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Fターム[4K030JA18]の内容

CVD (106,390) | 処理条件 (6,571) | 周波数 (280)

Fターム[4K030JA18]に分類される特許

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【課題】大型基板に対して容量結合成分によるプラズマ密度の低下および電界分布の偏りによるプラズマ密度の不均一が生じずに、より高密度なプラズマで均一なプラズマ処理を行うことができる誘導結合プラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】高周波アンテナ13に高周波電力を供給することにより処理室4内に誘導結合プラズマを形成して基板Gにプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、高周波アンテナ13は、アンテナ線46,47,48,49,50,51,52の存在密度が疎になる部分63と密になる部分61,62を有するとともに、その中心部分60にアンテナ線が存在しないように構成され、高周波アンテナ13とプラズマ間の容量結合が所望の値に低下する程度に、その全部が誘電体壁2から離間している。 (もっと読む)


大気圧または大気圧近傍の圧力下、対向する電極間に反応性ガスを供給し、高周波電圧をかけることにより、該反応性ガスを励起状態とし、該励起状態の反応性ガスに基材を晒すことによって、下記一般式(1)で表される組成の薄膜を形成することを特徴とするアモルファス窒化硼素薄膜の製造方法。一般式(1)BN:H(式中、x、yは0.7≦x≦1.3、0≦y≦1.5を表す) (もっと読む)


【課題】 2.7より低い比誘電率を有する低誘電率絶縁膜及び4より低い比誘電率を有するバリア絶縁膜を化学気相成長法により成膜する方法を提供するものである。
【解決手段】 シリコン原子による5員環以上の環状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第1のシリコン含有有機化合物と、シリコン原子による4員環以下の環状構造又は4以下のシリコン原子の鎖状構造を有し、かつ該シリコン原子によるシロキサン結合を有する第2のシリコン含有有機化合物とを含む成膜ガスのプラズマを生成し、反応させて基板31上に絶縁膜32を形成する。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも2つの電極(20、21)と、励起対象のガス(24)を収容する空間とを有する構造(2)に対してエネルギーを供給する電源装置(1)に関するものであり、指定された周波数の交流電圧(V(t))を2つの電極に対して給電するべく、上記電源装置には、電圧源(10)と、該電圧源に接続されてかつ上記構造にリンクされたインダクタンス(41、42)とが備え付けられている。本発明による電源装置は、構造(2)およびインダクタンス(42)から構成されたシステムの共振周波数fRに、上記交流電圧の上記周波数を原則的に固定化させるための共振手段を有することを特徴としている。
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【課題】
高均一の安定したプラズマを生成するプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】
μ波を用いてプラズマを生成させる装置において、μ波を時間的に回転させる方法について、複数(2以上4以下)の導波管を用い、導波管同士に角度をつけ、電界の位相差を付けることにより、処理室内に円偏波を導入する。その際、導波管の配置方法やその手段、μ波を合流させる合流室と反射制御室による反射波の制御手段などを設けたことを特徴とする。
【効果】
μ波を用いてプラズマを生成する方式において、広いパラメータ領域でμ波を回転させる手段を備えたことにより、広いプロセスパラメータ領域で高密度,高均一のプラズマを実現するプラズマ処理装置が提供でき、その結果、高処理速度,大口径ウエハの均一加工が実現される。 (もっと読む)


【課題】
高周波プラズマによる大面積・均一化処理における問題要因である定在波の影響を抑制し、大面積・均一化処理が可能なプラズマ表面処理方法及び表面処理装置を提供すること。
【解決手段】
非接地電極の裏面に、波長の四分の一の間隔に複数の給電点を配置し、該複数の給電点に互いに独立した関係にある複数の高周波電源から出力される電力を供給し、互いに独立した複数の定在波を発生させることにより、該電極間の電力分布を一様化するプラズマ表面処理方法及び装置。 (もっと読む)


