【課題】熱フィラメントＣＶＤ法によって、有効成膜面積を大面積化することのできる熱フィラメントＣＶＤ装置及びその装置を用いた薄膜の形成方法を得る。
【解決手段】薄膜を形成するための熱フィラメントＣＶＤ装置であって、フィラメントを固定するための少なくとも一対のフィラメント固定部と、フィラメント固定部の間の距離を変えるためのフィラメント固定部移動機構と、フィラメントの伸縮状態の変化を検出するためのフィラメントの伸縮状態検出手段と、を含み、フィラメントの伸縮状態検出手段が、少なくとも一対のフィラメント固定部の間の略中央の検出位置において、フィラメントからの少なくとも一つの波長の電磁波の強度変化を測定するための、又はフィラメントからの電磁波の波長、強度若しくはそれらの組み合せを測定するための、電磁波測定機構を含む、熱フィラメントＣＶＤ装置である。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減された、耐圧性が高い窒化物系化合物半導体素子の製造方法および窒化物系化合物半導体素子を提供すること。
【解決手段】基板上に少なくともガリウム原子を含むＩＩＩ族原子と窒素原子とからなる窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長する成長工程と、素子構造形成前に、前記窒化物系化合物半導体層にレーザ光または電離放射線を照射し、前記窒化物系化合物半導体層中のＩＩＩ族空孔と水素原子との複合体を分解する分解工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】膜厚方向に亘って緻密な薄膜を得ること。また、良好なデバイス構造を得ること。
【解決手段】回転テーブル２を回転させることにより、Ｓｉ含有ガスとＯ3ガスとを用いてウエハＷに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時（成膜−改質処理を開始した初期）にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程（成膜ステップの回数が増える程）、ウエハＷに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。 （もっと読む）

【課題】溶液及び有毒ガスを使用することなく、また煩雑な操作を施すことなく、安全、かつ簡便にカーボン系膜表面上にフッ素官能基を導入する方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される気体のペルフルオロアゾアルカンの存在下で、カーボン系膜に紫外光を照射して、カーボン系膜の表面にペルフルオロアルキル基を化学結合させることにより、カーボン系膜の機能に、さらにフッ素原子及びフッ素原子含有官能基特有の特異な性質を保有させることを可能とする。
Ｒ_ＦＮ＝ＮＲ_Ｆ （１）
（式中、Ｒ_Ｆはペルフルオロアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】 ガスバリア性のみならず、耐酸化性および透明性にも優れるガスバリア膜の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｓｉ−Ｈ結合を有する原料と、Ｎ−Ｈ結合を有する原料と、窒素ガス、水素ガスおよび希ガスの少なくとも１以上とを用い、４１４ｎｍの発光強度Ａ、３３６ｎｍの発光強度Ｂ、３３７ｎｍの発光強度Ｃおよび６５６ｎｍの発光強度Ｄが、『２＜［Ｂ／Ａ］＜２０』、『Ｃ／Ｂ］』、および『０．５＜［Ｄ／Ｂ］＜５０』を満たすプラズマによるプラズマＣＶＤでガスバリア膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

プラズマチャンバ内のプラズマ放電の強度および分布を制御する装置および方法が提供される。一実施形態では、径方向成分および軸方向成分を有する電界をチャンバ内部に得るために、成形された電極が基板サポート内に埋め込まれる。別の実施形態では、シャワーヘッドアセンブリのフェースプレート電極がアイソレータによって複数のゾーンに分割され、それによって、それぞれ異なる電圧が異なるゾーンに印加されることが可能になる。加えて、１つまたは複数の電極をチャンバ側壁内に埋め込むこともできる。
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【課題】真空チャンバ内部の分圧分布を簡便に測定する分圧測定方法および分圧測定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空チャンバ内に備える測定専用の局所プラズマ源９を測定箇所に移動させる移動ステップと、真空チャンバの壁部に設けられ、光が通過する窓を通して、局所プラズマ源が発生させたプラズマからの発光を受光し、受光した発光の発光強度を分光測定することにより、真空チャンバ内の分圧分布を測定する測定ステップとを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法において、プラズマ処理効率を向上させることである。
【解決手段】相対向する一対の電極４Ａ、４Ｂ、および一対の電極のうち少なくとも一方の電極の対向面に設置された固体誘電体層５もしくは６を備えているプラズマ処理装置を使用する。放電空間８中に大気圧以上の圧力の処理ガス９を導入し、一対の電極へのパルス電圧の印加による放電を用いて処理ガス９を活性化し、活性化した処理ガスを被処理物１１に照射する。放電空間のギャップ間隔ｄが０．３ｍｍ以下であり、電極間の平均電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ以上であり、パルス電圧のパルス幅が５マイクロ秒以下である。 （もっと読む）

