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Fターム[4K030JA18]の内容

CVD (106,390) | 処理条件 (6,571) | 周波数 (280)

Fターム[4K030JA18]に分類される特許

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【課題】簡便な方法で、微粉の発生を抑制し、基材との密着性、表面平滑性、低摩擦特性を備えた高品質の炭素膜を形成する炭素膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧または大気圧近傍の圧力下で、放電ガスを放電空間に導入して励起する工程と、該励起した放電ガスと、基材に対し水平に導入された炭素を含有する原料ガスとを、放電空間外の基材近傍で混合させて二次励起ガスとする工程と、該二次励起ガスに基材を晒すことにより、該基材上に炭素膜を形成する工程とを有することを特徴とする炭素膜形成方法。 (もっと読む)


【課題】
VHFあるいはUHFプラズマのCVD及びエッチング等基板の表面処理への応用において、超高周波特有の定在波の影響を抑制することにより、大面積・均一のプラズマ表面処理が可能な表面処理装置および表面処理方法を提供すること。
【解決手段】
基板の法線方向に電界を有する電磁波の定在波の腹の位置が異なる2つの定在波を発生させ、それらを重畳させる手段を備え、かつ、該2つの定在波の腹の位置を制御することを特徴とする大面積・均一プラズマの発生が可能な高周波プラズマ発生装置、該装置により構成されたプラズマ表面処理装置及び表面処理方法。 (もっと読む)


【課題】誘電体板の固定方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置10は、処理容器100と、マイクロ波を出力するマイクロ波源700と、マイクロ波源から出力されたマイクロ波を伝搬させる同軸管315と、同軸管315を伝搬したマイクロ波を透過させて処理容器100の内部に放出する複数の誘電体板305と、一端が同軸管315に連結し、他端が誘電体板305の基板側の面に露出した金属電極310とを有する。同軸管315は、誘電体板305および金属電極310を保持した状態にて固定機構500により固定される。さらに、同軸管315は、バネ部材515により処理容器100の外側へ向かう力を与えられ、これにより、複数の誘電体板305を蓋体300の内壁に密着させることができる。 (もっと読む)


【課題】ロール式の成膜装置において、成膜むらが生じることなく均一に成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜材料ガスを導入可能なチャンバ11と、チャンバ11内に配置され、シート状の基板13を外周面55上に配置して中心軸の回りを回転可能に形成された円筒状の基板配置電極21と、基板配置電極21の外周面55から所定距離を置いて対向配置された対向電極22と、を備えた成膜装置10において、対向電極22が接地されるとともに、基板配置電極21に対して100kHz以上2MHz以下の低周波交流電圧を印加可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】アモルファスシリコン層に含まれるSiHの濃度を低減させ、電子移動度や光電変換特性に優れたアモルファスシリコン層を成膜することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン層の成膜中に、検出手段31によってSiHの割合を検出し、周波数制御手段32によってSiHの割合が最も低くなる周波数になるように交流電源30から出力される交流電圧の周波数を調整しつつ、ガラス基板10にアモルファスシリコン層を成膜していく。そして、所定の膜厚になるまでアモルファスシリコン層を積層させる。 (もっと読む)


【課題】均一な酸化マグネシウム膜を簡単に成膜することができる酸化マグネシウム膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】下記(A)〜(C)を含有する特定の混合ガスを用いることにより、大気圧近傍の圧力下で放電プラズマを発生させ、その放電プラズマを利用した化学気相成長法により、酸化マグネシウム膜を基材Aの表面に成膜する。
(A)有機マグネシウム化合物。
(B)酸素および水蒸気の少なくとも一つ。
(C)ヘリウム,ネオン,アルゴン,クリプトン,キセノンおよび窒素からなる群から選ばれる少なくとも一つ。 (もっと読む)


【課題】基板を容易に出し入れすることができ、また、生産効率を向上することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜材料ガスを導入可能なチャンバ11と、チャンバ11内に設けられた、基板13を配置可能な基板配置電極14と基板配置電極14に略平行に対向配置された対向電極21とからなる一対の放電電極と、を備えた成膜装置10において、チャンバ11内に、基板配置電極14と対向電極21とが交互に複数配置され、対向電極21が接地電極として構成されるとともに、基板配置電極14に対して100kHz以上2MHz以下の低周波交流電圧を印加可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】ポリシリコン層を備えた薄膜トランジスタの製造工程を短縮し、薄膜トランジスタをローコストに製造することが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板10を載置した電極板9をカソード電極とし、100kHz以上2MHz以下の低周波数の交流電圧を印加して、350℃以上430℃以下の成膜温度でガラス基板10にアモルファスシリコン層を成膜する。 (もっと読む)


