【課題】 処理システムのためのシーリングのデバイスおよび方法を提供することである。
【解決手段】 処理システムの移送空間から真空分離された処理システムの処理空間内で基板を処理するための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムが示される。シーリングデバイスは、処理空間を規定するように構成された第１のチャンバアセンブリと、移送空間を規定するように構成された第２のチャンバアセンブリとの間に配置される。シーリングデバイスが係合するときに、真空アイソレーションは、処理空間と、移送空間との間に提供される。シーリングデバイスは、２つ以上の接触突起を備え、その接触突起は、その間に形成される１つ以上のポケットを有している。シーリングデバイスが、第１のチャンバアセンブリと、第２のチャンバアセンブリとの間に係合するとき、ガスは、１つ以上のポケット内に閉じ込められる。 （もっと読む）

【課題】コイルに印加される電力を下げることなく、当該コイルに印加される電圧を、従来に比べてより低減することができるプラズマ反応装置を提供する。
【解決手段】被処理対象物Ｋを収容する容器２，６と、被処理対象物Ｋが載置される支持台１１と、支持台１１より上方位置で、容器６の周囲に、これを巻回するように配設された、無端環状のコイル１５と、コイル１５に高周波電力を供給する電力供給手段２０と、容器６に接続され、処理ガスを容器６内に供給するガス供給手段３０とを備える。電力供給手段２０は、少なくともコイル１５に接続される第１及び第２の２つの接続端子２４，２５を備える。第１及び第２の接続端子２４，２５は、コイル１５の全長を２等分する位置ａ，ｂにそれぞれ接続され、第１の接続端子２４とアース（接地端子２６）との間と、第２の接続端子２５とアース（接地端子２６）との間とに、それぞれ大きさが等しく、相互に位相が逆となる電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合含有量の少ないプラズマＣＶＤ成膜方法を提供する。
【解決手段】真空雰囲気下で、ヘキサメチルジシラザンガスとアンモニアガスとアルゴンガスとをチャンバ１２内に供給し、ウェハＷ表面にＳｉＣＮ系膜の厚さ１〜１０ｎｍ程度の薄膜を形成する。次いで、アルゴンガスを供給した状態で、さらに減圧し、ウェハＷを加熱する。このアニール処理により、薄膜中のＮ−Ｈ結合が励起され、解離によりＨが膜中から除去される。この薄膜形成処理と、アニール処理と、を繰り返し、所定厚さのＳｉＣＮ系膜を成膜する。 （もっと読む）

ガス組成物で充填されている処理空間（５）に大気圧グロー放電プラズマを発生させる方法及びプラズマ発生装置。２つの電極（２、３）が、オン時間（ｔ_ｏｎ）の間に電力を供給するために電源（４）に接続されている。電源（４）は所定の時間より短いオン時間（ｔ_ｏｎ）で周期信号を供給するように構成されており、この所定の時間はガス組成物からのダスト凝集中心が処理空間（５）でクラスタとなるのに要する時間に実質的に相当する。本方法及び装置は、処理空間（５）の基板（６）に材料の層を堆積させるために使用することができる。
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【課題】プラズマ発生の性能を高く維持しつつ、電源設備に要する価格を低減すること。
【解決手段】真空チャンバ２内に一対の電極１０，１２が対向配置され両電極１０，１２間にプラズマ発生用電圧が印加されて両電極１０，１２の対向空間にプラズマを発生させるプラズマ発生装置であって、両電極１０，１２が軸方向に所定長さに延び、かつ、両電極１０，１２の電極面１０ａ，１２ａで囲む空間（プラズマ閉じ込め空間）１６の形状が軸方向柱状になっており、両電極１０，１２間に印加するプラズマ発生用電圧電源が低周波の交流電源２０である。 （もっと読む）

【課題】放電プラズマの電子密度を向上させ、電子温度を低減させるような放電プラズマ発生方法を提供すること。
【解決手段】ガス供給孔２から原料ガスをチャンバー１に導入する。電極４，５間に静電誘導サイリスタ素子を用いた電源３からパルス電圧を印加することによって放電プラズマを発生させる。パルス電圧のデューティー比（％）＝（パルスのオン時間の和／パルス周期）Ｘ１００を０．００１％以上、８．０％以下に制御する。 （もっと読む）

本発明は、一つの反復単位が、炭素、ケイ素および水素を主成分とする２〜１００層（Ａ、Ｂ）からなる１〜１０００の反復単位と、任意に機能性表面層（ＦＳＬ）を含む、低摩耗率かつ低摩擦係数の耐食性薄膜多層構造体に係わる。本発明は、そのような薄膜多層構造体を含む構成要素、およびそのような薄膜多層構造体を堆積する方法にも係わる。
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【課題】 ウェハ全面に均一に成膜でき、パーティクルの発生の少ない半導体製造用ウェハ保持体およびそれを搭載した半導体製造装置を提供する。
【解決手段】 ウェハ搭載面を有するウェハ保持体において、前記ウェハ保持体に形成された高周波発生用電極回路の形状が円形であり、その直径が搭載するウェハの直径の９０％以上とすれば、厚み分布の均一な成膜ができるウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。あるいは、前記高周波発生用電極回路の外周部とウェハ保持体の外周部までの距離を、該電極回路とウェハ搭載面との距離よりも長くすれば、パーティクルの発生の少ないウェハ保持体及び半導体製造装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】５〜１５０Ｔｏｒｒの中圧力において被膜を形成する装置とその方法を提供する。
【解決手段】放電空間において発生したラジカルが基板表面に達するまでの間、周辺の雰囲気の影響を受けないように放電空間を包むようにパージガスで遮蔽を施す。磁場をバイアス電圧をプラズマに作用させることにより、該ラジカルが基板表面に到達し易くなり、到達したラジカルにより基板表面において被膜形成反応を促進させる。 （もっと読む）

