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Fターム[4K030JA18]の内容

CVD (106,390) | 処理条件 (6,571) | 周波数 (280)

Fターム[4K030JA18]に分類される特許

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【課題】クリーニング回数を減少可能な成膜装置と成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、シャワープレート4が真空槽2と同じ接地電位に接続され、基板10が配置される電極板9が交流電源30に接続されており、電極板9に100kHz以上1MHz未満の交流電圧が印加されるようになっている。従来の印加電圧はMHz帯なのに対し、本願ではkHz帯に低下するため、電極間の距離(シャワープレート4と電極板9間の距離)は大きすることができる。周波数が低いので、電子に比べて質量が重いイオンも周波数に追従して動くことができ、プラズマが電極板9側に張り付く。その結果、シャワープレート4には、付着する堆積物が少なくなる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理を効率よく行うことができるプラズマ処理装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ処理装置1は、印加電極2と、ワーク100を載置するとともに印加電極2の対向電極としての機能を併有するパレット(第1の電極)4と、プラズマ処理用のガスを供給するガス供給手段11と、印加電極2とパレット4との間に電圧を印加する第1の回路(電源部)8を備え、パレット4を載置するテーブル6の下面63には、振動子9が配設され、印加電極2とパレット4との間に印加する電圧の大きさを調整する電力調整手段85と、電力調整手段85の作動を制御する制御手段70とを有しており、この振動子9によりパレット4とワーク100とを一体的に振動させながら被処理面110を処理するに際し、制御手段70により、電力調整手段85が作動するよう構成されている。 (もっと読む)


【課題】品質のよい薄膜を形成可能なCVD装置と、CVD方法を提供する。
【解決手段】本発明のCVD装置1は、高周波電源9から21.12MHz以上の高周波電圧がカソード電極3に印加するようになっており、その周波数では従来に比べカソード電極3に近い位置でプラズマが発生するから、プラズマからサセプタ5や基板11に流入する熱量が小さく、基板11を過熱させずに済む。加熱冷却装置16によって、基板11を予め設定した下限温度以上上限温度以下に維持しながら薄膜が形成可能なので、膜質が安定する、 (もっと読む)


【課題】少なくとも天井電極と、ワークピースサポート電極とを含む電極を有するプラズマリアクタチャンバにおいて、ワークピースを処理する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、各VHF周波数f1及びf2の各RF電源を、(a)電極の夫々か、(b)電極の共通する1つに結合する工程であって、中心が高い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにf1が十分に高く、中心が低い不均一なプラズマイオン分布を生成するのにf2が十分に低い工程を含む。この方法は、f1周波数でのRFパラメータ対f2周波数でのRFパラメータの比を調整して、プラズマイオン密度分布を制御する工程であって、RFパラメータが、RF電力、RF電圧又はRF電流のうち1つである工程を含む。 (もっと読む)


【課題】 従来の高周波装置は、高周波電力の出力周波数を可変させて、反射係数絶対値Γを小さくする制御を行っている。しかし、負荷側インピーダンスZLのリアクタンス成分Xの調整はできるが、抵抗成分Rの調整があまりできないので、反射係数絶対値Γを小さくできない場合があった。
【解決手段】 本発明の高周波装置は、周波数制御回路11によって、高周波電力の出力周波数を可変させて、反射係数絶対値Γを小さくする制御を行う。また、この制御によって反射係数絶対値Γが基準値よりも小さくならない場合は、リアクタンス素子制御回路19によって、インピーダンス調整器3の内部にある可変コンデンサVC1を可変させ、反射係数絶対値Γを小さくする制御を行う。そのため、従来よりも反射係数絶対値Γを小さくできる。また、可変コンデンサVC2を用いて、さらなる調整が可能である。 (もっと読む)