【要 約】
【課題】膜厚分布が均一で、成膜速度が速い成膜装置を提供する。
【解決手段】接地電位の真空槽11の底壁上に、真空槽11から絶縁された走行軌道21を敷設し、その上に基板保持パネル22を立設させる。基板保持パネル22の上部に接続部材23を取り付け、基板保持パネル22の両面に第一、第二の成膜対象物14a、14bを配置し、基板保持パネル22を走行させながら接続部材23を介して基板保持パネル22に交流電圧を印加し、基板保持パネル22の両側に位置するシャワーヘッド16a、16bから噴出される原料ガスをプラズマ化し、薄膜を形成する。基板保持パネル22側に交流電圧を印加するので、プラズマは第一、第二の成膜対象物14a、14b表面近傍に形成され、成膜速度が速い。印加する交流電圧を低周波にすると、電極間距離を広げることができるので、走行レールのガタツキによる電極間距離変動による影響が低下する。 (もっと読む)


本発明は、軟質基材上にバリヤー層を形成する方法及びプロセスを提供する。連続ロールツーロール法は、処理チャンバを通して基材を誘導するように構成された少なくとも1つのローラーを使用して、基材を処理チャンバに提供することを含む。該プロセスは、処理チャンバ内にある基材の少なくとも一部分を、ケイ素及び炭素含有前駆体ガスを含むプラズマに曝すことによって、バリヤー層を基材に近接して蒸着させることを含む。本発明は、構造単位SiC:Hに基づいたバリヤー層を含む、コーティングされた軟質基材をさらに対象とする。該バリヤー層は、高密度及び低多孔度を有する。さらに、該バリヤー層は、10−2〜10−3g.m−2−1の範囲の低い水蒸気透過速度(WVTR)を示し、非常に低い透過率用途に適切である。
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【課題】 方向性結合器は、高い周波数領域での反射波検出レベルが、実際よりも大きくなる周波数振幅特性を有している。そのため、高調波等の高い周波数の反射波が発生したときに、高周波電源装置内の増幅素子を保護するために、必要以上に増幅部11の出力を抑制してしまう課題があった。
【解決手段】 高周波電力の供給源となる増幅部11を備え、負荷にプラズマ発生用の高周波電力を供給する高周波電源装置において、反射波検出信号を出力する方向性結合器13と、反射波検出信号の周波数振幅特性と逆特性を有する振幅特性変換部20と、周波数振幅特性を変換した反射波検出信号を利用して、前記高周波出力手段の出力制御を行う出力電力制御部19とを備えた。高い周波数領域の反射波を検出する場合であっても、反射波の検出レベルを、実際のレベルに近づけることによって、適切なレベルで出力制御を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】大型基板に対し、大型特殊設備を用いて製造される大型のヒーターを使用する必要がなく製造コスト削減が可能な真空処理技術を提供する。
【解決手段】本発明は、真空槽2内で基板に対して真空処理を行う真空処理装置であって、真空槽2内において上に基板10を配置するサセプタ5と、サセプタ5に配置された基板10全体を加熱ブロック9を介して加熱する基板加熱手段70とを備える。基板加熱手段70は、サセプタ5の基板配置領域より大きさの小さい複数のブロック状の分割ヒーター7が隣接するように配置構成されている。 (もっと読む)


【課題】
【解決手段】
プラズマ処理チャンバ内における基板処理方法が開示されている。この方法は、上方電極と下方電極とを備えたプラズマ処理チャンバ内で基板を支持し、上方電極と下方電極との間でプラズマを発生させるために少なくとも1体のRF電力源を利用し、導電通路を形成するために下方電極に結合された導電結合リングを提供する。この方法はさらに、導電結合リングの上方に設置されるプラズマ対向基板周辺(PFSP)リングを利用する。この方法はさらに、プラズマ処理パラメータを制御するために、このPFSPリングを、RFフィルターを介した直流(DC)接地、RFフィルターと可変抵抗とを介したDC接地、RFフィルターを介した正のDC電力源およびRFフィルターを介した負のDC電力源のうちの少なくとも1つに結合する。 (もっと読む)


【課題】容量結合型のプラズマ処理装置において基板を支持する電極と反対側の対向電極にデポや酸化膜が付くのを効率よく防止してプロセスの安定性や再現性の向上を図る。
【解決手段】サセプタ16には、下部高周波電源36より下部整合器40および下部給電棒44を介して主としてプラズマの生成に寄与する所定の周波数たとえば40MHzの下部高周波RFHが印加されるとともに、下部低周波電源38より下部整合器42および下部給電棒46を介して主としてサセプタ16上の半導体ウエハWに対するイオンの引き込みに寄与する所定の周波数たとえば3.2MHzの下部低周波RFLBが印加される。上部電極48には、上部低周波電源66より上部整合器68および上部給電棒70を介して主として上部電極48に対するイオンの引き込みに寄与する所定の周波数たとえば380kHzの上部低周波RFLTが印加される。 (もっと読む)