【課題】薬剤用パッケージ上への高分子抑止表面の作製方法。
【解決手段】含有されるタンパク質溶液の活性に影響することなく、薬剤用パッケージ上へのタンパク質の吸着を低減させる１つ又は複数のコーティングを直接、薬剤用パッケージング上に施すことにより、薬剤用パッケージ上にタンパク質抑止表面を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 第１の温度で蒸着システムの第１のアセンブリを維持し、第１の温度より低く低下された温度で蒸着システムの第２のアセンブリを維持し、基板を第２のアセンブリの移送空間から真空アイソレートされる第１のアセンブリの処理空間に配置し、基板上に材料を堆積させる、基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、および、システムである。 （もっと読む）

【課題】 熱およびプラズマ増強蒸着のための装置および操作方法を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディアおよびシステムであって、処理システムの移送空間から真空アイソレーションされた処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から真空アイソレートが維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、電子デバイスを製造するのに用いられるプロセスチャンバーの内部などの、表面から表面沈着物を除去するための改良された遠隔プラズマクリーニング方法に関する。本改良は、酸素源およびフッ化硫黄を含む供給ガス混合物への窒素源の添加を含む。
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【課題】
本発明の目的は、酸化珪素膜をバリア層に用いた透明性、バリア性に優れたバリアフィルム、およびこのバリアフィルムを効率的に製造可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】
プラスチック基材の片面または両面に、酸化珪素膜(SiOx)をバリア層とするバリアフィルムであって、前記酸化珪素膜(SiOx)の、前記ｘの値を1.9〜2.1の範囲とし、かつ、酸化珪素膜の比抵抗値を10¹²Ωcm以上、絶縁破壊電圧を1MV/cm以上とすることで解決した。 （もっと読む）

【課題】ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、優れた光学的および電気的性質を有するｎ型およびｐ型酸化亜鉛系透明導電性酸化物（ＴＣＯ）を低温で堆積させる、プラズマ増強化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）プロセスを提供する。
【解決手段】ＢまたはＦでドープすることによりｎ型ＺｎＯを、窒素でドープすることによりｐ型ＺｎＯを堆積させるＰＥＣＶＤプロセス。ガラスならびにプラスティックおよびポリマーなどの温度に敏感な材料上に、ＴＣＯ用途に優れた光学的および電気的性質。前記プロセスは、揮発性亜鉛化合物、希釈ガスとしてのアルゴンおよび／またはヘリウム、酸化体としての二酸化炭素およびドーパントまたは反応物の混合物を利用して、所望のＺｎＯ系ＴＣＯを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】 シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 第１の蒸着プロセスに係る処理空間に第１のプロセスガス組成を導入し、基板上に第１の膜を堆積させ、第１の処理空間よりサイズが異なる第２の処理空間に第２のプロセスガス組成を導入し、そして第２のプロセスガス組成から基板上に第２の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第１のボリュームを有する第１の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第１の処理空間の少なくとも一部を含んで、第１のボリュームと異なる第２のボリュームを有する第２の処理空間を含む。 （もっと読む）

処理空間に気体状の薄膜前駆体を導入し、処理空間の容積を第１の大きさから第２の大きさまで拡大して拡大処理空間を形成し、拡大処理空間に還元ガスを導入し、且つ還元ガスから還元プラズマを形成する、基板上での気相堆積のための方法、コンピュータ読み取り可能媒体、及びシステムが開示される。気相堆積用システムは処理チャンバーを含んでおり、処理チャンバーは、第１の容積を有する第１の処理空間を含み、更に、第１の処理空間を含み且つ第１の容積より大きい第２の容積を有する第２の処理空間を含む。第１の処理空間は原子層堆積用に構成され、第２の処理空間は第１の処理空間で堆積された層のプラズマ還元用に構成される。
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【課題】プラスチック容器内面に膜質が良好な炭素膜のようなバリヤ膜を高速度で形成することが可能なプラスチック容器の内面へのバリヤ膜形成装置を提供する。
【解決手段】回転式真空シール機構に排気管１１を通して連通され、プラスチック容器の内面にバリヤ膜を成膜するための複数の成膜チャンバを具備し、排気管は導電材料からなり、その内部の所望位置に通気性で導電性を有するハニカム形導体３９が配置され、かつ成膜チャンバは容器が挿入された時にその容器を取り囲む大きさの空洞を有する外部電極と、容器の口部が位置する側の前記外部電極の端面に絶縁部材を介して取り付けられ、排気管が接続されと共に接地される導電性のチャンバヘッド部材と、外部電極内の容器内にチャンバヘッド部材側から挿入され、成膜ガスを吹き出すためのガス供給管と、外部電極と接地されたチャンバヘッド部材及び排気管との間に電界を付与するための電界付与手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、プラズマの発生が反応室の内部、すなわちプラスチック容器の内部のみで起こるように、排気室又はそれ以降の排気経路でのプラズマの発生を抑制し、同時にプラズマを安定して着火させることである。さらに、装置寿命の短縮の防止、インピーダンスの急激な変化に起因する不良ボトルの偶発の防止及び容器主軸方向に対してガスバリア薄膜の膜厚の均一化を図ることである。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜装置は、反応室３に周波数１００ｋＨｚ〜３ＭＨｚの低周波電力を供給し、且つ、プラスチック容器８の内部にスパーク発生部４０を有するプラズマ着火手段と配置する。このとき、プラスチック容器８と反応室３の内部空間３０との合成静電容量をＣ_１とし、絶縁体スペーサー４と排気室５の内部空間３１との合成静電容量をＣ_２としたとき、Ｃ_１＞Ｃ_２の関係が成立する。 （もっと読む）