【課題】本発明は、プラズマ化学気相堆積時の基板の加熱を低減する目的に基づいている。
【解決手段】そのために、プラズマ気相堆積を用いて基板をコーティングするための方法および装置が提供されるが、その方法および装置では、コーティングしようとする基板の基板表面の周囲の少なくとも一部が排気され、コーティングのための開始物質をもつプロセス・ガスが入れられ、コーティングが、プロセス・ガスで満たされた基板表面の周囲で電磁エネルギーを放射することによって点火されるプラズマにより堆積される。電磁エネルギーは、好ましくはマイクロ波または無線周波のパルスの、多数のパルス・シーケンスの形態で放射され、そのパルス・シーケンスは第１の間隔で時間的に間隔をあけられた多数のパルスをもち、放射された電磁エネルギーはその間隔で停止され、パルス・シーケンス間の間隔は、パルス・シーケンス内のパルス間の第１の間隔より少なくとも３倍、好ましくは少なくとも５倍長い。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ、離型性、耐久性に優れた皮膜を提供すること。離型性、耐久性に優れた型を提供すること。
【解決手段】膜表面１０ａでＦ濃度が最大であり、膜裏面１０ｂでＦ濃度が最小であるＳｉ含有炭素膜１０とする。Ｆ濃度は、膜表面から膜裏面にかけて傾斜していることが好ましい。膜表面は、接着材料および／または粘着材料と接触させて好適に使用することができる。また、型表面にＳｉ含有炭素膜１０が積層された型とする。 （もっと読む）

【課題】有機材料の表面にプラズマＣＶＤによってガスバリア膜を形成する際に、目的とするガスバリア性を有するガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする。
【解決手段】第１のプラズマ放電圧力でガスバリア膜を形成し、その後、前記第１のプラズマ放電圧力よりも低圧力の第２のプラズマ放電圧力でガスバリア膜を形成することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性、樹脂基材に対する密着性、加工性に優れた被膜を備えるポリエステル樹脂製容器を提供する。
【解決手段】ポリエステル樹脂製容器は、内面側の樹脂基材上にＳｉを含有する薄層被膜を備える。薄層被膜は、樹脂基材上にＰＩＣＶＤ法により形成された下部被膜層と上部被膜層とを備える。下部被膜層は、ＳｉとＣとＯとを含み、少なくとも７ｎｍの厚さを備え、ＨＲ−ＲＢＳデプスプロファイル分析による元素組成で、該樹脂基材表面から該上部被膜層に接する部位に向かって、Ｓｉ及びＯの含有量が増加する一方、Ｃの含有量が減少し、該樹脂基材表面から少なくとも５ｎｍの厚さの領域でＳｉの含有量が１４原子％以下である。上部被覆層は、ＳｉとＣとＯとを含み、５〜１５ｎｍの範囲の厚さを備え、ＨＲ−ＲＢＳデプスプロファイル分析による元素組成で、Ｓｉ原子数に対するＯ原子数の比が２．１〜２．５にあり、Ｃの含有量が１５原子％以下である。 （もっと読む）

【課題】タービン動翼などに設けられる遮熱用などの保護皮膜において、接着性の良い保護皮膜、及びその設層方法を提供する。
【解決手段】保護皮膜を有する物品は、第１表面２２を有する基材１８と、第１表面２２から延在する複数の要素２０ａと、複数の要素２０ａの少なくとも一部の間、又は複数の要素２０ａの少なくとも一部の上、又はその両方に配置された保護皮膜２４ａとを備える。複数の要素２０ａは基材１８と一体である。 （もっと読む）

【課題】基材との密着性に優れたＤＬＣ層をもつ摺動部材を提供すること。
【解決手段】本発明の摺動部材は、基材と、ケイ素、タングステン、クロムおよびチタンより選ばれる少なくとも一種の元素と、炭素と、を有し、厚さ方向を表面から基材方向に進むにつれて炭素の含有割合が減少した状態で基材の表面に形成された傾斜層と、傾斜層の表面に形成されたダイヤモンドライクカーボン層と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】所定の組成比の膜を成膜して高靱性、耐摩耗性と密着力向上とを両立させる。
【解決手段】Ｎ2 ガスの導入手段を有する真空槽１１と、Ｍ（Ｍは、Ｔi またはＣr ）用、Ａl 用のハース３１、３１と、ホローカソード形の電子銃２０、２０と、電子ビーム電源と、ワークＷ、Ｗ…用のバイアス電源と、質量分析計５０と、組成比制御系とを設ける。 （もっと読む）

【課題】高速切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具を提供する。
【解決手段】表面被覆切削工具の硬質被覆層を、いずれも化学蒸着で形成された上部層と下部層とで構成し、該上部層は１〜１５μｍの平均層厚を有する酸化アルミニウム層、該下部層は３〜２０μｍの合計平均層厚を有する密着性Ｔｉ化合物層と改質Ｔｉ系炭窒化物層とからなり、そして、該改質Ｔｉ系炭窒化物層は、２．５〜１５μｍの平均層厚を有し、組成式：（Ｔｉ_１−ＸＣｒ_Ｘ）Ｃ_１−ＹＮ_Ｙ（但し、原子比で、Ｘ：０．１２〜０．２０、Ｙ：０．３５〜０．５５）を満足し、さらに、該改質Ｔｉ系炭窒化物層は、傾斜角度数分布グラフにおいて、０〜１０度の範囲内の傾斜角区分に最高ピークが存在すると共に、前記０〜１０度の範囲内に存在する度数の合計が、傾斜角度数分布グラフにおける度数全体の４５％以上の割合を占める傾斜角度数分布グラフを示すこと。 （もっと読む）