【課題】大型基板に対し、簡素な構成で、かつ、効率良く成膜を行うことが可能なプラズマCVD技術を提供する。
【解決手段】本発明は、原料ガスを導入可能な真空処理槽2と、真空処理槽2内にほぼ平行に150mm以上の間隔をおいて対向離間配置可能な一対の放電電極であって、基板を配置する基板配置電極9と、真空処理槽2内に導入された原料ガス40を複数の微細口によって通過させて基板配置電極9に向って原料ガス40を導くように構成されたシャワープレート4とを有する放電電極と、基板配置電極9に対して100kHz以上1MHz以下の低周波交流電圧を印加するように構成された電源供給部30と、基板配置電極9とシャワープレート4の間隔を150mm以上の所望の値に保持した状態で、これらの間において基板10を支持するように基板10を基板配置電極9上に配置し、かつ、基板10を基板配置電極9上から離脱させるように移動自在なホイストピン51を有する基板搬送機構50とを有する。 (もっと読む)


【課題】異なる金属酸化膜を複数積層させてなる絶縁膜について、当該絶縁膜の誘電率を高めることができる絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板11上に、第1の電極12を形成し、その上に、酸化アルミニウム膜と酸化チタン膜とが積層された積層膜よりなる絶縁膜13を形成した後、この絶縁膜13に対して、当該絶縁膜13の透過率が10〜80%になる波長を持つレーザーLを照射する。それにより、絶縁膜13の容量を大きくし誘電率を高める。 (もっと読む)


【目的】ゲートリーク電流が小さくかつ電流コラップスが小である良質のSiN表面保護膜を含む半導体装置の製造方法を提供を目的としている。
【構成】基板の上に少なくとも1つの薄膜層を成膜しつつ半導体素子層を形成し、前記半導体素子層の上にCVD法によってSiNからなる表面保護膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記SiN表面保護膜の形成工程おいては、キャリアガスN2によって反応ガスSiH4及びNH3を供給し、各ガスの存在比としてSiH4/NH3≧5及びN2/SiH4≧75の条件の下で、SiH4ガスを20sccm以下の流量にて前記反応チャンバに供給することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 円筒状基体上に、堆積膜を膜剥がれが発生することなく形成することを実現し、多様なサイズの電子写真用感光体を生産性良く製造する。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体部材で構成された減圧可能な反応容器と、反応容器内部に配置された円筒状基体及び原料ガス導入手段と、反応容器外部に配置された高周波電力導入手段とを有し、高周波電力導入手段に高周波電力を印加し、反応容器内にグロー放電を発生させることによって、反応容器内に前記原料ガス導入手段を介して導入された原料ガスを分解し、円筒状基体上に堆積膜を形成する電子写真用感光体製造装置において、高周波電力導入手段は、反応容器内壁から円筒状基体までの距離が最短となる直線上に配置され、円筒状基体の直径をD〔mm〕、反応容器内壁から円筒状基体までの最短距離をL〔mm〕とした場合において、
0.3≦L/D≦1.9 (1)
20≦L≦60 (2)
を全て満たすこととする。 (もっと読む)


【課題】膜質のばらつきを減少して優れた膜を形成することが可能な気相反応成長装置および気相反応成長方法を提供する。
【解決手段】処理装置1は、基板保持部材としてのサセプタ5と原料供給部材としてのガス供給部材12と加熱部材としてのUVランプ11と波長規制部材としてのフィルタ13とを備える。サセプタ5は半導体基板7を保持する。ガス供給部材12は、サセプタ5に保持された半導体基板7に膜を成長させるための原料ガスを供給する。UVランプ11は、サセプタ5に保持される半導体基板7にエネルギー線(紫外線)を照射することで表面を加熱する。波長規制部材(フィルタ13)は、半導体基板7に照射されるエネルギー線の波長を規制する。 (もっと読む)


【課題】膜特性が均一で、かつ、効率良く成膜及び装置のメンテナンスを行うことが可能なプラズマCVD技術を提供する。
【解決手段】本発明方法は、真空中で原料ガス雰囲気下においてほぼ平行に対向離間配置された一対の放電電極間に交流電圧を印加し、一対の放電電極のうち基板配置電極9側に配置した基板10上に原料ガスの薄膜をプラズマCVD法によって成膜するものである。原料ガスとしてシリコンを含有するガスを基板配置電極9と基板配置電極9に対向するシャワープレート4間において基板配置電極9上の基板10に向って導き、基板配置電極9に対して100kHz以上1MHz以下の低周波交流電圧を印加し、基板配置電極9及びシャワープレート4間に生成されるグロー放電によって基板10上にシリコン系薄膜を成膜する工程を有する。 (もっと読む)


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