【課題】配管等に十分な長さを有する環状部材や複雑な内部形状を有する部材の内面だけに成膜処理を行うことのできるプラズマ処理装置、プラズマ処理方法、及びこの方法で処理された被処理体を提供することを課題とする。
【解決手段】
電磁波を発生する電磁波発生源と、前記電磁波をプラズマ点火領域に誘導する電磁波誘導部と、前記プラズマ点火領域に誘導される電磁波により、内部空間内で電磁波励起プラズマが点火される誘電体製の真空容器と、前記真空容器に真空的に接続される内部空間を有する被処理体と、前記被処理体の内面にシースを形成するための所定電圧を前記被処理体に印加する電圧印加手段とを含み、前記被処理体の内面に形成されるシースによって前記被処理体の内部に誘導される電磁波励起プラズマを用いて前記被処理体の内面を処理する。 （もっと読む）

【課題】窒素のような安価な放電ガスを用いても、高密度プラズマが達成出来、良質な薄膜を高速で製膜出来る薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧プラズマ放電処理装置１０を用いる薄膜形成方法により、第１電極１１から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_１、第２電極１２から印加する高周波電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＶ_２、放電開始電界の強さ（ｋＶ／ｍｍ）をＩＶとしたとき、Ｖ_１≧ＩＶ＞Ｖ_２またはＶ_１＞ＩＶ≧Ｖ_２なる関係を有し、第２電極から印加する高周波電界の出力密度が１Ｗ／ｃｍ^２以上であり、かつ前記放電空間に供給される全ガス量の９０〜９９．９体積％が放電ガスである高周波電界を印加して薄膜を形成させる。 （もっと読む）

【課題】サセプタに均一に高周波電力を供給する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、処理容器１００と、処理容器の内部にて基板Ｇを載置するサセプタ１０５と、高周波電力Ｐｗを出力する高周波電源１３０と、サセプタ１０５に位置する複数の給電ポイントＡにてサセプタ１０５に接続され、高周波電源１３０から出力された高周波電力Ｐｗを複数の給電ポイントＡからサセプタ１０５に供給する複数の供給棒Ｂと、高周波電源１３０と複数の給電棒Ｂとの間に設けられ、複数の給電棒Ｂに一対一に接続された複数の可変コンデンサＣｍを含み、出力側とプラズマ側のインピーダンスをマッチングさせる整合器１２５と、各給電ポイント近傍のコンデンサＣｐの電圧を検出するセンサＳｒと、センサＳｒにより検出された電圧に基づき複数の可変コンデンサＣｍをフィードバック制御する制御装置７００とを備える。 （もっと読む）

【課題】電圧分布不均一による処理の不均一を防止することができる基板処理装置の提供。
【解決手段】ＡＬＤ装置は、複数枚のウエハを積載したボートを収容する処理室３２と、処理ガスをウエハに供給するガス供給系と、ウエハの積載方向に配置された一対の放電電極５７、５７と、一対の放電電極５７、５７に高周波電力を供給する高周波電源５８と、一対の放電電極５７、５７の高周波電源５８と反対側先端間に接続された可変インピーダンス素子６２と、高周波電源５８の出力周波数を変化させるコントローラとを備える。プラズマ放電中に、高周波電源の出力周波数を変化させ、電圧分布の極小点を移動させ、一対の放電電極内でのプラズマ生成量を均一化させる。一対の放電電極内でのプラズマ生成量を均一化することにより、ボートに積層したウエハ相互間の処理のばらつきを抑制し、処理をボート全長にわたって均一化することができる。 （もっと読む）