【課題】 画像欠陥が低減された電子写真用感光体を製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 第1の円筒状側壁と、前記第1の円筒状側壁を取り囲む第2の円筒状側壁との間に構成された減圧可能な反応容器と、
前記反応容器内に配置され、基体を保持する基体保持部材と、
前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段と、
を備える複数の基体に同時に堆積膜を形成可能な堆積膜形成装置において、前記第1の円筒状側壁及び第2の円筒状側壁の少なくとも一部が誘電体で構成されるとともに、
前記反応容器内に高周波電力を供給する電力供給系として、前記第1の円筒状側壁の内側に第1の高周波電極を、前記第2の円筒状側壁の外側に第2の高周波電極を配置させ、かつ、さらに前記第1の高周波電極と前記第2の高周波電極に対し、異なる周波数の高周波電力を供給する手段を有する、堆積膜形成装置とする。 (もっと読む)


【課題】容量結合型プラズマ処理装置において。プラズマを生成することなく、しかも電極のおもて面に測定治具を当てることなく、そのプロセス性能上の良否を簡便に判定すること。
【解決手段】このプロセス性能検査方法は、下部マッチングユニット32を下部給電棒34から取り外して、代わりにインピーダンス測定器84のプローブ(測定治具)86を下部給電棒34に装着する。そして、装置内の各部を全てオフ状態に保ったまま、インピーダンス測定器84にサセプタ12の裏側から接地電位部までの高周波伝送路のインピーダンスを測定する。検査装置82は、インピーダンス測定器84を制御し、周波数を掃引して上記高周波伝送路インピーダンスの実抵抗成分について周波数特性を取得し、その周波数特性の中で発現する角状ピークの属性(ピーク周波数、ピーク値等)を読み取る。 (もっと読む)


【課題】 マイクロ波プラズマ処理装置において、マイクロ波導入用誘電体窓表面に付着した反応生成物が成長後剥離し、パーティクルとして基板上に降りデバイス不良を生起する問題を解決する。また、放電条件により低下するプラズマ均一性を改善する。
【解決手段】 マイクロ波導入手段108と誘電体窓107の間に絶縁されたラジオ波電極114を設けるか、またはマイクロ波導入手段自体をラジオ波電極としても併用し、プラズマ発生用のマイクロ波にラジオ波を重畳する。これにより、従来は反応生成物が付着しやすかったマイクロ波プラズマの弱かった部分にも、より強いプラズマを発生させる。これはパーティクル抑制のみならず、プラズマの均一性改善にも効果がある。 (もっと読む)


【課題】 良好な電子写真特性を持つ電子写真用感光体を、生産性良く製造することが可能な電子写真用感光体製造装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも一部が誘電体からなる第一の円筒状側壁と、前記第一の円筒状側壁を取り囲み、かつ、少なくとも一部が誘電体からなる第二の円筒状側壁とで囲まれた空間が減圧可能な反応容器と、前記反応容器内に配置され円筒状基体を保持するための複数の基体保持部材と、前記反応容器内に原料ガスを供給するための原料ガス供給手段とを備えた堆積膜形成装置において、
前記第一の円筒状側壁によって取り囲まれる空間内に、複数の高周波電極からなる第一の高周波電極群が配置されると共に、前記第二の円筒状側壁の外側に、複数の高周波電極からなる第二の高周波電極群が配置されていることを特徴とする堆積膜形成装置。 (もっと読む)


【課題】瞬時電力の設定値と比べて、マグネトロンにより照射されたマイクロ波の瞬時電力の正確さを改善し最適化する。
【解決手段】マグネトロンへの電力供給をマイクロ波の瞬時電力の設定値の関数として以下のように調整する。マグネトロンの電気効率の値を予め決めてメモリに記憶する。マイクロ波の平均電力の設定値を入力し、それを変換して電力信号の瞬時値の設定値を得る。マグネトロンに供給されたアノード電流と高電圧の瞬時値を測定してサンプリングする。サンプリング時におけるアノード電流の瞬時値に高電圧の瞬時値を乗算し、マグネトロンの電気効率の所定値を乗算して、サンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を得る。連続したサンプリング時において有効な所定の調整関係の関数として修正された、連続したサンプリング時におけるマイクロ波の瞬時電力を決定する。それを修正されたマイクロ波の瞬時電力を表すアナログ信号に変換する。 (もっと読む)