【課題】
一様で安定したプラズマを形成でき、大面積基板に均一な膜厚及び膜質分布で成膜できるプラズマ処理方法及び装置並びにプラズマCVD方法及び装置を提供する。
【解決手段】
本発明によるプラズマ処理装置又はプラズマCVD装置では、電極が、金属製電極本体と、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面に埋め込まれた複数個の誘電体とで構成され、基板ホルダーに対向する金属製電極本体の表面が平坦であり、該表面に埋め込まれる複数個の誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置している。
また、本発明によるプラズマ処理方法又はプラズマCVD法は、高周波電力を供給する電極として、放電に対向する金属製電極本体の表面に複数個の誘電体を埋め込みそれぞれの誘電体の端表面が金属製電極本体の表面と同じ平面内に位置する構造の金属電極を使用し、大面積基板に均一に成膜できるように構成される。 (もっと読む)


【課題】 基材表面に均一な薄膜を安定して形成できるCVD成膜法による成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】 チャンバ3内に、隔壁5、7により成膜室8、第1、第2排気室9、11が設けられるとともに、基材16を成膜室8に送り出す第1基材搬送室15および成膜後の基材16を回収する第2基材搬送室19が設けられる。成膜室8内において基材16は直状のフリースパン部で成膜される。成膜室8内には、基材16の両面に成膜可能なように、ガス供給部21および電極ユニット27が設置され、基材16の上下両面に対してガス供給部21から成膜ガスが噴射される。基材の上下両側に電極55を有する電極ユニット27が設置され、電源29により電力を供給してプラズマ28を発生し、基材16の両面に薄膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、不純物粒子の混入がなく、非常に安定した製造を可能とし、かつ過酷な環境下で保存されても密着性に優れ、良好な透明性、ガスバリア耐性を備えたガスバリア性フィルムの製造方法と、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス用樹脂基材の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 樹脂フィルム上に、該樹脂フィルム側から密着膜、セラミック膜及び保護膜を順次形成するガスバリア性フィルムの製造方法において、該密着膜、該セラミック膜及び該保護膜が、同一組成物から構成されている薄膜形成ガスを用いて形成されていることを特徴とするガスバリア性フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】 常圧プロセスのプラズマ通路での流れ方向のプロファイルを利用し、より良好な膜を作成する。
【解決手段】 高圧電極11,12と接地電極21により助走用プラズマ通路部51a,51bを形成し、高圧電極11,12とステージ状接地電極22により選択領域用プラズマ通路部52a,52bを形成する。これら通路部にプラズマ電界を印加するとともに、これら通路部のうち選択領域用プラズマ通路部にのみ基材Wを配置する。プロセスガスを、助走用プラズマ通路部を経て選択領域用プラズマ通路部へ流す。助走用プラズマ通路部が、プロセスガスの流れ方向の処理プロファイルが所定の範囲になるまでの路長を有し、前記選択領域用プラズマ通路部が、前記所定部分(選択領域)に対応する路長を有するように、電極11,21,12を寸法設定する。 (もっと読む)


【課題】 基板上の成膜時間を短くするとともに、デバイスの特性低下を抑制すること。
【解決手段】 真空容器1内に高周波による電磁波を形成し、電磁波によって原料ガスのプラズマを発生させて、基板5上の成膜対象面に成膜を行なうプラズマ成膜方法において、電磁波をパルス状に形成するとともに、変調器16を用いて電極3のパルスの単位時間当たりのオン時間を膜厚方向で変更させるようにする。これにより、成膜によって形成される層間の界面を良好に保ち、デバイス特性の低下を抑制することができる。また、オン時間を適宜長くすることで、成膜時間を短縮することができる。 (もっと読む)


【課題】 プラズマ電極のインピーダンスの整合調整を短時間化する。
【解決手段】 原料ガス条件及び高周波電力条件を含むプラズマ加工条件を入力として、プラズマ加工条件に対応するプラズマ電極のインピーダンス指令値をインピーダンス整合器に出力するニューラルネット42と、プラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値をニューラルネットに学習させる教師部44とを備えた制御装置を設け、教師部により、過去のプラズマ加工条件と、プラズマ加工条件に対応するインピーダンス指令値の実績値とに基づいて、入力されるプラズマ加工条件に対応する最適なインピーダンス指令値を出力するようにニューラルネットに学習させ、未知のプラズマ加工条件に対しても、インピーダンスの整合調整を短時間化する。 (もっと読む)