【課題】ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。
【解決手段】ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、ＴＣＯ用途に優れた光学的および電気的性質。前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】効率的且つ清浄な反応炉クリーニングを実施し、反応炉クリーニングが確実に完了したかどうかを検出できるプラズマCVD装置を提供する。
【解決手段】セルフクリーニングの可能な半導体処理装置において、反応炉の内壁に設けられた光学窓を通して、該反応炉の内面に向けて単色性の光を照射し、その反射光を受光し、該内面に付着した物質の除去状態を検出する光学装置を備えた半導体処理装置が与えられる。クリーニングが完了したことを的確に検出することで速やかにクリーニングシーケンスを終了させ、生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 発光強度の測定位置やクリーニング条件、プラズマの変動などの要因に影響されることなく、確実にクリーニングの終点検出を行なう。
【解決手段】 成膜処理済みのウエハＷをチャンバー２から搬出した後、チャンバー２内を減圧し、ガス導入口７からクリーニングガスを導入する。高周波電源３０からシャワーヘッド５に高周波電力を印加し、上部電極としてのシャワーヘッド５と下部電極としてのサセプタ３との間に高周波電界を生じさせ、クリーニングガスをプラズマ化する。クリーニング中は、チャンバー２内のプラズマ中のラジカルの発光強度を分光器２２によって測定し、クリーニングの進行に伴って減少するスペクトル（Ｄ）と、クリーニングの進行に伴って増加するスペクトル（Ｉ）との比Ｄ／Ｉを自動的に求め、チャート化することにより、クリーニングのエンドポイントを検出する。 （もっと読む）

【課題】 定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。プラズマ放電発生部は、被処理基板４の処理面と平行な方向にストライプ状に延びる複数の棒状電極部２ｂを含むアノード電極と、アノード電極と対向する位置に間隔をあけて配置されたプレート状のカソード電極２ａとを有する。そして、棒状電極部２ｂの幅や棒状電極部２ｂ間の間隔を異ならせることで、処理室１２内部の電界強度分布を調節する。 （もっと読む）

連続したプラズマ強化プロセスにおいてウェブ材料を処理するための装置を提供する。当該装置は真空チャンバ（１）を含み、真空チャンバ（１）は、チャンバ（１）内に配置されチャンバ（１）内で一定の減圧を維持するための手段（２）を備え、当該装置はさらに、ウェブ（４）を支持しかつ搬送するための回転ドラム（３）と、ドラム（３）によって支持および搬送されるウェブ（４）に面するマグネトロン手段と、ドラムとマグネトロン手段との間におけるプラズマが維持される空間（１０）にプロセスガスまたはプロセスガス混合物を供給するためのガス供給手段とを含む。マグネトロン手段は、互いに平行に並んで配置される長方形のマグネトロン面を備えた複数の独立したマグネトロン電極（６）を含む。各マグネトロン電極（６）は、それ自体の電源手段（７）によって交流電圧が個々に供給される。ドラム（３）は電気的に接地されるか、浮遊するかまたは負にバイアスがかけられる。当該装置は、プラズマ強化化学気相成長プロセスで可撓性のあるウェブ（４）をコーティングするのに特に好適であり、たとえばそのバリア特性を向上させるために酸化珪素でポリマー膜のウェブをコーティングするのに好適である。当該装置は極めて一定の品質を有する信頼性の高いコーティングで作られ、単純な態様で実行可能なメンテナンスを少ししか必要としない。
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本発明は、材料処理された基板を製造する方法に関し、ａ）少なくとも１つの基板を排気された真空容器の中へ入れ、ｂ）基板の処理されるべき表面を、その表面で吸着される反応性ガスに暴露し、ｃ）反応性ガスへの表面の暴露を終了し、ｄ）表面に吸着された反応性ガスを反応させる方法であって、ｄ₁）反応性ガスが吸着されている表面を、０ｅＶ＜Ｅ_IO≦２０ｅＶの基板表面におけるイオンエネルギＥ_IOと、０ｅＶ＜Ｅ_eo≦１００ｅＶの電子エネルギＥ_eoとで低エネルギのプラズマ放電に暴露し、ｄ₂）吸着されている反応性ガスを、少なくとも、プラズマ生成されたイオンと電子の相互作用の下で反応させることを特徴とする。 （もっと読む）