【課題】電力における包絡線の波形のパルス周波数を高くし、かつ高いパワーにて低周波電力をプロセスチャンバーの電極に伝達させ、異常放電を抑制して従来と同様の速度により成膜するプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明のプラズマ発生装置は、それぞれ異なった基本周波数の電力を出力する複数の交流電源と、前記交流電源各々の出力に設けられた複数の整合回路と、２つの電極が対向して設けられたプラズマ反応器の対向電極と、該対向電極のいずれか一方の電極と、前記整合回路各々との間に設けられ、それぞれ対応する前記交流電源の前記基本周波数を通過帯域の中心周波数とする複数のバンドパスフィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】ガスの供給位置を適正化する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１０は、内部にてプラズマが励起される容器１００と、容器内にプラズマを励起するためのマイクロ波を供給するマイクロ波源９００と、マイクロ波源９００から供給されたマイクロ波を伝搬させる同軸管（６００，３１５等）と、容器１００の内側に面した状態で同軸管３１５に隣接し、各同軸管を伝搬したマイクロ波を透過させて容器１００の内部に放出する複数の誘電体板３０５と、容器内にプラズマを励起するためのガスを供給するガス供給源８００と、複数の誘電体板３０５の各々の内部を貫通し、その貫通口であるガス孔Ａからガスを容器内に導入するガス流路８１０を有する。金属電極３１０を貫通したガス孔Ｂとガス孔Ａとは等ピッチで配置される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の量産方法において個別調整を極力低減し、高速に安定したプラズマの初期放電特性を得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可変容量素子の容量変化と高周波電力の反射波の電力変化とを対応させたマトリックスを生成し、このマトリックスから特定の値を可変容量素子の初期容量として設定し、上記反射波の電力を計測して所定の上限値と比較する工程を備える。つまり、可変容量素子の容量と反射波の電力との対応関係を、予めマトリックスとして保持しておく。さらに、上記電力が上記上限値を超えている場合に、この電力が上限値未満となる上記可変容量素子の容量を、上記マトリックスから選択して決定する工程とを備える。このように、インピーダンスを整合させる可変容量素子の容量を、予め保持されたマトリックスから選択し設定するので、きわめて高速にプラズマを安定させることができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも潤滑油中で摩擦特性が優れること、または無潤滑および潤滑油中の両方の環境下で摩擦特性が優れた非晶質炭素膜およびその成膜方法を提供する。
【解決手段】原料ガスはトルエンガスおよびＨＭＤＳで、周波数は５０ｋＨｚ以上５００ｋＨｚ以下で、圧力は０．５Ｐａ以上２０Ｐａ以下で、成膜中の温度は１５０〜４００℃の条件のプラズマＣＶＤ法を用いて基材上に形成された炭素と水素または炭素と珪素と水素を含有する非晶質炭素膜であって、組成がＣ_{１−ａ−ｂ}Ｓｉ_ａＨ_ｂで、かつ、０≦ａ≦０．２、０．７５≦ｂ＜０．２５であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】エネルギ効率の良好なバッチ式熱処理装置を提供する。
【解決手段】バッチ式熱処理装置において、プロセスチューブ３６外に電磁波を閉じ込めるシールド５２を同心円状に設置し、シールド５２の中央高さに電磁波導入ポート５３を穿設し、電磁波導入ポート５３に導波管５４の一端を接続し、導波管５４の他端にマイクロ波を供給するマイクロ波源５５を接続する。マイクロ波源５５にマイクロ波の周波数を調整するコントローラを接続し、コントローラに電界強度測定器を接続する。電界強度測定器に電界強度を検出する複数のアンテナ５８を接続し、複数のアンテナ５８はシールド５２に高さ方向および周方向に間隔をとって配置する。各バッチ毎に最適周波数を求め、各バッチ毎にマイクロ波源からの出力マイクロ波の周波数を最適値に調整することで、バッチ相互間の処理時間の変動を防止し、エネルギ効率を高める。 （もっと読む）

【課題】基板に樹脂フィルムを用いた場合、この樹脂フィルムに変質、変形などが生じることなく、無機膜を熱処理することができる熱処理方法、およびバリアフィルムを提供する。
【解決手段】本発明の熱処理方法は、樹脂フィルム製の基板の表面に無機膜が形成されたシート材に、無機膜に加熱処理を行う工程を有し、無機膜の加熱処理に、無機膜よりも基板の方が吸収されにくい波長の赤外線を用いる。 （もっと読む）