【課題】 成膜時にチャンバ雰囲気に全く影響を与えずにチャンバ内の水をモニターすること。
【解決手段】 基板に成膜を行うためのチャンバを有した成膜装置において、該チャンバ内の水分量を検出する方法であって、
前記水分量の検出は、テラヘルツ領域の周波数を有する電磁波を前記チャンバ内に導入する工程と、前記導入した電磁波を検出する工程を含み、前記検出した電磁波の水のスペクトルピークに基づいて水分量を検出する。 (もっと読む)


【課題】冷陰極材料に用いた場合にその冷陰極のIV特性を改善できる炭素膜を成膜することができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空成膜室6と、この真空成膜室6内に配置され内部に直流プラズマを発生し当該内部に配置した基板(導電性ワイヤ)10表面に成膜するための筒状陰極8とを備え、上記直流プラズマによりガスが分解して成膜が行われる過程で筒状陰極8に周期的にパルス状正電圧V2を印加する。 (もっと読む)


【課題】高周波励起のプラズマCVD法によるシリコン系薄膜の形成方法において、比較的低温下で安価に、生産性よく結晶化度の高い多結晶シリコン系薄膜を形成する。
【解決手段】成膜時のガス圧を0.0095Pa〜64Paの範囲から、成膜室内へ導入する成膜原料ガスの導入流量Msに対する希釈ガスの導入流量Mdの比(Md/Ms)を0〜1200の範囲から、高周波電力密度を0.0024W/cm3 〜11W/cm3 の範囲からそれぞれ選択、決定するとともに、成膜時のプラズマポテンシャルを25V以下、プラズマ中電子密度を1×1010個/cm3 以上に維持して膜形成し、且つ、それら圧力等の組み合わせをレーザラマン散乱分光法による膜中シリコンの結晶性評価においてアモルファスシリコン成分に起因するIaに対する結晶化シリコン成分に起因するIcの比(Ic/Ia=結晶化度)が8以上となる組み合わせとして多結晶シリコン系薄膜を形成する。 (もっと読む)


【解決手段】電極を有するプラズマ閉じ込め区域を備えたプラズマチャンバを提供する。第1のガスおよび第2のガスを供給するガス分配システムが、プラズマチャンバに接続されており、ガス分配システムは、1秒未満の期間内でプラズマ区域内の一方のガスを他方のガスで実質的に置き換えることができる。第1の周波数帯域で電極に電力を提供するための第1の周波数調整RF電源が、少なくとも1つの電極に電気的に接続されており、第1の周波数整RF電源は、反射RF電力を最小化することができる。第1の周波数帯域の外側の第2の周波数帯域で前記プラズマチャンバに電力を供給するための第2の周波数調整RF電源が備えられており、第2の周波数調整RF電源は、反射RF電力を最小化することができる。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理方法において、プラズマ放電を継続しながらステップ切替えを行う場合、プラズマ処理条件の切替え時におけるプラズマ不安定を防止する。
【解決手段】プラズマ処理室と、プラズマ発生用の高周波電源と、該プラズマ発生用の高周波電源の反射電力を自動的に低減する自動整合機とを備えたプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法において、予め処理条件切替え後のプラズマ処理条件を決定し(手順1)、切替え後の処理条件でテスト放電して自動整合機で反射波が低減した時点の整合素子の位置を記録し(手順2)、プラズマ処理条件切替え時に自動整合機を予め記録した整合素子の位置に移動させる(手順3)。 (もっと読む)


