【課題】プラズマ電極と成膜ローラとの間に均一性良くプラズマを発生させることができるローラ式プラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】ローラ式プラズマＣＶＤ装置は、被成膜テープ９上に薄膜を成膜する装置において、真空チャンバー１と、前記真空チャンバー１内に配置され、前記被成膜テープ９が走行される成膜ローラ２と、前記真空チャンバー１内に配置され、前記成膜ローラ２に対向して設けられたプラズマ電極１１と、前記プラズマ電極１１に電気的に接続された高周波電源１３，１５と、前記真空チャンバー１内に原料ガスが供給される原料ガス供給機構１８，２０と、前記真空チャンバー１内を真空排気する真空排気機構と、を具備し、前記プラズマ電極１１における前記成膜ローラ２との対向面は、前記成膜ローラ２の表面に沿って形成されている。 （もっと読む）

【課題】厚さ方向に屈折率が変化した接合膜を有し、この接合膜を介して２つの光学部品同士を高い寸法精度で強固に接合したことによって、耐光性および光学特性に優れた光学素子、およびかかる光学素子を容易に製造可能な光学素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】積層光学素子５は、第１の光学部品２および第２の光学部品４を用意し、第１の光学部品２の表面上に、プラズマ重合法により、接合膜３を成膜する第１の工程と、接合膜３をプラズマに曝すことにより、接合膜３にエネルギーを付与し、接着性を発現させる第２の工程と、接合膜３を介して第１の光学部品２と第２の光学部品４とを接合し、積層光学素子５を得る第３の工程とを経て製造されたものであり、プラズマ重合法における成膜条件を徐々に変化させることにより、接合膜３の屈折率が第１の光学部品２の屈折率と第２の光学部品４の屈折率とをつなぐように変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】バイアスアークが発生しない電圧で保護膜の膜質変化を簡単に制御でき、磁気記録層を保護するために十分な硬度と潤滑層との間の十分な密着力を有する炭素系保護層を備えた磁気ディスクを得ること。
【解決手段】本発明の磁気ディスクの製造方法は、ディスク基体上に少なくとも磁気記録層を形成する磁気記録層形成工程と、前記磁気記録層上に炭素系保護層を形成する保護層形成工程と、前記炭素系保護層上に潤滑層を形成する潤滑層形成工程と、を具備し、前記保護層形成工程は、高周波プラズマを用いたＣＶＤ法により前記磁気記録層上に前記炭素系材料を成膜する成膜工程と、前記成膜した炭素系材料膜に対して窒素ガスで窒化処理する工程と、を含み、前記成膜工程において、前記高周波プラズマの周波数を相対的に高い周波数から相対的に低い周波数に変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法で金属酸化物を形成する場合、成膜速度を変えずに結晶性を向上させる成膜方法を提供する。
【解決手段】気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が０．０３ｍＷ／ｃｍ^２以上１ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。本発明により、形成された膜の成膜速度を落とすことなしに結晶性が上げることができ、太陽電池に用いた場合に発電効率があがる。 （もっと読む）

【課題】
誘電率を低減したＳｉＣ膜を銅拡散防止膜として用いることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、−ＣＨ_２−結合が環状にＳｉの２つの結合手を接続し、残り２つのＳｉの結合手に官能基Ｒ１，Ｒ２がそれぞれ結合され、官能基Ｒ１、Ｒ２は酸素を含まず２重結合を含む、原料を用いて、半導体基板上方に、酸素を含まない第１のＳｉＣ膜を成膜し、第１のＳｉＣ膜上に第１絶縁膜を成膜して、第１のＳｉＣ膜及び第１絶縁膜を含む層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜に銅配線を埋め込み、銅配線を覆って、層間絶縁膜上に、第１のＳｉＣ膜と同じ原料を用いて第２のＳｉＣ膜を成膜する。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノ粒子の合成のための低圧超高周波パルス・プラズマ反応器システムを提供する。このシステムには、少なくとも１つの基板を受け取るように構成され、選択した圧力まで排気することができるチャンバが含まれる。このシステムには、少なくとも１つの前駆体ガスからプラズマを生成するためのプラズマ源と、選択した周波数でプラズマに連続又はパルスの無線周波数電力を供給するための超高周波無線周波数電力源とがさらに含まれる。この周波数は、パルス無線周波数電力とプラズマとの間の結合効率に基づいて選択される。ＶＨＦ放電及びガス前駆体のパラメータはナノ粒子の特性に基づいて選択される。ナノ粒子の平均サイズ及び粒子サイズ分布は、放電を通るガス分子滞留時間に対するグロー放電の滞留時間（パルシング・プラズマ）と、１つのナノ粒子前駆体ガス（又は複数のガス）の質量流量とを制御することによって操作される。
