【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ支持部の面内の温度分布を適切にする処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は、処理室１０と、該処理室内に設けられたウェーハＷの支持部２２と、該支持部を加熱するヒータｈと、前記支持部に対向して設けられ、前記処理室に通じる複数のガス吹出孔１４を有するシャワープレート１２と、を備え、該シャワープレートにおける前記支持部に対向する表面は、前記支持部側からの輻射熱に対する反射率が相対的に異なる複数の領域を含む。 （もっと読む）

【課題】一度に処理できる基板の枚数を増加させたコールドウォール型の基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理炉２０２内に複数のウエハ２００を積載したボート２１７を配置し、該ボート２１７の外周側に、リング状に形成されたリング状プレート３１１をリングボート３１２により支持して、前記ウエハ２００の積載方向に複数並べて配置する。前記リング状プレート３１１を誘導加熱装置２０６で誘導加熱し、その輻射熱により前記ウエハ２００を外周縁全体から加熱する。前記リング状プレート３１１の外周側にガス供給ノズル２３２を配置し、該ガス供給ノズル２３２のガス供給口２３２ａから吐出されたガスを、隣り合う複数の前記リング状プレート３１１の間の隙間部分を通して前記ウエハ２００に供給する。 （もっと読む）

【課題】高温でも耐酸化性や摩擦摺動特性等に優れる被覆部材を提供する。
【解決手段】
本発明の被覆部材は、基材と、この基材の少なくとも一部を被覆しＳｉ、Ｈおよび残部であるＣからなる非晶質炭素膜（ＤＬＣ−Ｓｉ膜）とを有する被覆部材であって、その非晶質炭素膜は、表面近傍のＳｉ濃度が基材との界面近傍のＳｉ濃度よりも高いことを特徴とする。本発明に係る非晶質炭素膜は、表面近傍でのＳｉ濃度が高いことにより高温域でも硬質性が保持されると共に、基材との界面近傍でのＳｉ濃度が低いので、適度な靱性を有して高温域でも高い密着性を発現する。これらが相乗的に作用して、本発明の被覆部材は安定した耐熱性を発現する。本発明に係るＤＬＣ−Ｓｉ膜は、表面側のＳｉ濃度が８〜３０原子％であり、基材側のＳｉ濃度が漸増する傾斜組成であると好適である。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層が高速重切削加工ですぐれた耐剥離性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】工具基体の表面に、（ａ）下部層としてＴｉ化合物層、（ｂ）中間層としてα型Ａｌ_２Ｏ_３層、（ｃ）上部層として、平板多角形状かつたて長形状の結晶粒組織構造を有するＺｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層を蒸着形成した表面被覆切削工具において、逃げ面および切刃部の中間層及び上部層は、それぞれ、（０００１）面配向率の高いα型Ａｌ_２Ｏ_３層、Ｚｒ含有α型Ａｌ_２Ｏ_３層からなり、また、逃げ面および切刃部の上部層の結晶粒の内、面積比率で６０％以上の結晶粒の内部は、少なくとも一つ以上のΣ３で表される構成原子共有格子点形態からなる結晶格子界面により分断されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、中温化学蒸着処理を用いて基体をコーティングする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、１つ以上の基体を反応室において反応温度まで加熱し、約１〜３０％のハロゲン化水素と所定量の炭素窒素源、金属ハロゲン化合物、Ｈ₂、及び任意のＮ₂とから構成される蒸着処理気体を反応室に導入して、この１つ以上の基体の表面上に浸炭窒化物含有コーティング層を蒸着する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする方法を含む。また、本発明は、蒸着処理気体を反応室に導入する間、反応室における温度勾配を維持する中温化学蒸着処理によって、少なくとも１つの基体を浸炭窒化物含有コーティングでコーティングする実施の形態も含む。 （もっと読む）

【課題】大型基板上に堆積されるオルガノ珪酸塩膜の厚さ均一性を制御する方法を提供する。
【解決手段】ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、急速加熱処理などにより、処理チャンバ内に大型基板を提供するステップと、前記大型基板の表面周囲領域と前記周囲領域の内側表面領域とを含むように、前記大型基板上の識別可能な少なくとも２か所の温度を制御するステップと、前記大型基板の表面周囲領域の温度を、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約１０℃低い温度から、前記周囲領域の内側表面領域の温度より約２０℃高い温度までの範囲内に維持するステップと、オルガノ珪酸塩膜を堆積するステップを備え、堆積された前記オルガノ珪酸塩膜は約１０％以下の膜均一性を提供する方法。 （もっと読む）