【課題】被処理物の表面に超撥水処理膜を形成すること。
【解決手段】少なくとも炭素とフッ素を含むガスの大気圧プラズマを発生させて、その大気圧プラズマの発生領域から離間した位置に被処理物を設け、大気圧プラズマから少なくとも炭素とフッ素を含む粒子を生成すると共にプラズマの電子により負に帯電させ、電界により帯電粒子を被処理物の方向に加速して、被処理物に堆積することにより被処理物を撥水処理することを特徴とする撥水処理方法である。 (もっと読む)


【課題】 定期的なクリーニング頻度を少なくし、クリーニングによる生産性の低下を軽減し、オペレータの負担を軽減し、且つ固体となったパーティクルの一部等が薄膜に混入することを防止して高品質な薄膜を提供する大気圧プラズマ放電処理装置の提供。
【解決手段】 少なくとも1対の電極と、基材を搬送する搬送ローラと、高周波電界を印加させプラズマを発生させる電源と、混合ガスを供給する混合ガス供給手段と、を有するプラズマ放電処理装置において、パーティクルを含む排ガスを前記1対の電極と前記搬送ローラとの対向領域から排出する、少なくとも前記対向領域の下流側に備えられた排気部材を有し、少なくとも前記下流側に備えられた前記排気部材は前記排気部材の内壁に付着した粉体及び堆積物を剥離し且つ粉体等が該排気部材の内壁に付着することを軽減する、前記排気部材を振動させる振動手段を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。 (もっと読む)


【課題】 ガスの均一供給が可能な、簡単な構造で、小型で、高品質な薄膜を形成可能な大気圧プラズマ放電処理装置の提供。
【解決手段】 1対の対向する環状の電極と、円筒または円柱状の基材を、前記電極の環の内部を少なくとも通過させる移動手段と、前記電極に接続された高周波の電圧を発生する電源と、前記電極の対向領域に薄膜を形成する薄膜材料ガスと放電ガスの混合ガスを供給するガス供給手段と、を有することを特徴とするプラズマ放電処理装置。 (もっと読む)


【課題】 大規模で高価な設備を必要とせずに、基板上に硬度が高く表面が平滑で均質な硬質窒化炭素膜を効率良く形成する方法を提供する。
【解決手段】 シアン化合物を含む原料ガスをプラズマ化することにより活性化し基板上に窒化炭素膜を形成する際に、基板にパルス周期が0.1〜100000秒の高周波パルスをon/off比50/50〜80/20で印加することを特徴とする硬質窒化炭素膜の形成方法である。印加する高周波パルスのバイアス電圧は−50〜−200Vとすることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】LISの更なる高集積化に伴って要求されている超微細化孔への埋め込み特性や、精密な段差被覆性の実現が可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】プラズマCVD法によって基体上に金属原子含有薄膜を製造する方法であり、基体にパルスバイアス電圧を印加しながら該金属原子含有薄膜を形成する薄膜の製造方法。 (もっと読む)


大気圧もしくはその近傍の圧力下、高周波電界Aを発生させた第1の放電空間に放電ガスを供給して励起し、前記励起した放電ガスのエネルギーを薄膜形成ガスに伝えて励起し、基材を、前記励起した薄膜形成ガスに晒すことにより、前記基材上に薄膜を形成する第1の工程と、高周波電界Bを発生させた第2の放電空間に酸化性ガスを含有するガスを供給して励起し、前記第1の工程で形成された前記薄膜を、前記励起した酸化性ガスを含有するガスに晒す第2の工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
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【課題】
VHFプラズマの表面処理への応用において、一対の電極間に発生の定在波を均一化することにより、プラズマの強さの分布を一様化し、その結果、大面積・均一の超高周波プラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
一対の電極における電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも2つの給電点に時間的に分離されたパルス電力を供給し、該一対の電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつそれらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置及び方法。 (もっと読む)


【課題】
VHFあるいはUHFプラズマのCVD及びエッチング等基板の表面処理への応用において、VHFあるいはUHFプラズマ特有の定在波の影響を抑制することにより、大面積・均一のプラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつ、それらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする大面積・均一のプラズマの発生が可能なVHFプラズマ発生装置、該装置により構成されたVHFプラズマ表面処理装置及び表面処理方法。 (もっと読む)


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