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【課題】処理範囲を大面積化することができると共に、均一な処理を行うことができ、しかも処理対象に応じて容易に設計変更が可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】一端側の開口からプラズマ生成用ガスＧが流入すると共に他端側の開口から活性化されたプラズマ生成用ガスＧが流出する複数の貫通孔２と、各貫通孔２内でそれぞれ放電を発生させるための一対の電極３，４とが設けられた平板状の絶縁基材１からなる反応器Ｒを具備する。上記一対の電極３、４は層状に形成されて上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向で対向して両方とも絶縁基材１に埋設される。上記貫通孔２におけるプラズマ生成用ガスＧの流通方向において下流側の電極３の周端部を上流側の電極４の周端部よりも外側に突出させる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の反射防止膜の成膜において成膜速度を向上しつつ、高い水素パッシベーション効果を得ることができる成膜装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１と、チャンバ１０１内に配置され、シリコン（Ｓｉ）を含む下地層が設けられた被処理体１００を保持するアノード電極１０６と、チャンバ内にアノード電極１０６と対向して配置された筒状のホローカソード電極１０２と、ホローカソード電極１０２に水素（Ｈ₂）、窒素（Ｎ）及びシリコン（Ｓｉ）を含む材料ガスを供給するガス供給管１０９と、ホローカソード電極１０２とアノード電極１０６との間に低周波を印加し、ホローカソード放電によるプラズマＰを生成させる電源１０５とを備え、プラズマＰで励起された材料ガスを下地層上に供給してシリコン窒化膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】膜密度及び膜硬度が高い金属酸化薄膜及び製膜速度の速いその製造方法を提供することにある。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下において、対向する２種の電極間に高周波電圧を印加して反応空間に放電させることにより、反応性ガスをプラズマ状態とし、基材を前記プラズマ状態の反応性ガスに晒すことによって、前記基材上に金属酸化薄膜を形成する金属酸化薄膜の製造方法において、前記反応空間に酸解離定数ｐＫａが３．５以下の酸を導入することを特徴とする金属酸化薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を増大し、大面積のフィルムに成膜することができ、かつ、緻密な成膜を得ることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜装置は、プラズマリニアソース７を有するプラズマ化学気相成長手段と、プラズマリニアソース７と所定間隔をおいて配置されているイオンエッチングローラー５を有するイオンエッチング処理手段と、プラズマリニアソース７とイオンエッチングローラー５との間においてフィルム３を通過させるフィルム搬送手段と、を具備する。前記プラズマ化学気相成長手段は、プラズマリニアソース７により発生する誘導結合プラズマによってフィルム３に成膜を行い、この成膜と同時に前記イオンエッチング処理手段はイオンエッチングローラー５からのイオンによってフィルム３にイオンエッチング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 高い蒸着均一度を維持しつつ蒸着率向上させることができる蒸着装置及びこれを利用した薄膜蒸着方法を提供する。
【解決手段】 本発明の一実施例による蒸着装置は、気体流入管と、プラズマ電極と、前記プラズマ電極の対応極として利用され、基板が装着される基板支持台と、前記プラズマ電極に接続されているプラズマ接続端子と、前記プラズマ接続端子に接続され、連続モードで電圧を印加する第１電圧印加部と、及び前記プラズマ接続端子に接続され、パルスモードで電圧を印加する第２電圧印加部と、を有する。前記第１電圧印加部が印加する電圧は１３．５６ＭＨｚのＲＦ電圧であり、前記第２電圧印加部が印加する電圧は２７ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ範囲のＶＨＦ電圧である。 （もっと読む）