【課題】液晶や太陽電池などの製造において、プラズマＣＶＤ装置の大面積化の要求のため、大面積の領域に均一なプラズマを発生させて、高周波電極の隅部での膜厚増加を抑え、プラズマの成膜領域の全面積で均一な成膜厚を実現する。
【解決手段】大面積基板に成膜を行うプラズマＣＶＤ装置であって、真空容器１内に被成膜処理を行う基板６を戴置する基板電極４と、これに対向する高周波電極５と、高周波電極５に高周波電力を供給する高周波電力部２と、真空容器１内に成膜ガスを供給するガス供給部３と、高周波電極５を囲むように設けられたシールド電極１０と、高周波電極５の隅部を覆うように、基板電極４に対向して設けられたコーナープレート１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】ガスを処理室内にある複数の基板の主面全体にわたって均一に接触させ、成膜均一性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】インナチューブ２内に設置され、供給量の多い処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ａの水平方向の角度を、基板を複数搭載したボートの回転動作と同期させて、変動させる。また、インナチューブ２内に設置され、供給量の少ない処理ガスを導入する処理ガス導入ノズル２２ｂの水平方向の角度は、基板の中心付近に向けて固定しておく。 （もっと読む）

【課題】基板面内で非対称な結晶特性を持っている基板に対して、エピタキシャル薄膜の面内分布を打ち消すことが可能な温度分布を得ることができる気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置１１０は、（ａ）非対称なオフ角度分布を有する基板１１１の主面上にエピタキシャル薄膜を形成する気相成長装置であって、（ｂ）基板１１１のオフ角度分布に合わせて非対称な溝パターンで溝加工が表面に施されており、溝加工が施された表面を基板１１１の主面の裏側に対向するようにして配置される均熱板１１４と、（ｃ）基板１１１の主面を下にした状態で周回部分に基板１１１が配置されて、基板１１１と均熱板１１４とを一緒に周方向に回転させるサセプタ１１２と、（ｄ）均熱板１１４を通して基板１１１を加熱して、基板面内で非対称な温度分布を生み出すヒータ１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ドーパント原料、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板１１上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を５０℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】基板の膜厚制御性能を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】ガス流入口２０Ｂの上流側で、ガス流の幅方向に独立してガス流量を制御可能な複数の部分制御範囲（ＬＬゾーン、ＬＲゾーン、Ｒゾーン）が構成されており、各部分制御範囲におけるガス流量を制御する制御装置６６を備え、制御装置６６は、ウェハ２８を回転させつつ行われた回転成膜によりウェハ２８上に形成された膜厚データに基づいて、ウェハ２８上の種々の位置における膜成長速度と所定の目標膜成長速度との間の偏差を求め、部分制御範囲のそれぞれのガス流量の変化が、ウェハ２８への回転成膜時において膜成長速度分布の変化に及ぼす感度を定義した回転時膜成長感度データ７２を用いて、種々の位置における偏差を減らすように、部分制御範囲のそれぞれのガス流量を制御するように構成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ生成部と成膜処理部の間に隔壁を配することによって被成膜基板にプラズマ生成部で発生する高エネルギー粒子が入射するのを抑制する構成を有する装置において、成膜分布を改善することを課題とする。
【解決手段】基板処理装置を、プラズマが生成される第一の空間、基板を載置する為の基板ホルダを有する第二の空間、第一の空間と第二の空間を分離する、内部に第三の空間を有する隔壁、第一の空間と第二の空間を繋ぐ前記隔壁に形成された複数の第一の孔、第二の空間と第三の空間を結ぶ前記隔壁の第二の空間に接する面に形成された複数の第二の孔、第一の空間に第一のガスを導入する第一のガス導入手段及び第三の空間に第二のガスを導入する第二のガス導入手段を有し、第一の孔に係わる単位面積当たりの開口率は、中心部より周辺部で大きい構成とする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ密度ないしプラズマ処理特性の面内均一性を向上させる。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、内部にてウエハＷにプラズマ処理が施される処理容器１００と、高周波を出力する第１の高周波電源１４０と、処理容器１００の外部にて、外側コイル、内側コイル及びその間に設けられたｎ個（ｎは１以上の整数）の中間コイルが中心軸に対して同心状に巻かれた高周波アンテナ１２０と、処理容器１００の壁面の一部を構成し、高周波アンテナ１２０から発生する電磁界のエネルギーを処理容器１００内に導入する誘電体窓１０５と、を有する。 （もっと読む）