プラズマからの蒸着により基板(14)上に非晶質材料の膜を形成する方法を開示している。基板(14)を容器内に配置し、膜用前駆ガスを各管(20)を通じて容器内に導入し、容器内を低圧にすべく未反応および解離ガスを容器から各管(22)を通じて抽出する。容器内でプラズマを生成するために分散型電子サイクロトロン共鳴(DECR)により容器内のガスに所定の周波数と出力レベルの連続したパルスとしてマイクロ波エネルギーを導入し、プラズマから材料を基板上に蒸着する。蒸着した材料の厚さにわたってバンドギャップを変化させるべく材料の蒸着中にパルスの周波数および/または出力レベルを変える。 (もっと読む)


【課題】多数枚の大型基板に一度に成膜することで生産性を向上する。しかも、良好な膜質を得るために必要な成膜時間を削減しないでこれを達成する。
【解決手段】平行な2本の直線状導体(31、35)の隣接する一端どうしを電気的に結合し、他端の一方を高周波電力供給部、他方を接地部とするアンテナ素子(30)を複数個用いて、これらのアンテナ素子の各高周波電力供給部と各接地部とが交互に並んですべての直線状導体が平面上に等間隔で配置されたアレイアンテナ(20)を、成膜室(10)内に設置して使用する。アレイアンテナ(20)と、このアレイアンテナの両側においてアレイ平面に平行に配置される成膜用の各基板(40)との距離Dを、直線状導体(31、35)どうしのピッチPと同程度に設定して成膜する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器の製造装置において、排気室又はそれ以降の排気経路での定期的な異物除去作業と容器形状換えに伴う外部電極の交換作業を低減し、ガスバリア性プラスチック容器の生産性を高めることである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にプラズマCVD法によってガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極の内壁面とプラスチック容器の外壁面とに挟まれた隙間空間に誘電体からなるスペーサーを配置し、かつ、プラスチック容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をCとし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうちプラスチック容器の外側空間の合成静電容量をCとしたとき、C>Cの関係が成立し、かつ、周波数400kHz〜4MHzの低周波電力を外部電極に供給する。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、ガスバリア性プラスチック容器を製造するに際して、真空チャンバ以外でのプラズマの発生を抑制し、さらには原料ガス由来の異物の発生を抑制することである。
【解決手段】本発明は、プラスチック容器の内壁面にガスバリア性を有する薄膜を形成する装置であり、外部電極1の上端を容器8の天頂Yよりも下方に位置させ、外部電極1の上方かつ容器8の外側周囲に誘電体からなる環状部材2を配置し、外部電極1と環状部材2とは真空チャンバ3を構成し、容器自体の静電容量とその内部空間の静電容量との合成静電容量をCとし、真空チャンバの内部空間と排気室の内部空間とを含む成膜ユニットの内部空間のうち容器の外側空間の合成静電容量をCとしたとき、C>Cの関係が成立し、電源27は周波数400kHz〜4MHzの低周波電力を供給する。 (もっと読む)


【課題】ホロカソード効果を十分に高めることにより、パウダーの発生を抑制して、成膜した膜の質の向上を図る。
【解決手段】少なくとも第1圧力p1の上記材料ガスと、上記第1圧力p1よりも圧力の高い第2圧力p2の上記材料ガスとが上記処理室6へ導入可能に構成し、上記プラズマ放電面18は、底部に向かって徐々に側壁間の間隔が狭くなる断面テーパ形状のテーパ部2aと、上記テーパ部2aの上記プラズマ放電面18の底部側に連続して上記プラズマ放電面18の底部を構成する凹溝部2bとにより形成し、上記テーパ部2aの最大の上記間隔w1の大きさをd1とし、最小の上記間隔w2の大きさをd2としたとき、p1×d1の値及びp2×d2の値は、それぞれ0.2Pa・m以上且つ1.0Pa・m以下の範囲にあって、上記プラズマ放電面18の溝深さは、上記テーパ部2aの間隔の大きさの上記溝深さ方向における平均値の2倍以上且つ3倍以下の大きさに規定した。 (もっと読む)


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