【課題】フィラメントを使用せずに薄膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー１と、前記チャンバー内に配置されたリング状のＩＣＰ電極１７，１８と、前記ＩＣＰ電極に電気的に接続された第１の高周波電源７，８と、前記チャンバー内に原料ガスを供給するガス供給機構と、前記チャンバー内を排気する排気機構と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向するように配置されたディスク基板２と、前記ディスク基板に接続された第２の高周波電源６と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極に対向し且つ前記ディスク基板とは逆側に配置されたアース電極と、前記チャンバー内に配置され、前記ＩＣＰ電極と前記ディスク基板との間の空間を囲むように設けられたプラズマウォール２４，２５と、を具備し、前記プラズマウォールがフロート電位とされていることを特徴とする。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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【課題】安定してストリーマ放電を生成して均一なプラズマを生成することができ、しかも装置の大型化や高コスト化を抑制することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】対向する一対の電極１、１間に形成される対向領域２にプラズマ生成ガスＧを供給する。大気圧又はその近傍の圧力下で上記電極１、１間に電圧を印加することにより対向領域２にストリーマ放電Ｓを形成すると共にこのストリーマ放電Ｓにより対向領域２でプラズマＰを生成する。このプラズマＰを被処理物Ｈに供給するプラズマ処理装置に関する。不均一な電界強度分布を対向領域２に発生させることにより上記ストリーマ放電Ｓを形成するためのストリーマ放電形成手段と、このストリーマ放電Ｓを対向領域２で分散させるためのストリーマ放電分散手段と、被処理物Ｈを上記対向領域２で搬送するための搬送手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】容量結合型のプラズマＣＶＤにおいて、熱および反応ガスイオンに起因する基板の損傷を抑制することができ、かつ、緻密で膜質の良好な膜を、高い被覆性で成膜することを可能にする。
【解決手段】基板を配置する第１電極にＨＦ〜ＶＨＦ帯の周波数を有する高周波電力を供給し、対向電極となる第２電極に、前記第１電極に供給する電力よりも低周波数で、かつ、１３．５６ＭＨｚ以下である周波数を有する電力もしくはパルス周波数のＤＣパルス電力を供給することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】
ＳｉＯ₂膜の常温での高速成膜手法を確立し、屈折率が１．２０〜１．４０と非常に小さいＳｉＯ₂膜の製造方法を提供する。
【解決手段】
不活性ガスからなるキャリアガス、Ｓｉ元素を含むＳｉ原料ガスおよびＯ元素を含むＯ原料ガスの混合物であるプロセスガス中のＳｉ原料ガスとＯ原料ガスとの合計濃度を０．１０〜５０．０体積％とし、該プロセスガスを、相対する一対の電極間に導入し、該電極に１０ＭＨｚ〜１０ＧＨｚの高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、前記一対の電極の一方の電極表面に成膜速度１７０〜５００ｎｍ／ｓでＳｉＯ₂を堆積することにより、屈折率１．２０〜１．４０のＳｉＯ₂薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する方法を、高品質かつ信頼性の高い提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を有するＥＬ素子を製造する製造方法は、下部電極を準備し、準備した下部電極を被覆するように、ＮおよびＣからなる群より選択される元素を含む半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜を堆積する。次いでアニール処理することにより、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの０．０１〜１．０の範囲の減衰係数（ｋ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。他の態様では、半導体ナノ粒子を埋め込んだＳｉ絶縁膜は、波長６３２ｎｍでの１．８〜３．０の範囲の屈折率（ｎ）、３ＭＶ／ｃｍより小さい電場としたときに１Ａ／ｃｍ^２よりも大きい電流密度を示す。 （もっと読む）

【課題】非晶質半導体膜を用いた薄膜トランジスタに比べ、電気特性の信頼性の高い薄膜トランジスタを有する半導体装置を量産高く作製する方法を提案することを課題の一とする。また、成膜段階で結晶性を有する半導体膜、代表的には微結晶半導体膜を形成し、良好な膜品質を実現するプラズマ処理装置を提供することも課題の一とする。
【解決手段】第１のターボ分子ポンプと第２のターボ分子ポンプが直列接続した排気手段により、反応室内の到達最低圧力を超高真空領域に下げる。さらにナイフエッジ型メタルシールフランジにより反応室のリーク量を低減する。こうして超高真空領域に下げた同一反応室内で微結晶半導体膜と非晶質半導体膜とを積層する。微結晶半導体膜の表面を覆う非晶質半導体膜を形成することによって、微結晶半導体膜の酸化を防止する。 （もっと読む）