【課題】サセプタ上に落下したフレーク状の付着物を、サセプタのサイズに関係なく、サセプタ上のパージガスの乱れ及び巻き上がりを発生させることなく、確実に除去し、延いては、基板温度の均一性を保ち、再現性のよい膜品質を得ることができ、稼働率を高め得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】シャワーヘッド１４における複数のガス噴出孔を中心部から外周に向かって同心に区画した複数の領域に対して、ガスの噴出量を個別に制御する流量制御装置６が設けられている。流量制御装置６は、トレイ１２のサセプタ１３への載置前に、シャワーヘッド１４に対向するサセプタ１３の面内領域に向けて、複数の領域に対して個別に流量を変えながらパージガスをシャワーヘッド１４のガス噴出孔からシャワー状に噴出させる。 （もっと読む）

【課題】基板等の温度を精度良く測定することができ、より精度良くかつ効率良く基板のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置及び温度測定方法並びに温度測定装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ２と、載置台３と、載置台３の下方に、載置台３と間隙を設けて配設されたベースプレート９と、温度測定手段とを具備し、載置台３の上方が真空雰囲気とされ、載置台３とベースプレート９との間の間隙が常圧雰囲気とされるプラズマ処理装置である。載置台３の上面と下面とを温度測定手段の測定光が透過可能なように光学的に連通し、かつ、気密封止された温度測定用窓１２〜１５を設けるとともに、載置台３とベースプレート９との間に、これらを連結する連結部材３０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 プラズマプロセッシングにおいて簡易かつ低コストで高周波放電の開始を容易にして放電を安定に維持すること。
【解決手段】 チャンバ１０の天井部において、周辺プラズマ領域ＰＳ_Bの上方（好ましくはシャワーヘッド３８の周囲）には、環状または同心状に延在する磁場形成機構６６が設けられている。この磁場形成機構６６において、外側セグメント磁石Ｍ_iの下面（Ｎ極）から出た磁力線Ｂ_iは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_B内に降りてから放物線を描くように上方へＵターンして内側セグメント磁石ｍ_iの下面（Ｓ極）に達する。隣の磁場形成ユニット［Ｍ_i+1，ｍ_i+1］においても、上記磁場形成ユニット［Ｍ_i，ｍ_i］から円周方向に所定の角度間隔だけ離れた位置で、上記と同様のループを有する磁力線Ｂ_i+1が形成される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣＰ源プラズマ処理装置において、プラズマの均一性および着火性を改善する。
【解決手段】真空処理室内にプラズマを生成して試料をプラズマ処理するプラズマ処理装置であって、真空処理室内に形成される磁場のＥＣＲ面に右回転する誘導電場を形成する高周波誘導アンテナを複数組（７−１〜７−４、７’−１〜７’−４）設け、それぞれのアンテナの組の高周波誘導アンテナ素子７−１〜７−４、７’−１〜７’−４に供給する電流の位相を、対応する素子で同位相に制御して、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）現象によりプラズマを生成する。 （もっと読む）

【課題】放電電極の面調整を短時間に、かつ、人的要因によるバラツキを抑制できる放電電極の面調整方法及び電極面位置計測装置を提供することを目的とする。
【解決手段】電極面１７に沿ったＺ方向の両端側の位置が電極面１７に交差する厚さ方向に移動可能に取り付けられた放電電極３における電極面１７のレベルを略一定となるように調整する放電電極３の面調整方法であって、複数の変位計６１が直線状に配置された計測部材４２を、変位計６１が電極面１７に対向するとともにＺ方向と直交するＹ方向に沿った位置に配置されるように設置する設置工程と、各変位計６１によって電極面１７のレベルを計測する計測工程と、計測工程で計測された結果に基づいて放電電極３の両端側の位置を調整する位置調整工程と、を備えている。 （もっと読む）