【課題】ターゲットが磁性体・非磁性体であるに関わらず、ターゲット上に均一な平行磁場分布を形成し、均一なエロージョンが得られ、ターゲットの広幅化やスパッタ薄膜形成速度向上あるいはＣＶＤ成膜速度向上の効果が得られる放電電極及び放電方法を提供する。
【解決手段】平板ターゲットを有する放電電極において、前記平板ターゲットの表面側の両側縁に沿うように設けられ、前記平板ターゲットを隔てて対向する磁性体と、該磁性体を隔てて前記平板ターゲットの反対側に前記磁性体と組み合わせて設けられ前記平板ターゲットを隔てて異極性の関係であるターゲット上部磁石を有することを特徴とする放電電極。 （もっと読む）

【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 （もっと読む）

【課題】周方向全体に渡ってカスプ磁場によるプラズマの閉じこめ効果を高めることでプラズマ処理の均一性を高める。
【解決手段】減圧された処理室内に処理ガスのプラズマを生成することにより基板に対して所定の処理を施すプラズマ処理装置であって，処理室の周囲に沿って上下に離間して設けられた２つのマグネットリング２１０，２２０を有し，各マグネットリングは内周面にその周方向に沿って２個ずつ交互に極性が逆になる順序で同じように配列された多数のセグメント２１２，２２２を有する磁場形成部２００を備え，磁場形成部は，下部マグネットリング２２０を上部マグネットリング２１０に対して周方向にずらして配置することで上下の磁極配置をずらしたものである。 （もっと読む）

磁界が存在する中でのプラズマ堆積プロセスにより薄膜を形成する方法。前駆体が、堆積チャンバに配送され、活性化され、プラズマを形成する。プラズマは、磁界が在る時に開始され得るか、又は、開始後に磁界に曝され得る。プラズマは、前駆体から誘導されるイオン種と中性種とを含む。磁界は、プラズマを操作して、イオン種の濃度の低減と中性種の濃度の増加に影響を与える。続いて、薄膜材料は、その結果得られる中性種濃縮堆積媒体から形成される。本方法により、欠陥濃度が低い薄膜材料を形成することができる。一実施形態では、薄膜材料は、光起電力材料であり、欠陥の抑制により、光起電力効率が高められることになる。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

【課題】 ワークピースの表面の上に一様なイオン流束の瞬間分布を生成する。具体的には、我々の発明において磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。
【解決手段】 磁気励起は、新規な磁界パターンを生成するマグネットによってなされる。ワークピースに平行且つこれに隣接する領域内では、その地点における磁界の方向が、（１）その点における磁界の大きさの勾配と（２）ワークピース面から垂直にプラズマの方へ延びるベクトルとのベクトル外積となるように、瞬間磁界の大きさと方向が関連している。 （もっと読む）

【課題】複数のプラズマパラメータの所望の値に従って複数のチャンバパラメータを制御することによる、プラズマリアクタチャンバ内でのウェハ処理法に関する。
【解決手段】本方法はＭ個のプラズマパラメータについてのＭ個の所望の数値のセットをＮ個の各チャンバパラメータについてのＮ個の数値のセットへと同時変換することを含む。Ｍ個のプラズマパラメータはウェハ電圧、イオン密度、エッチング速度、ウェハ電流、エッチング選択性、イオンエネルギー及びイオン質量を含む群から選択される。Ｎ個のチャンバパラメータはソース電力、バイアス電力、チャンバ圧、内側磁気コイル電流、外側磁気コイル電流、内側領域ガス流量、外側領域ガス流量、内側領域ガス組成、外側領域ガス組成を含む群から選択される。本方法は更にＮ個のチャンバパラメータをＮ個の値のセットに設定することを含む。 （もっと読む）

【課題】被処理体に付着する異物数を低減させた半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室にガスを供給する手段と、処理室を減圧する排気手段と、プラズマ生成用高周波電源と、磁場を生成するためのコイルと、被処理体を載置するための載置電極とを有する半導体製造装置において、被処理体への所定の処理を行っている時のプラズマ分布に比べて、プラズマ着火時または所定の処理終了後の被処理体面内のプラズマ分布が凸型になるように、磁場分布を変更することにより、被処理体直上の処理ガスの温度勾配を発生させ、熱泳動力によって異物粒子を前記被処理体の外周方向に輸送した。 （もっと読む）

【課題】プラズマの電子密度及び電子温度を正確に測定し、リアルタイムモニタリングでき、量産工程に適した、プラズマ電子密度及び電子温度のモニタリング装置並びに方法を提供すること。
【解決手段】一連される周波数帯域の電磁波が連続送出される電磁波発生器３００と、送出される電磁波の周波数がプラズマの電子密度及び電子温度に対して相関関係を有するように反応容器１００内のプラズマ１００ａに接続され、電磁波発生器３００に電気的に連結されて電磁波を送出する電磁波送受信機２００と、電磁波送受信機２００から受信される電磁波の周波数を分析するように電磁波送受信機２００に電気的に連結される周波数分析器４００と、電磁波の周波数帯域別の送出指令と、分析データに基づいた電子密度及び電子温度と各電磁波の相関関係演算のためのコンピュータ５００で構成される。 （もっと読む）

