説明

Fターム[4K030HA15]の内容

CVD (106,390) | 被覆処理 (2,086) | 検出、測定、制御を行うもの (535) | 検出、測定、制御の対象 (383) | 原料ガスが対象となるもの (64)

Fターム[4K030HA15]に分類される特許

1 - 20 / 64


【課題】流量制御機器の流量精度を常時監視しつつ、必要な場合には、再検定又は流量監視ユニット自体の自己診断を含む、より信頼性の高い流量検定を行う。
【解決手段】ガスを流量制御機器を経由してから所定のプロセスチャンバに供給する複数のプロセスガスラインに配設し、流量制御機器の前後におけるガス圧の下降又は上昇を測定することで流量制御機器の流量監視を行うガス流量監視システムにおいて、プロセスガスラインの内、選択した任意のプロセスガスラインの流量制御機器の上流側流路に備える第1流量監視ユニットと、プロセスチャンバの上流側流路から分岐する排出流路に備える第2流量監視ユニットと、第1流量監視ユニットによって流量制御機器の流量を常時監視するとともに、第1流量監視ユニットが複数回流量異常と検知した時に第2流量監視ユニットによって流量制御機器の流量異常の有無を再検定するよう指令する制御部とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造チャンバーにおける複数のガス供給口に対し、等しい濃度比の成分ガスからなる材料ガスを、それぞれ異なる流量に制御して供給する。
【解決手段】各ガス供給口Cにそれぞれ接続される複数のガス供給装置10を具備し、前記各ガス供給装置10が、各種のガスが個別に流れる複数の成分ガス供給管1と、各成分ガス供給管1を流れるガスの流量をそれぞれ制御する流量制御機構4と、各成分ガス供給管1を束ねる材料ガス供給管2とを具備しており、前記流量制御機構4が、各成分ガス供給管1にそれぞれ上流側から順に設けられた流量制御弁V、個別圧力センサP及び流体抵抗素子Rと、前記材料ガス供給管2に設けられた共通圧力センサPCと、各成分ガス供給管1を流れるガス流量を、個別圧力センサPで測定した圧力及び前記共通圧力センサPCで測定した圧力から算出し、この算出ガス流量に基づいて流量制御弁Vを制御する制御部41とを具備する。 (もっと読む)


【課題】原料ガス中の酸素を効果的に除去することで、酸素濃度の少ないエピタキシャル膜を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】気相成長装置10は、原料ガスを供給する原料ガス供給部3と、原料ガス供給部と接続され、原料ガスを用いて基板に成膜するための反応室2と、酸素除去手段1とを有している。酸素除去手段1は、原料ガス供給部3と反応室2の少なくともいずれか一方に設けられ、固体電解質6を用いて原料ガスから酸素を除去する。 (もっと読む)


【課題】III−V族化合物の膜の堆積のために使用される固体有機金属化合物前駆体を連続して均一に供給するガス送達システムを提供する
【解決手段】方法は、固体前駆体化合物を収容する送達装置102にキャリアガスの第1の流れ202を移送することを含む。キャリアガスの第1の流れ202は20℃以上の温度である。この方法は、送達装置102の下流の位置にキャリアガスの第2の流れ204を移送することをさらに含む。第1の流れ202および第2の流れ204は一緒にされて第3の流れ206を形成し、この第3の流れ206における固体前駆体化合物の蒸気の露点は周囲温度より低い。第1の流れ202のフロー方向、第2の流れ204のフロー方向および第3の流れ206のフロー方向は一方向性であり、かつ互いに対向していない。 (もっと読む)


【課題】パルス化された質量流量の前駆気体(precursor gases)を半導体処理チャンバの中へ搬送するシステム及び方法を提供する。
【解決手段】搬送チャンバ12と、チャンバ12の中への質量流量を制御する第1の弁14と、チャンバ12からの質量流量を制御する第2の弁とを含み、実際に、プロセス・チャンバの中へ流れ込む物質の量(質量)を測定する。チャンバ12内部の圧力の測定値を提供する圧力トランスデューサ18と、チャンバ12の表面上又は内部の温度の測定値を提供する温度センサ20とを有する。入力装置22は、所望の質量流量を受け取り、コンピュータ・コントローラ24が、圧力トランスデューサ18と温度センサ20と弁14及び16と入力装置22とに接続され、出力装置26は、コントローラ24に接続されており、システム10によって搬送される質量に関する指示。 (もっと読む)


