【課題】プラズマにより処理される被処理基板外周部における電界の不均一性を改善し、長期的に安定した性能を得ることのできるプラズマエッチング装置を提供する。
【解決手段】被処理基板載置用電極上であって被処理基板の外周を取り囲むように設けられたフォーカスリングを有するプラズマ処理装置において、フォーカスリングは、被処理基板載置用電極上面の静電吸着膜上に設けられ導体からなる第一のフォーカスリングと、第一のフォーカスリングの上に設けられ誘電体からなる第二のフォーカスリングと、第二のフォーカスリングの上に設けられ導体からなる第三のフォーカスリングからなり、第一のフォーカスリングは、上面高さを被処理基板の上面高さと略等しくし、かつ、プラズマに接するように設けた。 （もっと読む）

【課題】全面均一平坦シード層を用い、かつｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させ、信頼性の高い高輝度のＬＥＤ等を得る。
【解決手段】サファイア基板１１表面に、シード層１２として、縦断面ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）写真の２００ｎｍ観察視野において結晶粒界が観察されないＡｌＮ結晶膜を形成させ、ついでＩＩＩ族窒化物半導体からなる、ｎ型半導体層１４、発光層１５およびｐ型半導体層１６を積層してなるＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体２０を製造するに際し、下記（Ａ）〜（Ｄ）から選ばれる少なくとも１種の方法を用いてｐ型半導体層のキャリア濃度を増大化させる。(Ａ）ｐ型半導体層の成膜をN₂主体のキャリアガスを用いて行なう。（Ｂ）ｐ型半導体層の成膜終了後の冷却中の雰囲気をN₂主体にする。(Ｃ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体を熱処理する。(Ｄ）得られたＩＩＩ族窒化物半導体積層構造体をN₂プラズマ処理する。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ放電処理装置１０を用いる薄膜形成方法により、第１電極１１から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_１、第２電極１２から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_２、放電開始電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＩＶとしたとき、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２なる関係を有し、第２電極から印加する高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であり、かつ前記放電空間に供給される全ガス量の９０〜９９．９体積％が放電ガスである高周波電界を印加して薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の端部付近の処理量が外部からの流入ガス等によって低下するのを抑制し、表面処理の均一性を向上させる。
【解決手段】被処理物Ｗの配置部１０上に第１方向へ相対移動可能なノズル部２０を配置する。ノズル部２０には、第１方向と交差する第２方向に延在する噴出口２４と吸引口２５を互いに第１方向に離して形成する。吸引口２５の第２方向の端部を噴出口２４より第２方向に延出させる。噴出口２４から処理流体を噴き出し、吸引口１５から吸引する。ノズル部２０と配置部１０との間であって噴出口２４と吸引口２５との間に画成された流体流通空間５０の第２方向の外側には、該流体流通空間５０より流体の流通抵抗を大きくする流通抵抗部３０を設ける。流通抵抗部３０における吸引口側部分３３を噴出口側部分３２より第２方向の外側に引っ込ませる。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマクリーニングは、成膜時と異なりプラズマ励起に適合した条件でないため、局所的にプラズマを励起すること自体が困難であり、また、光を使う方法では検出窓の曇りと言うCVDプロセスでは不可避の問題があり、量産工程に適合していない。
【解決手段】これらの問題を解決するための本願発明の概要は反応室においてプラズマを用いて反応ガスを励起して所望の膜を堆積するステップと同反応室にリモートプラズマ励起室で励起されたクリーニングガスを導入して非プラズマ励起雰囲気で同反応室をリモート・プラズマ・クリーニングするステップを繰り返す半導体集積回路装置の製造方法において、容量結合型のプラズマ励起システムにより反応室または反応室の排気のための真空系に局所プラズマを生成し、そのプラズマの電気的特性をモニタすることにより、リモート・プラズマ・クリーニングの終点を検出するものである。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等のプラズマを用いる気相成長法により膜を成膜する成膜方法において、良質な膜を安定的に成膜することを可能とする。
【解決手段】成膜温度Ｔｓ（℃）と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、成膜される膜の特性との関係に基づいて、成膜条件を決定する。１種又は複数種のＰｂ含有ペロブスカイト型酸化物からなる圧電膜では、下記式（１）及び（２）、又は（３）及び（４）を充足する範囲で成膜条件を決定することが好ましい。
４００≦Ｔｓ（℃）≦４７５・・・（１）、
２０≦Ｖｓ（Ｖ）≦５０・・・・・・（２）、
４７５≦Ｔｓ（℃）≦６００・・・（３）、
Ｖｓ（Ｖ）≦４０・・・・・・（４） （もっと読む）