【課題】 処理用支持体であって、該処理用支持体の表面から基板を昇降させるためのリフトピンを含む処理用支持体の表面上に置かれた基板を加工する反応チャンバにおいて、基板の貼り付きの発生を検出する。
【解決手段】 基板の貼り付き発生を検出する方法は、反応チャンバ内を、または反応チャンバを通じて伝搬される振動を、センサにより監視する工程と、基板を反応チャンバ内で加工する間にこの振動が検出された場合に、事前に定められたシーケンスを実施する工程を含み、ここで、この振動は、リフトピンにより基板が処理用支持体の表面から持ち上げられた時の、基板の処理用支持体上への貼り付きを示唆または特定するものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強度が高く柔軟性のある有機無機複合膜及びその製造方法、該有機無機複合膜を用いた反射防止膜及び絶縁膜を提供することにある。
【解決手段】大気圧またはその近傍の圧力下でプラズマＣＶＤ法による有機無機複合膜の製造方法において、金属元素含有化合物と有機化合物を異なるプラズマ条件で分解・励起した後、基材上で混合して成膜することを特徴とする有機無機複合膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ（288nm)と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ（288nm)／Ｈβ〕が１０．０以下であるガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマのもとで、５００℃以下の低温で基板Ｓ上に直接粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】長時間成膜を行った場合でも高品質の薄膜を安定して形成することができるプラズマＣＶＤ成膜装置およびそれを用いた成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜を行うための成膜室２を備え、成膜室２内にカソード電極３と、カソード電極３に対向して配置されたアノード電極４とを設けているプラズマＣＶＤ成膜装置１において、カソード電極３とアノード電極４との間に配置されたメッシュ状電極７を備え、メッシュ状電極７にパルス状電圧を印加し、パルス状電圧の波形Ｐがアノード電極４の電圧に対して負の電位となる負電圧と、０Ｖまたは正電圧とを交互に印加するように形成されていることを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜装置１およびそれを用いた成膜方法。 （もっと読む）

【課題】大気圧近傍の圧力雰囲気の条件下、プラズマを用いて基板に薄膜を形成する際、電極と基板との間の間隙を従来に比べて広く設定しても、反応ガスが反応してできるパーティクルを抑制することができ、しかも均質な薄膜を安定して形成する。
【解決手段】基板に対して回転中心軸が平行な円筒状の回転電極１２に電力を供給することで、この回転電極１２と基板Ｓとの間の間隙にプラズマを生成し、生成したプラズマを用いて、供給された反応ガスＧを活性化させて基板Ｓに薄膜を形成させる際、回転電極１２には、周波数が１００ｋＨｚ〜１ＭＨｚの高周波電力を供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

【課題】マスクの品質を向上させ欠陥を防止するとともに、マスクの生産性を向上させることができるマスクの製造方法およびマスク製造装置を提供する。
【解決手段】原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板の温度を、基板の温度計測値に基づき目標値に制御する温度制御手段を備えることにより、輻射以外の光を熱と除外して正確な温度制御を可能とする薄膜太陽電池の基板加熱装置を提供することにある。
【解決手段】フィルム状の基板１０上に、少なくとも電極膜及び１つまたは複数の光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成してなる薄膜太陽電池において、光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成する際に、フィルム状の基板１０を加熱する赤外線ヒータ９と、加熱された基板１０の温度を計測する放射熱温度計１１と、放射熱温度計１１による基板１０の温度計測値に基づき基板１０の温度を目標値に制御する温度制御器１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】マイクロクラックやピンホールが形成されることなく、樹脂含有物成形品にＤＬＣ膜を形成できる方法及び製膜装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバ４を減圧して原料ガスを導入した後、電極２，３間に高周波電圧を印加して目標膜厚より薄い膜厚のＤＬＣ膜１０を形成する製膜工程と、高周波電圧の印加を停止して電極２，３に蓄積された熱を逃がす放熱工程を交互に行うことにより、目標膜厚に達するまで段階的にＤＬＣ膜を製膜する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法で、微粉の発生を抑制し、基材との密着性、表面平滑性、低摩擦特性を備えた高品質の炭素膜を形成する炭素膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下で、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと、基材に対し水平に導入された炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する工程とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。 （もっと読む）