【課題】珪素水素化物ガスを使用する装置に不純物が混入していない珪素水素化物ガスを確実に供給することができる珪素水素化物ガスの供給方法を提供する。
【解決手段】珪素水素化物ガス使用装置に供給する珪素水素化物ガス、例えばモノシラン中の酸素含有化合物、例えばジシロキサンの濃度を測定し、測定した酸素含有化合物の濃度があらかじめ設定された濃度を下回ったときに珪素水素化物ガス使用装置への珪素水素化物ガスを開始する。 (もっと読む)


【課題】 シリコン膜の結晶成長の速度を速くする技術を提供する。
【解決手段】 気相成長装置10は、気相成長室36と、加熱室8と、混合室38と、トリクロロシランガスを貯蔵する第1貯蔵庫42と、塩酸ガスと反応するシラン系ガスを貯蔵する第2貯蔵庫40を備えている。加熱室8は、第1貯蔵庫42と混合室38に連通しており、トリクロロシランガスを加熱した後に混合室38に供給している。混合室38は、第2貯蔵庫40と気相成長室36に連通しており、加熱室8から供給されたガスとシラン系ガスを混合させて、その混合ガス34を気相成長室36に供給している。加熱室8の室内温度は、混合室38の室内温度よりも高い。 (もっと読む)


【課題】一定量のシリコン原料ガスをシリコンエピタキシャル成長装置の反応室に供給できるシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム及びシリコンエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料混合ガス集中供給装置1で生成した原料混合ガス中のシリコン原料ガスの濃度値を常時測定する複数の濃度値測定装置18a,18bと、前記濃度値、又は前記濃度値から計算された補正値を各シリコンエピタキシャル成長装置11,12,13にデジタル信号で伝達する伝達手段17と、前記濃度値若しくは前記補正値に基づいて、各シリコンエピタキシャル成長装置11,12,13内の反応室11c,12c,13cに供給する前記原料混合ガスの量を随時補正する流量制御装置14,15,16と、を具備するシリコンエピタキシャルウエーハ製造システム10とする。 (もっと読む)


【課題】GaN系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板215を保持し、加熱および回転させるサセプタ216と、複数のチャネルを含み、基板の上面に沿って平行な方向に流れる材料ガス流を供給するノズル213と、複数のガス供給系統180と、該ガス供給系統のいずれの一系統にもガスの供給または停止を制御する開閉弁を有して材料ガスを前記複数のチャネルへ供給するマニホールド211と、開閉弁駆動制御部300と、を含む気相成長装置において、開閉弁駆動制御部300は、各ガス系統毎にガスを時間的に分割して、かつ、該ガスを時間的に途切れなく複数のチャネルの各々に対して分散して、供給することで複数のチャネルの各々の材料ガスの流れを連続的とするように開閉弁を駆動制御する。 (もっと読む)


【課題】原料ガスとしてシランガス、アンモニアガス、水素ガスおよび/または窒素ガスを用い、容量結合型のプラズマCVDによって、可撓性に優れ、かつ、良好なガスバリア性を長期に渡って発現するガスバリアフィルムの製造方法を提供する。
【解決手段】シランガス流量Q、プラズマ生成PとしたP/Qが10[W/sccm]未満、成膜圧力が20〜200Paで、基板温度を70℃以下として、前記基板に−100V以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム100に用いられるものであって、前記導出管12上に設けられる第1バルブ23と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部CSと、前記濃度測定部CSで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第1バルブ23の開度を制御する濃度制御部CCと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器41と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部42とを備えた。 (もっと読む)


【課題】 プラズマと反応剤を十分に混合させて、電極に反応剤を堆積させないようにできるプラズマシステムを提供する。
【解決手段】 プラズマシステムであって、プラズマキャビティと注入装置200を含む。プラズマキャビティは、プラズマを発生するために、第1の電極と第2の電極を含む。注入装置は、プラズマ注入管210と少なくとも一つの反応剤注入管220を含む。プラズマ注入管はプラズマキャビティに接続される。プラズマ注入管は注入口H1、排出口H2、外部側壁S2を含む。プラズマ注入管は、注入口からプラズマを取り込み、排出口から出力する。外部側壁は注入口から排出口に向かって徐々に断面幅が小さくなる。反応剤注入管は、外部側壁の外側に配置される。反応剤注入管は、外部側壁へ反応剤を注入し、反応剤が外壁に沿って排出口に向かって流れ、プラズマと排出口で混合されるようにする。 (もっと読む)


【課題】ウェーハ不純物のエピタキシャル層へのオートドーピングを抑え、特性のばらつきを生じることなく、信頼性の高い、良好な特性を有する半導体ウェーハ、半導体装置を形成することが可能な半導体製造方法を提供する。
【解決手段】反応室内でウェーハを保持し、反応室内を、所定の圧力に制御し、ウェーハを加熱し、回転させながら、上方からウェーハ上にプロセスガスを整流して供給し、余剰なプロセスガスおよびプロセスガスより生成された反応副生成物を含むウェーハ上の排ガスを、ウェーハの端部上の主流速が0.7〜2.0m/secとなるように制御して、ウェーハ上より外周方向に排出し、ウェーハ上にエピタキシャル層を形成する。 (もっと読む)