【課題】 半導体多層膜表面内の最大反射波長分布の均一性を向上させる
【解決手段】
自転機構上に基板を取り付けた基台をリアクタ内で公転させる装置を用いて、有機金属気相成長法により基板上に第１の半導体層と第２の半導体層を交互に積層して半導体多層反射膜を成長させる際、半導体多層膜の成長効率分布の傾斜を３〜１０（１０^−３／ｍｏｌ）とする。 （もっと読む）

【課題】化学気相堆積プロセス中に膜を生成する方法、化学気相堆積プロセスを制御する方法及び薄膜で被覆された基板を提供する。
【解決手段】化学気相堆積プロセス中に膜を生成する方法の一実施形態は、第１パルス振幅を有する第１電気的パルスを発生し、該第１電気的パルスを使用して第１密度の基化種を生成し、上記第１密度の基化種における基化種を使用して供給原料ガスを分離し、第１の堆積物質を生成し、該第１の堆積物質を基板上に堆積させ、上記第１パルス幅とは異なる第２パルス振幅を有する第２電気的パルスを発生し、該第２電気的パルスを使用して第２密度の基化種を生成し、該第２密度の基化種における基化種を使用して供給原料ガスを分離し、第２の堆積物質を生成し、該第２の複数の堆積物質を上記第１の堆積物質上に堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ，ｎの両方の仕事関数を達成可能なＷ系薄膜の成膜方法、およびそれを用いたゲート電極の形成方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に基板を配置し、前記処理室にＷ（ＣＯ）_６ガスを導入してＷを堆積する工程と、前記処理室にＳｉ含有ガスを導入してＷを珪化またはＳｉを堆積する工程とを交互に繰り返してＷＳｉ膜を成膜し、その際に、Ｗ（ＣＯ）_６ガスの供給とＳｉ含有ガスの供給との間に前記処理室をパージする工程を介在させる。 （もっと読む）

【課題】 大気圧プラズマ処理において安定して均一なプラズマ処理を実現することができるようにする。
【解決手段】 大気圧プラズマ処理方法は、大気圧近傍の圧力下で、プラズマ処理部２０を経由するガス流路２３に処理ガスを供給しながら、対向する一対の電極２６，２７間に電力を印加することによりプラズマ処理部２０にプラズマ２９を発生させ、プラズマ２９によって被処理物２４の表面処理を行なうプラズマ処理方法であって、この表面処理中におけるプラズマ処理部２０近傍におけるガス流路２３に沿った圧力勾配の変動を、ガス流調整機構としての圧力弁３０ａ，３０ｂを用いて低減する圧力勾配変動低減工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ソースガスとしてSi含有ガスを使ってプラズマCVDにより絶縁性微粒子を気相中で形成し、凝集を抑制しながら、形成された微粒子を基板表面まで有効に移送することにより、基板上に低誘電率膜を形成する。
【解決手段】低誘電率膜を形成するための方法は、有機シリコンガス及び不活性ガスから成る反応ガスを容量結合型ＣＶＤ装置のリアクタ内に導入する工程と、リアクタ内のプラズマ放電周期の関数として気相中で生成される微小粒子のサイズをナノメートルのオーダーのサイズに調節する工程と、基板と上部電極との間の温度勾配を約１００℃/cmに制御しながらリアクタ内の上部電極と下部電極との間に配置された基板上に生成微小粒子を堆積する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】駆動電圧が低く、かつ逆電圧が十分に高い発光素子を収率良く得ることができるＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型ドーパントを含むＩＩＩ族窒化物半導体を成長させた後降温する際に、成長終了時の温度と同じ温度にて、成長終了直後からキャリアガスに不活性ガスを用い、かつ窒素源の流量を減少し、その後の降温過程の途中で窒素源の供給を停止することを特徴とするＩＩＩ族窒化物ｐ型半導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 後処理に頼らずに、ダンクリングボンドの発生を抑えることによって良好なゲート絶縁膜を効率よく形成させる薄膜トランジスタの形成方法およびこの薄膜トランジスタを形成させるプラズマＣＶＤ装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 基板上にシリコン膜を形成する工程と、プラズマＣＶＤ法でプラズマを発生させるために印加する電力を段階的に変化させて上記シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成する工程とを有する薄膜トランジスタ形成方法およびこの薄膜トランジスタを形成するプラズマＣＶＤ装置を提供することによって、後処理を行なわなくても薄膜トランジスタの素子特性を向上させることができた。
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【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。
【解決手段】 基材１０上に、当該基材１０と相性の良い中間層としての金属膜１２が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層１２上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜（高濃度層）１４が、プラズマＣＶＤ処理によって形成される。さらに、この高濃度層１４上に、当該高濃度層１４よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜（低濃度層と言う）１６が、同プラズマＣＶＤ処理により形成される。そして、高濃度層１４および低濃度層１６が、一連の硬質炭素膜１８を成す。このように硬質炭素膜１８に含まれるシリコンの量が基材１０から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜１８の耐面圧性を含めた密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 適切な記憶装置動作のために膜厚を通して種々の構成でメモリ抵抗素子を製造可能なグレーディングＰＣＭＯ薄膜の堆積方法を提供する。
【解決手段】 ＰＣＭＯ膜中に含まれるＣａ、Ｍｎ、及び、Ｐｒが、そのスイッチング特性において大きく影響するため、ＲＲＡＭ記憶装置に使用するためのグレーディングＰＣＭＯ薄膜を実現させる方法として、堆積温度、気化温度のような堆積パラメータに関して、異なった堆積速度の作用を有するＰｒ、Ｃａ及びＭｎの前駆体を選択することによって、堆積処理中の個々の堆積パラメータを変化させることで、Ｐｒ、ＣａまたはＭｎの配分が傾斜したグレーディングＰＣＭＯ薄膜を堆積する。 （もっと読む）