度より速い減圧速度で所定の真空度まで減圧された真空成膜装置２２の成膜室５２に供給し、コーティング膜上に無機膜を成膜し、無機膜が成膜された支持体Ｂを、真空成膜装置２２の巻取り室５４でフィルムロール４８に巻き取る。 （もっと読む）

【課題】平滑で高品質のＣＶＤ−Ｃｕ膜を下地に対して高い密着性をもって成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】チャンバー１内にＣＶＤ−Ｒｕ膜を有するウエハＷを収容し、チャンバー１内に、成膜中に発生する副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧がその蒸気圧よりも低いＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳからなる成膜原料を気相状態で導入して、Ｒｕ膜上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、チャンバー１の壁部の温度を、副生成物であるＣｕ（ｈｆａｃ）_２の蒸気圧が成膜処理時のチャンバー１内の圧力と等しくなる温度以上で成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの分解温度未満に制御する。 （もっと読む）

【課題】薄膜の厚さや特性が均一になるように薄膜を形成し、さらに、薄膜の形成を効率よく行う。
【解決手段】成膜容器内に有機金属ガスを導入して、基板上に有機金属の成分を吸着させる。次に、成膜容器内に酸化ガスまたは窒化ガスを導入してプラズマを発生させ、基板に積層した有機金属の成分を酸化または窒化させる。プラズマを発生させたとき、基板上で発光する光の所定の波長の発光強度を、成膜容器に設けられた観測窓を介して検出する。検出した発発光強度が所定値以下になるとき、プラズマの発生を停止する。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 基板載置台への基板の異常載置状態を早期に発見できる方法を提供する。
【解決手段】 基板処理装置においてヒーターを有する基板載置台に基板を載置して加熱しながら処理を行う際に、１枚の基板を処理する間の全体もしくは一部分の時間において、ヒーターへの供給電力、供給電流もしくは供給電圧または基板載置台の計測温度について、最大値および最小値もしくは積算値を算出し、検出された最大値および最小値もしくは積算値をもとに基板の異常載置状態を検知する。 （もっと読む）