【課題】金属含有材料の薄膜を形成するために使用される2成分以上の組成物であり、有効成分として少なくとも1種類の金属化合物及びこれ以外の化合物を含有してなる薄膜材料組成物の有効成分の一部又は全部の成分を測定する方法を提供する。
【解決手段】近赤外分光法によるスペクトル吸収を使用する成分測定方法を用いる。 (もっと読む)


本発明は、ガス噴射装置及び該ガス噴射装置を採用した基板処理装置に関する。本発明に係るガス噴射装置は、チャンバーの内部に回転自在に設けられて複数の基板を支持する基板支持部の上部に設けられ、基板支持部の中心点を基準として円周方向に沿って配設されて基板に工程ガスを吹き付ける複数のガス噴射ユニットを備えるものであって、複数のガス噴射ユニットのうちの少なくとも一つのガス噴射ユニットは、工程ガスが導入される導入口が形成されているトッププレートと、トッププレートとの間に基板支持部の半径方向に沿ってガス拡散空間を形成するように、トッププレートの下部に配設され、導入口を介して流入して前記ガス拡散空間に拡散された工程ガスが基板に向かって吹き付けられるように、ガス拡散空間の下側に多数のガス噴射孔が形成されている噴射プレートと、ガス拡散空間を基板支持部の半径方向に沿って互いに隔離された複数の空間に仕切るように、トッププレートと噴射プレートとの間に設けられる隔壁と、を備え、隔離された空間ごとに前記工程ガスが独立して流入するように、導入口は複数設けられて隔離された空間ごとに配設されるところに特徴がある。
(もっと読む)


【課題】成膜装置の状態を個別に認識した上で、プロセスガス中の特定ガスの分圧について測定値が閾値を上回っているか下回っているかを個別に認識することが可能なプロセスモニタ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプロセスモニタ装置1は、バルブにより仕切られたチャンバを有する成膜装置50に接続して使用され、前記成膜装置に接続されたガス分析手段30を制御するコンピュータ10には、予め、プロセスガス中の特定ガスの分圧について、バルブが開いた第一状態における警告閾値と、バルブが閉じた第二状態における異常閾値とが、それぞれ設定されており、前記コンピュータは、前記ガス分析手段により検出された特定ガスの分圧を監視し、該分圧が、信号送信手段20により送信された前記チャンバの状態に応じた警告閾値又は異常閾値を超えた場合に、警告信号又は異常信号を前記成膜装置に送信すること、を特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第1酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第1の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第1酸化源とは異なる第2酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第1の高誘電率絶縁膜上に第2の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマCVD装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置10によれば、接地電位に接続された真空槽12の内壁が陽極とされ、被処理物16が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Epが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたCVD法によって、被処理物16の表面にDLC膜が生成される。ただし、DLC膜が陽極としての真空槽12の内壁に付着することで、当該真空槽12の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽12の内壁に代わって、アノード電極40が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽12内に磁界Eが印加されることで、プラズマ密度が増大し、DLC膜の成膜レートが向上する。 (もっと読む)


【課題】超硬合金母材との密着性に秀れ、しかも、高硬度で非鉄系高硬度被削材に対して十分な耐摩耗性を有し、切削工具の工具寿命を大幅に延長することができる極めて実用性に秀れた切削工具用ダイヤモンド皮膜の提供。
【解決手段】基材上に形成される切削工具用ダイヤモンド皮膜であって、0.3μm以上3μm以下の平均結晶粒径を有する第一皮膜層と該第一皮膜層より平均結晶粒径が大きい第二皮膜層とが交互に各1層以上積層して成る多層皮膜層を少なくとも1層以上含み、前記基材直上に1μm以上10μm以下の膜厚で前記第一皮膜層が形成されている切削工具用ダイヤモンド皮膜。 (もっと読む)


【課題】結晶粒径が大きく、均一な結晶性半導体膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜上に接して結晶性半導体膜を形成する第1の工程と、前記第1の工程よりも核生成頻度が低い条件により結晶性半導体膜を成長させる第2の工程と、により結晶性半導体膜を作製する。第2の工程は、第1の工程よりも半導体材料ガスの流量比が小さい条件で行う。これにより、結晶粒径が大きく、均一性の高い結晶性半導体膜を得ることができ、結晶性半導体膜の下地膜に対するプラズマダメージを従来よりも低減することができる。 (もっと読む)


1 - 20 / 64