【課題】マイクロ波プラズマ分布を数値解析するプログラムを提供すること。
【解決手段】計算領域の形状情報、誘電率、電気伝導率、メッシュ情報、及び境界条件、フィッティングパラメータ、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧量及び温度、入力される電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モード、並びに、初期の電子密度分布の入力を受け付け（Ｓ１〜Ｓ４）、電子密度分布から誘電率分布を求め（Ｓ６）、形状情報、メッシュ情報、境界条件、誘電率分布、並びに、電磁波の周波数、投入電力及び電磁波モードの下で、マクスウェル方程式を用いて電界分布を求め（Ｓ７）、電界分布、形状情報、メッシュ情報、フィッティングパラメータ、反応毎のパラメータ、背景ガスの圧力及び温度、並びに、電磁波の周波数の下で、一つの電子輸送方程式を用いた数値計算によって電子密度分布を求め（Ｓ８）、電子密度分布の変化が収束するまで処理（Ｓ６〜Ｓ９）を繰り返す。 （もっと読む）

【課題】リモートプラズマ処理方法において、プラズマ処理効率を向上させることである。
【解決手段】相対向する一対の電極４Ａ、４Ｂ、および一対の電極のうち少なくとも一方の電極の対向面に設置された固体誘電体層５もしくは６を備えているプラズマ処理装置を使用する。放電空間８中に大気圧以上の圧力の処理ガス９を導入し、一対の電極へのパルス電圧の印加による放電を用いて処理ガス９を活性化し、活性化した処理ガスを被処理物１１に照射する。放電空間のギャップ間隔ｄが０．３ｍｍ以下であり、電極間の平均電界強度が１０ｋＶ／ｃｍ以上であり、パルス電圧のパルス幅が５マイクロ秒以下である。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面に、膜質及び膜厚が均質な膜を生成する。
【解決手段】 チャンバー１０内の陽極１１ａに対向する陰極１４を、陽極１１ａの中央部に対向する中央電極１４ａと、陽極１１ａの周辺部に対向するリング状の周辺電極１４ｂとで構成している。また、陽極１１ａの外周を囲むように、絶縁体１２を配置している。成膜の開始時には、アークの発生を予防するために、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧よりも高くし、陽柱光が発生した後、中央電極１４ａと陽極１１ａとの間の電圧を周辺電極１４ｂと陽極１１ａとの間の電圧未満にする。これにより、プラズマの中央部の温度が周辺部に対して高くなることが防止される。絶縁体１２は、アークに起因する電流が基板１の側面に流れることを防止する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、不純物粒子の混入がなく、非常に安定した製造を可能とし、かつ過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、良好な透明性、ガスバリア耐性を備えたガスバリア性フィルムの製造方法と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム上に、該樹脂フィルム側から密着膜、セラミック膜及び保護膜を順次形成するガスバリア性フィルムの製造方法において、該密着膜、該セラミック膜及び該保護膜が、同一組成物から構成されている薄膜形成ガスを用いて形成されていることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面に超撥水処理膜を形成すること。
【解決手段】少なくとも炭素とフッ素を含むガスの大気圧プラズマを発生させて、その大気圧プラズマの発生領域から離間した位置に被処理物を設け、大気圧プラズマから少なくとも炭素とフッ素を含む粒子を生成すると共にプラズマの電子により負に帯電させ、電界により帯電粒子を被処理物の方向に加速して、被処理物に堆積することにより被処理物を撥水処理することを特徴とする撥水処理方法である。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ電極のインピーダンスの整合調整を短時間化する。
【解決手段】 原料ガス条件及び高周波電力条件を含むプラズマ加工条件を入力として、プラズマ加工条件に対応するプラズマ電極のインピーダンス指令値をインピーダンス整合器に出力するニューラルネット４２と、プラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値をニューラルネットに学習させる教師部４４とを備えた制御装置を設け、教師部により、過去のプラズマ加工条件と、プラズマ加工条件に対応するインピーダンス指令値の実績値とに基づいて、入力されるプラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値を出力するようにニューラルネットに学習させ、未知のプラズマ加工条件に対しても、インピーダンスの整合調整を短時間化する。 （もっと読む）

【課題】 後処理の工程を経ることなくＣｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。
【解決手段】 Ｃｕの薄膜を形成した後、Ｃｌ₂ガス２１の供給を停止すると同時にガスノズル１８からＨｅガス２２を供給し、バイアス電源３１をオン状態にして基板３にバイアスを印加し、バイアスが印加された基板３にＨｅイオンを引き込みイオン衝撃を与え、基板３の温度を低く保ったまま基板３にエネルギーを与えてＣｕ薄膜中に残留するＣｌを離脱させ、Ｃｌの影響をなくして不純物層等が形成されることがない薄膜作製装置とする。 （もっと読む）