例えば加工面に材料を蒸着させるため、加工面用のプラズマを発生させるための装置を提供する。本装置は、イオン化ガスを収容する収容部と、マイクロ波を第１端から第２端まで移動させ、当該第２端からガス内にマイクロ波を放射できるように各々が構成された複数のプラズマ励起デバイスと、ガス内に磁場を発生させるための手段とを含む。マイクロ波源が、励起デバイスの第１端にマイクロ波を供給する。使用の際に、マイクロ波の電界ベクトルの方向が磁力線と平行でない領域が前記ガス内に存在し、磁場の磁束密度をＢとし、マイクロ波の周波数をｆとしたときに、Ｂ＝πｍｆ／ｅの関係を実質的に満たし、ここで、ｍは電子の質量であり、ｅは電子の電荷である。
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【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できるＣＶＤ成膜法による成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ３内に、隔壁５、７により成膜室８、第１、第２排気室９、１１が設けられるとともに、基材１６を成膜室８に送り出す第１基材搬送室１５および成膜後の基材１６を回収する第２基材搬送室１９が設けられる。成膜室８内において基材１６は直状のフリースパン部で成膜される。成膜室８内には、基材１６の両面に成膜可能なように、ガス供給部２１および電極ユニット２７が設置され、基材１６の上下両面に対してガス供給部２１から成膜ガスが噴射される。基材の上下両側に電極５５を有する電極ユニット２７が設置され、電源２９により電力を供給してプラズマ２８を発生し、基材１６の両面に薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３が設けられる。チャンバ３内の基材１３の同一表面側に電気的にフローティングレベルに設定された電極３５−１、３５−２が設けられ、電極１５−１、１５−２に電源１７から電力が供給される。チャンバ３内にガス供給部７−１、７−２、７−３から成膜用ガスが供給され、電極３５−１、３５−２からプラズマが発生し、基材１３上に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できる成膜装置及び成膜方法を提供すること。
【解決手段】 チャンバ３内に基材搬送室９、成膜室１１、排気室１３が形成される。巻出しローラ１５は基材１６を巻回しており、基材１６はガイドローラ２１−１、２１−２、張力ピックアップロール２３−１、ガイドローラ２１−２を介してドラム１９に巻きつけられ、更にガイドローラ２１−３、張力ピックアップロール２３−２、ガイドローラ２１−４、２１−５を介して巻取りローラ１７で巻き取られる。ガス供給部３７から基材１６に向けて、成膜ガスが放出され、電気的にフローティングレベルに設定され、基材同一面側に配置された電極５５−１、５５−２間に電力が供給され、プラズマ４が発生し、基材１６の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ電極のインピーダンスの整合調整を短時間化する。
【解決手段】 原料ガス条件及び高周波電力条件を含むプラズマ加工条件を入力として、プラズマ加工条件に対応するプラズマ電極のインピーダンス指令値をインピーダンス整合器に出力するニューラルネット４２と、プラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値をニューラルネットに学習させる教師部４４とを備えた制御装置を設け、教師部により、過去のプラズマ加工条件と、プラズマ加工条件に対応するインピーダンス指令値の実績値とに基づいて、入力されるプラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値を出力するようにニューラルネットに学習させ、未知のプラズマ加工条件に対しても、インピーダンスの整合調整を短時間化する。 （もっと読む）

処理対象の表面に均一な薄膜層を形成でき、しかも、短時間に処理することができるマイクロ波プラズマ処理方法を提供する。プラズマ処理室１にマイクロ波を導入し、処理用ガスをプラズマ化することにより、前記プラズマ処理室内１に配置した基体１３に薄膜層を形成するマイクロ波プラズマ処理方法において、前記基体１３をプラズマ処理室１の中心軸と同軸上に固定し、前記プラズマ処理室内のマイクロ波の定在波モードを、前記基体の口部１３１から胴部１３３までは、ＴＥモード又はＴＥＭモードとし、前記基体の底部１３２は、ＴＥモードとＴＭモードが共在するモードとしたマイクロ波プラズマ処理方法としてある。
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【課題】プラズマ処理プロセスの種類に応じて適切なマルチポール磁場を設定することができ、良好な半導体処理を簡単且つ容易に行うことを可能にしたプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】被処理基板を収容する処理室と、該処理室内に設けられて前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すためのプラズマを発生させる機構と、前記処理室外に設けられて前記処理室内の前記被処理基板の周囲に所定のマルチポール磁場を形成する磁場形成機構とを有するプラズマ処理装置であって、前記磁場形成機構を内側と外側のリング状磁場形成手段で構成し、夫々のリング状磁場形成手段を互いに独立して回転可能としている。 （もっと読む）

【課題】 例えばプリヒ−トを行ってから成膜する場合に、プリヒ−ト時間を短縮すること。
【解決手段】 プリヒ−ト時と成膜時との間で主電磁コイル２６及び補助電磁コイル２７の電流値を変えることにより、得られる磁界の形状を変化させ、成膜時は均一性が大きいが磁束密度が小さい磁界、プリヒ−ト時は均一性は小さいが磁束密度が大きい磁界とする。この結果成膜時はウエハＷの面内においてほぼ均一なプラズマが発生するので均一な成膜処理を行うことができる。一方プリヒ−ト時は均一性は悪いもののプラズマ密度が成膜時よりも大きいプラズマが発生するのでウエハＷへの入熱量が成膜時よりも多くなり、プリヒ−ト時間を短縮することができる。 （もっと読む）