処理対象の表面に均一な薄膜層を形成でき、しかも、短時間に処理することができるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。プラズマ処理室１にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内１に配置した基体１３に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記基体１３をプラズマ処理室１の中心軸と同軸上に固定し、前記プラズマ処理室内のマイクロ波の定在波モードを、前記基体の口部１３１から胴部１３３までは、ＴＥモード又はＴＥＭモードとし、前記基体の底部１３２は、ＴＥモードとＴＭモードが共在するモードとしたマイクロ波プラズマ処理方法としてある。
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【課題】 定在波の影響などにより処理室内で電界強度分布の変化が生じた場合でも電界強度を適切に制御して所望の電界強度分布を得ることが可能となるプラズマプロセス装置を提供する。
【解決手段】 プラズマプロセス装置は、被処理基板４が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部に設けられ被処理基板４にプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させるプラズマ放電発生部とを備える。プラズマ放電発生部は、被処理基板４の処理面と平行な方向にストライプ状に延びる複数の棒状電極部２ｂを含むアノード電極と、アノード電極と対向する位置に間隔をあけて配置されたプレート状のカソード電極２ａとを有する。そして、棒状電極部２ｂの幅や棒状電極部２ｂ間の間隔を異ならせることで、処理室１２内部の電界強度分布を調節する。 （もっと読む）

【課題】 活性化前の原料が基材に付着することを防止して、良質な薄膜形成を可能とする。
【解決手段】この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。また、薄膜形成装置には、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように放電空間にガスを供給し、活性化されたガスで基材を晒すことで、基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部が設けられている。ガス供給部は、活性化以前のガスが基材に接しないように、ガスを放電空間まで案内する案内手段を有している。 （もっと読む）

【課題】 薄手の基材に対するヤラレを防止して、薄手の基材であっても安定した薄膜形成を可能とする。
【解決手段】 この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置された一対の電極と、基材を支持する支持体とが備えられている。また、薄膜形成装置には、基材が放電空間内で一対の電極のうち、少なくとも一方の電極に沿うように、支持体を電極に密着させて保持する保持機構と、薄膜形成ガスを含有するガスが高周波電界によって活性化されるように前記放電空間に前記ガスを供給し、活性化された前記ガスで前記基材を晒すことで基材の表面上に薄膜を形成するためのガス供給部とが備えられている。そして、基材及び支持体は、再剥離性を有する粘着剤によって密着している。 （もっと読む）

【課題】発電効率の向上。
【解決手段】アモルファスｉ層をＣＶＤ法により成膜するために必要であるガス（６）が導入される真空槽（１）に配置される第１電極（７）と第２電極（８）の間に第３電極としてメッシュ電極が介設される。第３電極（９）に負のバイアス電位が与えられる。プラズマ中で生成する堆積先駆体は、第３電極（９）を通過した後に、拡散により基板（１３）に到達する。この際に、質量が大きい高次シランラジカルは、その拡散距離が短く、また、反応ガス（６）との衝突とその反応とにより、不活性な高次シラン分子に変わって、高次シランラジカルの製膜に対する寄与率が低下する。その結果として、得られるアモルファスシリコン膜中に含まれるＳｉＨ２の結合濃度は、観測機器（ＩＲ）の測定限界まで低減される。この程度のＳｉＨ２が存在するアモルファスシリコン層は、公知の発電層との対比で高い安定化発電効率を達成している。 （もっと読む）

高いガスバリア性能を持ち、環境耐久性に優れ、かつ曲げてもそのバリア性能が劣化しない透明ハイバリアフィルムが生産性良く提供される。基材の製造方法として、支持体上に少なくとも有機層および無機層を有する基材の製造方法において、前記無機層が、大気圧又はその近傍の圧力下、放電空間に薄膜形成ガスを含有するガスを供給し前記放電空間に高周波電界を印加し前記ガスを励起し基材を励起した前記ガスに晒すことで形成され、前記高周波電界は、第１の高周波電界および第２の高周波電界を重畳したものであり、前記第１の高周波電界の周波数ω１より前記第２の高周波電界の周波数ω２が高く、前記第１の高周波電界の強さＶ_１、前記第２の高周波電界の強さＶ_２と放電開始電界の強さＩＶとがＶ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２を満たし、前記第２の高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であることを特徴とする基材の製造方法である。 （もっと読む）